技术总结
本发明提供了一种适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构，包括依次堆叠的碳化硅衬底层和第一半导体层，第一半导体层表面设有沟槽结构，沟槽侧壁与沟槽底部之间的夹角为90°～145°；沟槽结构上方覆盖有钝化层；沟槽结构下方设有结终端扩展结构，该结构设于第一半导体层内，且邻靠沟槽侧壁和沟槽底部，并包围沟槽结构；第一半导体层内还设有有源区，结终端扩展结构与有源区邻接。本发明提供的结构是在传统平面结终端扩展结构的基础上加入不同形貌的沟槽结构，改变了结终端扩展结构中的P‑N结结深及形貌，增大了结边缘曲率，缓解了结边缘的电场集中效应，从而提高结终端扩展结构在反向耐压时的可靠性。
技术研发人员：宋庆文;孙腾飞;元磊;汤晓燕;张艺蒙;张玉明
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201611224502
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.05.10