1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括肖特基二极管和沟槽MOSFET；
其中，所述沟槽MOSFET由下到上依次包括N+衬底、耐压漂移区、P型体区外延层和N+源区外延层，且每相邻两层之间均紧密接触；所述沟槽MOSFET的上端中间位置开设有栅区沟槽；所述沟槽MOSFET的上端边缘位置开设有肖特基沟槽；所述栅区沟槽和所述肖特基沟槽的底面均位于所述耐压漂移区的内部；所述肖特基沟槽的深度大于所述栅区沟槽的深度；
所述沟槽MOSFET还包括栅电极；所述栅电极固定设置在所述栅区沟槽中；所述栅区沟槽与所述栅电极之间存在栅氧化层；所述栅电极高出所述栅区沟槽的部分的外围设置有栅电极绝缘保护层；
所述肖特基二极管的下端通过所述肖特基沟槽与所述沟槽MOSFET的上端配合；
所述肖特基二极管与所述沟槽MOSFET的源极共用金属电极。
2.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述肖特基二极管包括中央沟槽和外凸起部；所述肖特基沟槽与所述外凸起部配合，所述中央沟槽与所述栅电极绝缘保护层配合。
3.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述P型体区外延层的厚度在0.1μm-1μm之间。
4.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述耐压漂移区的顶面上还设置有N1浓掺杂外延层；所述N1浓掺杂外延层位于所述耐压漂移区与所述P型体区外延层之间。
5.如权利要求4所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述栅区沟槽的底面位于所述N1浓掺杂外延层中。
6.如权利要求1-5任一项所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述栅氧化层的底面厚度大于所述栅氧化层的侧面厚度。
7.如权利要求1-5任一项所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述肖特基沟槽为环形结构件。
8.如权利要求1-5任一项所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述N+衬底的厚度在5μm-500μm之间。
9.如权利要求1-5任一项所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述N+源区外延层的厚度小于1μm。
10.如权利要求9所述的MOSFET器件，其特征在于，
所述N+源区外延层的厚度为0.5μm。