技术总结
本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种MOSFET器件。其包括肖特基二极管和沟槽MOSFET，沟槽MOSFET由下到上依次包括N+衬底、耐压漂移区、P型体区外延层和N+源区外延层；在沟槽MOSFET的上端开设有栅区沟槽和肖特基沟槽，且两者均位于耐压漂移区内，肖特基沟槽深于栅区沟槽；在栅区沟槽内固定设置有栅电极，栅电极与栅区沟槽间存在栅氧化层，栅电极的上半部分外围设置有栅电极绝缘保护层；肖特基二极管的下端与肖特基沟槽配合；肖特基二极管与沟槽MOSFET的源极公用金属电极。本实用新型提供的MOSFET器件，能够增强栅氧化层的可靠性，制造成本得以降低。
技术研发人员：左义忠;曹务臣;于博伟;贾国;迟永欣
受保护的技术使用者：吉林华微电子股份有限公司
文档号码：201620786973
技术研发日：2016.07.25
技术公布日：2016.12.28