光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置与流程

本发明涉及光电转换技术。

背景技术：

以往提出有利用包含半导体层的光电转换元件检测光的技术。例如，在专利文献1中，公开了一种光电转换层介于下部电极和上部电极之间的光电转换元件。在光电转换元件的制造工序中，首先，在基板的整面上形成作为光电转换元件的下部电极的导电层，在导电层的表面形成半导体材料的覆盖层。然后，通过蚀刻等制造技术对覆盖层进行图案化是其呈岛状，形成光电转换元件的半导体层后，通过导电层的图案化形成光电转换元件的下部电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-78651号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

在专利文献1的技术中，在对覆盖层进行图案化的工序中，成为基底的导电层(下部电极)露出的状态。因此，例如有时会通过覆盖层的图案化所使用的蚀刻溶液的附着从导电层分解导电材料，半导体层的表面或侧面附着导电材料，由此形成漏电流的路径。考虑到以上的事实，本发明的目的在于降低在形成光电转换元件的半导体层的工序中电极的导电材料附着于半导体层的可能性。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明的优选的方式提供一种光电转换元件的制造方法，该光电转换元件具备半导体层，光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖电极的绝缘层的工序；在绝缘层中俯视下与电极重叠的区域形成开口的工序；在绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过覆盖层的图案化来形成半导体层的工序，在形成半导体层的工序中，以半导体层的外周缘位于俯视下比开口的内周缘靠外侧处的方式，形成半导体层。在以上的方式中，通过覆盖层的图案化来形成半导体层的工序中，以半导体层的外周缘位于俯视下比绝缘层的开口的内周缘靠外侧处的方式，形成半导体层。即，在形成半导体层的工序中，电极被半导体层及绝缘层覆盖。因此，在形成半导体层的图案化的工序中，能够降低电极的导电材料分解而附着于半导体层的可能性。

本发明的优选的方式中，光电转换元件的制造方法还包括形成导电层的工序，导电层是将第一导电材料的第一层和光反射性比第一导电材料高的第二导电材料(例如铝)的第二层以第一层位于表面的方式层叠而成，在形成电极的工序中，以第二导电材料在导电层的表面形成电极。在以上的方式中，通过光反射性比第二层的第二导电材料低的第一导电材料形成导电层的表面的第一层，而通过第二导电材料在导电层的表面形成电极，因此，通过使光在电极的表面反射，能够实现高效率的光电转换。另外，由于在导电层的表面形成电极，与在覆盖导电层的绝缘层的表面形成电极并经由该绝缘层的导通孔使电极导通于导电层的构成相比较，有抑制电极和导电层之间导通不良(例如断线)的优点。

在本发明的优选的方式中，在形成电极的工序中，将第一导电材料的第一层和光反射性比第一导电材料高的第二导电材料(例如铝)的第二层以第一层位于表面并且第二层从作为在该表面的第一层形成的开口的电极开口露出的方式层叠多层，形成电极，在绝缘层形成开口的工序中，以俯视下与电极开口重叠的方式在绝缘层形成开口。在以上的方式中，光反射性的第二层从层叠第一层和第二层所构成的电极中位于表面的第一层的电极开口露出，因此通过使光在第二层的表面反射，能够实现高效率的光电转换。

在本发明的优选的方式中，在形成电极的工序中，将第一导电材料的第一层和光反射性比第一导电材料高的第二导电材料(例如铝)的第二层以第一层位于表面并且第二层从作为在该表面的第一层形成的开口的电极开口露出的方式层叠多层，形成电极，在绝缘层形成开口的工序中，以该开口的内周缘位于俯视下比电极开口的内周缘靠内侧处的方式，在绝缘层形成开口。在以上的方式中，光反射性的第二层从层叠第一层和第二层所构成的电极中位于表面的第一层的电极开口露出，因此通过使光在第二层的表面反射，能够实现高效率的光电转换。

本发明的优选方式提供光电转换元件，其具备：电极；绝缘层，覆盖电极并且形成有俯视下与电极重叠的开口；以及半导体层，俯视下与开口重叠，半导体层的外周缘位于俯视下比开口的内周缘靠外侧处。另外，本发明的优选的方式的光电转换装置具备以上方式的光电转换元件。在以上的各方式中，由于半导体层的外周缘位于俯视下比绝缘层的开口的内周缘靠外侧处，因此在通过覆盖层的图案化形成半导体层的工序中，由绝缘层覆盖电极。因此，能够降低在形成半导体层的图案化的工序中电极的导电材料分解而附着于半导体层的可能性。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的光电转换装置的构成图。

图2是光电转换元件的截面图。

图3是将光电转换层的附近放大后的截面图。

图4是形成导电层的工序的说明图。

图5是形成第一电极的工序的说明图。

图6是形成绝缘层的工序的说明图。

图7是形成开口的工序的说明图。

图8是形成半导体材料的覆盖层的工序的说明图。

图9是形成第一半导体层及中间半导体层的工序的说明图。

图10是形成绝缘层及遮光层的工序的说明图。

图11是形成第二半导体层的工序的说明图。

图12是第二实施方式中的光电转换元件的截面图。

图13是第二实施方式中形成电极的工序的说明图。

图14是第二实施方式中的变形例中的光电转换元件的截面图。

图15是第三实施方式中的光电转换元件的截面图。

图16是第四实施方式中的光电转换元件的截面图。

附图标记的说明

100…光电转换装置、10…基板、112…定电位线、114…检测线、12、132、134…晶体管、14…光电转换元件、20…电路层、22…基底层、24…半导体层、25…栅极绝缘层、26…栅极电极、28…层间绝缘层、32…导电层、l1…第一层、l2…第二层、34…配线层、36…配线层、41…第一电极、42…第二电极、43…光电转换层、431…第一半导体层、432…中间半导体层、433…第二半导体层、45…第一电极、50…绝缘层、52…保护层、53…绝缘层、54…平坦化层、56…绝缘层、58…开口、62…绝缘层、64…遮光层、66…绝缘层、80…覆盖层、81…第一层、82…第二层。

具体实施方式

<第一实施方式>

图1是本发明的第一实施方式的光电转换装置100的构成图。光电转换装置100是例如为了生物体认证而对生物体的静脉图像进行摄像的摄像装置(静脉传感器)，如图1例示的那样，具备基板10和多个单位元件u。基板10是玻璃基板、石英基板等板状部件。多个单位元件u呈矩阵状排列在基板10的面上。

关于一个单位元件u，如图1中代表性图示的那样，各单位元件u与定电位线112和检测线114的交叉对应配置，包括晶体管12、晶体管132、晶体管134及光电转换元件14。光电转换元件14对应受光量产生电荷。第一实施方式的光电转换元件14能够接收近红外光(波长700nm～1000nm)。定电位线112和检测线114之间串联连接晶体管12和晶体管134。晶体管12的栅极电极连接于光电转换元件14，晶体管132连接于晶体管12的栅极电极和定电位线112之间。

通过控制晶体管132为导通状态，晶体管12的栅极电极的电位被初始化成定电位线112的电位后，变为对应光电转换元件14的受光量的电位。因此，如果控制晶体管134为导通状态，则与光电转换元件14的受光量(晶体管12的栅极电极的电位)对应的电流值的检测信号从定电位线112经由晶体管12和晶体管134，向检测线114输出。即，单位元件u内的各晶体管(12、132、134)是用于检测信号的输入输出的控制(光电转换元件14的驱动)的半导体元件。此外，单位元件u的具体构成不限定于图1的例示。

<光电转换元件14的结构>

图2是光电转换装置100中与任一个单位元件u对应的部分的截面图。如图2所示，在基板10的表面形成电路层20。电路层20包括基底层22、多个晶体管(12、132、134)和层间绝缘层28。基底层22例如由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)等绝缘材料形成。

各单位元件u内的多个晶体管(12、132、134)是同样构成的薄膜晶体管。图2中代表性地例示出晶体管12。晶体管12是包含半导体层24、栅极绝缘层25和栅极电极26的薄膜晶体管。半导体层24例如由多晶硅等半导体材料在基底层22的表面呈岛状形成。栅极电极26例如由钼(mo)等导电材料形成，隔着栅极绝缘层25与半导体层24的沟道区域相对。层间绝缘层28是覆盖半导体层24和栅极电极26的绝缘性的覆膜，例如由氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成。

在电路层20(层间绝缘层28)的表面形成有晶体管12的源极电极及漏极电极(略图示)之外，还形成有导电层32、配线层34和配线层36。导电层32经由贯通层间绝缘层28的导通孔(接触孔)，导通于晶体管12的栅极电极26。如图2例示的那样，导电层32是交替层叠第一层l1和第二层l2的结构的电极。第一层l1以熔点比第二层l21高的第一导电材料形成，第二层l2以光反射性比第一层l1高的第二导电材料形成。第一导电材料是例如钼(mo)、钛(ti)等高熔点金属，第二导电材料是例如包含铝、银等的光反射性金属。如图2所例示那样，第一实施方式的导电层32是第二层l2介于彼此相对的一对第一层l1之间的合计三层的层叠体，高熔点的第一层l1位于表面。因此，具有如下优点：例如在光电转换元件14的制造工序中，即便在加热导电层32的情况下，也能够抑制导电层32的电特性波动。另外，在以铝为代表的第二导电材料位于最表层的构成中，存在表面容易产生小丘的问题。在第一实施方式中，由于通过钼、钛等的第一导电材料形成导电层32的表面，有能够抑制小丘产生的优点。

图2的配线层34及配线层36也与晶体管12的源极电极、漏极电极一起以与导电层32同样的层叠结构形成。配线层34及配线层36例如维持接地电位。

如图2例示的那样，光电转换元件14是光电转换层43介于第一电极41和第二电极42之间的受光元件(光电二极管)。第一电极41是位于光电转换层43的下层的下部电极，按照单位元件u单独形成。第一实施方式的第一电极41由与导电层32的第二层l2同样的低电阻且光反射性的第二导电材料(例如包含铝的导电材料)形成在导电层32的表面。即，以接触于导电层32中位于最表层的第一层l1的表面的方式形成第一电极41。

形成导电层32、配线层34和配线层36的电路层20的表面被绝缘层50覆盖。第一实施方式的绝缘层50以保护层52、平坦化层54和绝缘层56的层叠构成。保护层52(钝化层)是用于保护晶体管12的覆膜，例如由氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成。平坦化层54是用于使电路层20的表面的凹凸(高低差)平坦化的覆膜，例如由透光性的树脂材料(例如丙烯酸类树脂)形成。绝缘层56是覆盖保护层52和平坦化层54的覆膜，例如由氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成。此外，在图2中例示出了以单层分别形成保护层52及绝缘层56的构成，但也能通过层叠不同的绝缘材料所形成的多层层叠体来形成保护层52或绝缘层56。

在绝缘层50中俯视下(即从与基板10的表面垂直的方向观察)与第一电极41重叠的区域，按照每个单位元件u单独形成开口58。具体而言，在绝缘层50中层叠有保护层52和绝缘层56的区域形成开口58。图3是将绝缘层50的开口58的附近放大后的截面图。如从图3所理解的那样，绝缘层50的开口58的内周缘e1位于俯视下第一电极41的外周缘(轮廓线)e2的内侧。即，绝缘层50的开口58的区域在俯视下包含于第一电极41的轮廓线所包围的范围(即第一电极41所在的区域)内。因此，第一电极41经由开口58从绝缘层50露出，构成该开口58的内壁面所包围的空间(凹部)的底面。

如图2例示的那样，第一实施方式的光电转换层43是从第一电极41侧依次层叠第一半导体层431、中间半导体层432和第二半导体层433的层叠体，形成为俯视下重叠于绝缘层50的开口58。因此，第一半导体层431在开口58的内侧接触于第一电极41的表面。第一半导体层431、中间半导体层432和第二半导体层433例如由非晶硅等半导体材料形成。具体而言，第一半导体层431是由n型半导体形成的下部接触层(n⁺层)，第二半导体层433是由p型半导体形成的上部接触层(p⁺层)。介于第一半导体层431和第二半导体层433之间的中间半导体层432是由本征半导体形成的半导体层(i层)。如从以上说明理解的那样，第一实施方式的光电转换元件14是将第一电极41作为阴极的pin型二极管。此外，能够由p型半导体形成第一半导体层431，并且由n型半导体形成第二半导体层433。

如从图3理解的那样，第一半导体层431及中间半导体层432的外周缘(轮廓线)e3位于俯视下绝缘层50的开口58的内周缘e1的外侧。即，形成开口58的区域俯视下包含于第一半导体层431及中间半导体层432的轮廓线所包围的范围(光电转换层43所在的区域)内。因此，第一半导体层431在开口58的内侧覆盖从绝缘层50露出的第一电极41的表面和开口58的内壁面并到达绝缘层50的表面，覆盖该表面中位于开口58的内周缘e1附近的环状及框状的区域。

如图2例示的那样，形成第一半导体层431及中间半导体层432的绝缘层50的表面被绝缘层62覆盖。绝缘层62例如由氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成。在绝缘层62的表面形成有遮光层64。遮光层64由遮光性的导电材料(例如铬)形成，经由贯通绝缘层50及绝缘层62的导通孔，导通于所述配线层34。因此，遮光层64维持接地电位。通过遮光层64遮光朝向晶体管12的光，从而能够抑制起因于光照射的晶体管12的漏电流。此外，在树脂材料的平坦化层54的表面形成遮光层64的构成中，存在遮光层64易于从平坦化层54的表面剥离的问题。在第一实施方式中，由于在覆盖平坦化层54的绝缘层62的表面形成遮光层64，有能够抑制遮光层64的剥离的优点。

形成遮光层64的绝缘层62的表面被绝缘层66覆盖。绝缘层66例如由氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成。如图2所示的那样，在绝缘层62及绝缘层66形成有和绝缘层50同样的开口67。即，中间半导体层432经由开口67，从绝缘层62及绝缘层66露出。第二半导体层433形成为俯视下与开口67重叠。因此，第二半导体层433在开口67的内侧接触于中间半导体层432的表面。通过以上说明的第一半导体层431、中间半导体层432和第二半导体层433的层叠体，形成光电转换层43。

在形成有第二半导体层433的绝缘层66的表面形成第二电极42。第二电极42是例如ito(indiumtinoxide：氧化铟锡)、izo(indiumzincoxide：氧化铟锌)等透光性的导电材料在绝缘层66的表面形成的上部电极，作为光电转换元件14的阳极发挥功能。第二电极42遍及多个单位元件u连续地形成，介于贯通绝缘层50、绝缘层62和绝缘层66的导通孔，导通于配线层36。因此，第二电极42维持接地电位。

<光电转换元件14的制造方法>

图4到图11是第一实施方式的光电转换元件14的制造工序的说明图。在基板10的表面形成电路层20的阶段开始图4的工序p1。如图4例示的那样，在最初的工序p1(形成导电层的工序)中，通过溅射等公知的成膜技术在电路层20的表面形成导电层32、配线层34和配线层36。在执行工序p1后的工序p2(形成电极的工序)中，如图5例示的那样，用铝等光反射性的第二导电材料在导电层32的表面形成第一电极41。在第一电极41的形成中，利用溅射等公知的成膜技术、光刻法及蚀刻等公知的加工技术等。

在执行工序p2后的工序p3(形成绝缘层的工序)中，如图6例示的那样，形成覆盖第一电极41的绝缘层50。具体而言，工序p3包括遍及电路层20的整面形成保护层52的工序，在保护层52的表面形成平坦化层54的工序，形成覆盖保护层52及平坦化层54的绝缘层56的工序。在保护层52及绝缘层56的形成中，利用例如化学气相沉积法(cvd：chemicalvapordeposition)等公知的成膜技术，在平坦化层54的形成中例如利用旋转涂胶等成膜技术。

在执行工序p3后的工序p4(形成开口的工序)中，如图7例示的那样，在绝缘层50中俯视下与第一电极41重叠的区域形成开口58。在开口58的形成中，利用例如光刻法及蚀刻等公知的加工技术。如参照图3来已叙述那样，绝缘层50的开口58的内周缘e1位于俯视下第一电极41的外周缘e2的内侧。

在执行工序p4后的工序p5(形成覆盖层的工序)中，如图8例示的那样，在绝缘层50的表面形成半导体材料的覆盖层80。覆盖层80是成为第一半导体层431的第一层81和成为中间半导体层432的第二层82的层叠体，在工序p4所形成的开口58的内侧接触于第一电极41并遍及绝缘层50的表面的整个区域连续。在覆盖层80的形成中，利用例如溅射等公知的成膜技术。

在执行工序p5后的工序p6(形成半导体层的工序)中，如图9例示的那样，通过工序p5所形成的覆盖层80的图案化，形成光电转换层43的第一半导体层431及中间半导体层432。在覆盖层80的图案化中，利用例如光刻法及蚀刻等公知的加工技术。在工序p6中，通过以使得半导体层的外周缘e3位于在俯视下比开口58的内周缘e1靠外侧处的方式对覆盖层80进行图案化，形成第一半导体层431及中间半导体层432。因此，第一电极41成为被绝缘层50及第一半导体层431密封的状态。

在执行工序p6后的工序p7中，如图10例示的那样，通过公知的成膜技术依次形成绝缘层62、遮光层64和绝缘层66，并且遍及绝缘层62及绝缘层66的开口67形成为俯视下与第一电极41重叠。在执行工序p7后的工序p8中，如图11例示的那样，通过覆盖绝缘层62及绝缘层66的半导体材料的成膜和图案化，形成第二半导体层433。即，在工序p8中，层叠了第一半导体层431、中间半导体层432和第二半导体层433的光电转换层43。然后，通过以覆盖第二半导体层433和绝缘层66的方式形成遍及多个单位元件u的第二电极42，形成图2例示的光电转换元件14。

如以上例示的那样，在第一实施方式的工序p6(图9)中，第一电极41成为被绝缘层50、第一半导体层431及中间半导体层432覆盖的状态，因而降低了覆盖层80的图案化中所使用的蚀刻溶液附着于第一电极41的可能性。因此，降低蚀刻溶液的附着导致从导电层32脱离的导电材料附着于第一半导体层431及中间半导体层432的表面、侧面的可能性，结果上，能够抑制例如光电转换元件14中产生电流的漏电。另外，通过光反射性比第二层l2的第二导电材料低的第一导电材料形成导电层32的表面的第一层l1，而通过光反射性的第二导电材料在导电层32的表面形成第一电极41，因此，通过使光在第一电极41的表面反射，能够实现高效率的光电转换。

＜第二实施方式＞

对本发明的第二实施方式进行说明。此外，在以下例示的各方式中，对于作用、功能与第一实施方式相同的部分，将直接使用在第一实施方式的说明中参照的附图标记并适当省略各附图标记的详细说明。

图12是例示出第二实施方式的光电转换装置100的构成的截面图。如图12例示的那样，在第二实施方式中，将第一实施方式的导电层32和第一电极41置换为图12的第一电极45。第二实施方式的第一电极45是通过以使第一层l1位于表面的方式将由高熔点的第一导电材料形成的第一层l1和由光反射性的第二导电材料形成的第二层l2层叠的层叠体。具体而言，图12例示的第一电极45是由第二层l2介于彼此相对的一对第一层l1之间的合计三层构成。如图12例示的那样，在第一电极45中位于表层侧的第一层l1形成开口(以下称为“电极开口”)452。因此，第二层l2的表面从第一层l1的电极开口452露出。

如图12例示的那样，在第二实施方式的绝缘层50(保护层52及绝缘层56)中，在俯视下重叠于第一电极45的电极开口452的区域形成开口58。因此，第一电极45中俯视下位于电极开口452的内侧的第二层l2的表面从绝缘层50的开口58的内侧露出。

和第一实施方式同样地，第一半导体层431以俯视下重叠于绝缘层50的开口58的方式形成。因此，在开口58的内侧，第一半导体层431与第一电极45中从电极开口452的内侧露出的第二层l2的表面接触。第一半导体431及中间半导体层432的外周缘e3位于俯视下绝缘层50的开口58的内周缘e1的外侧的构成是与第一实施方式相同。

在第二实施方式的光电转换元件14的制造工序中，将第一实施方式的工序p1及工序p2置换为图13的工序pa。在工序pa(形成电极的工序)中，以第二层l2从最表层的第一层l1中形成的电极开口452露出的方式，形成将第一层l1和第二层l2层叠成多层的第一电极45。另外，在工序p4(在绝缘层形成开口的工序)中，以俯视下重叠于电极开口452的方式，在绝缘层50形成开口58。

在第二实施方式中，和第一实施方式同样地，在通过覆盖层80的图案化形成第一半导体层431及中间半导体层432的工序p6中，第一电极45为被绝缘层50及半导体层覆盖的状态，因而能够降低覆盖层80的图案化所使用的蚀刻溶液附着于第一电极45的可能性。另外，光反射性的第二层l2从由第一层l1和第二层l2的层叠体所构成的电极中位于表层侧的第一层l1的电极开口452露出，因此通过在第二层l2的表面反射光，能够实现高效率的光电转换。

此外，在图12中，例示出了绝缘层50的开口58的内周缘e1与电极开口452的内周缘俯视下大致一致的构成，但开口58和电极开口452在俯视下的关系并不限定于以上的例示。例如，如图14所例示的那样，在工序p4(在绝缘层形成开口的工序)中，也能够以开口58的内周缘e1位于俯视下比电极开口452的内周缘靠内侧处的方式，在绝缘层50形成开口58。

<第三实施方式>

图15是例示出第三实施方式的光电转换装置100的构成的截面图。在前述的第一实施方式中，在导电层32的表面(第一层l1的表面)形成了第一电极41。在第三实施方式中，如图15例示的那样，在保护层52的表面形成有第一电极41，所述保护层52覆盖导电层32、配线层34和配线层36。第三实施方式的第一电极41由与导电层32的第二层l2同样的光反射性的第二导电材料形成，经由保护层52中形成的导通孔，导通于导电层32。

如图15例示的那样，第三实施方式的绝缘层50由绝缘层53、平坦化层54和绝缘层62构成。绝缘层53形成于保护层52的表面，覆盖第一电极41。在绝缘层50(绝缘层53及绝缘层56)形成开口58的构成、俯视下第一半导体层431及中间半导体层432的外周缘e3位于开口58的内周缘e1的外侧的构成是与第一实施方式相同。因此，在第三实施方式中，也可以实现与第一实施方式同样的效果。

<第四实施方式>

图16是例示出第四实施方式的光电转换装置100的构成的截面图。如从图16所理解的那样，在第四实施方式中，在平坦化层54的面上形成有光电转换元件14(第一电极41、光电转换层43、第二电极42)。

与第一实施方式同样地，第一电极41由光反射性的第二导电材料形成于平坦化层54的表面，经由形成在该平坦化层54的导通孔542，导通于导电层32。第一电极41和遮光层64例如通过对共同的导电膜进行图案化而一并形成。

形成第一电极41的平坦化层54的表面被绝缘层68覆盖。绝缘层68例如由氧化硅、氮化硅形成。在绝缘层68中与第一电极41重叠的区域形成有开口58，第一电极41的表面从开口58的内侧露出。另外，以俯视下重叠于开口58的方式形成光电转换层43的第一半导体层431及中间半导体层432。因此，第一半导体层431在开口58的内侧接触于第一电极41的表面。第一半导体层431的外周缘位于绝缘层68的开口58的内周缘的外侧。因此，在第四实施方式中，也可以实现与第一实施方式同样的效果。其他结构与第一实施方式相同。

此外，如第三实施方式及第四实施方式那样，在第一电极41经由形成在绝缘层(图15的保护层52或图16的平坦化层54)上的导通孔导通于导电层32的构成中，在导通孔的内壁面的面上导电膜变薄，可能会产生第一电极41和导电层32之间的导通不良(例如断线)。相对于第三实施方式、第四实施方式来说，在上述第一实施方式中，在导电层32的表面形成第一电极41，因此，无需经由绝缘层的导通孔使第一电极41和导电层32导通。因此，根据第一实施方式，与第三实施方式、第四实施方式相比较，有能够抑制第一电极41和导电层32之间的导通不良的优点。在将导电层32自身用作光电转换元件14的第一电极45的第二实施方式中，也与第一实施方式同样地，不需要经由导通孔的第一电极45和导电层32间的导通，因此，能够抑制第一电极45和导电层32之间的导通不良。

<变形例>

以上例示的各实施方式能得到多种变形。以下例示具体的变形方式。

(1)光电转换层43的构成不限于上述各方式的例示。例如，省略中间半导体层432，也能够用第一半导体层431和第二半导体层433的层叠(pn型二极管)形成光电转换层43。另外，也能够采用以黄铜矿型半导体形成光电转换层43的半导体层的构成。

(2)在上述的各方式中，虽然例示了拍摄生物体认证用的静脉图像的光电转换装置100(静脉传感器)，但本发明的用途是任意的。例如，静脉图像之外，包含指纹、虹膜的生物体信息的获取中也可以利用光电转换装置100。另外，例如，本发明还可适用于根据光电转换装置100所拍摄到的生物体的静脉图像推定血液中酒精浓度的酒精检测装置、根据光电转换装置100所拍摄到的生物体的静脉图像推定血糖值的血糖值推定装置等医疗设备。另外，也可在从印刷物读取图像的图像读取装置中适用本发明。此外，图像读取装置中适用本发明的情况下，可优选利用可见光作为摄像光。光电转换元件14的用途不限于拍摄。例如，在将太阳光转换并储存为电能的太阳能电池中，也能够利用上述各方式的光电转换元件14。