技术特征：
技术总结
一种制造半导体装置的方法，包含第一栅极结构设置于基板上。第一栅极结构包含第一栅电极、第一覆盖绝缘层设置于第一栅电极上，以及第一侧壁间隔物设置于第一栅电极和第一覆盖绝缘层的侧表面上。半导体装置还包含第一保护层形成于第一覆盖绝缘层和至少一个第一侧壁间隔物之上。第一保护层包含由氮氧化铝(AlON)，氮化铝(AlN)及非晶硅所组成的群组中选择其中至少一种。
技术研发人员：沈香谷;黄玉莲;黄彦傑;陈蕙祺;叶震亚
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.21
技术公布日：2017.09.12