技术总结
本发明公开了一种IGBT器件及其制备方法，其中，制备方法包括：步骤1，在IGBT器件主体完成正面工艺后，对所述IGBT器件主体的背面进行减薄操作；步骤2，对所述IGBT器件主体的背面体区生长外延化合物层；步骤3，在所述外延化合物层上生长硅层；步骤4，在所述硅层上进行背面金属层淀积并进行退火；步骤5，在所述背面金属层上依次淀积镍金属电极层、钛金属电极层和银金属电极层。所述IGBT器件及其制备方法，通过IGBT器件主体的背面体区生长外延化合物层，形成异质结，提高IGBT芯片的耐压，降低芯片厚度，并在关断过程中可以快速复合过剩载流子，从而提高器件的导通与关断性能。
技术研发人员：宁旭斌;肖强;罗海辉;谭灿健;黄建伟
受保护的技术使用者：株洲中车时代电气股份有限公司
文档号码：201611208008
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2017.05.31