用倒装芯片封装的三极管的制作方法

本实用新型涉及三极管技术领域，具体涉及用倒装芯片封装的三极管。

背景技术：

现有三极管所用的工艺都为芯片固晶、焊线工艺封装的三极管，缺点在于在三极管工作的时候，容易出现焊接线异常，导致三极管失效。固晶胶多为环氧树脂成分，导热率低。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单、设计合理、使用方便的用倒装芯片封装的三极管。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：它包含支架、集电区、基区、发射区、三极管倒装芯片、镀银层、银胶、引脚、封装外壳；所述的支架上有三个并列设置的功能区，分别为集电区、基区和发射区，集电区、基区和发射区上设置有镀银层，三极管倒装芯片通过银胶与镀银层连接，镀银层的一侧分别连接有三个引脚；所述的三极管倒装芯片和支架的外周设置有封装外壳。

作为优选，所述的镀银层的厚度为40-80um。

作为优选，所述的银胶的导热系数为0.8-1.5。

本实用新型操作时，三极管的外形尺寸为：长50-70mm，宽40-60mm，引脚的尺寸为：长5-7mm，宽2-4mm，选用银胶作为产品的固晶材料，将芯片倒装在支架的功能区上，产品压铸封装成三极管外形；选用银胶作为固晶材料，增加产品的导热率，将三极管在工作过程中所产生的热量迅速的散掉，即增加产品散热，又防止产品出现漏电现象，提高产品的使用寿命；固晶完后的产品，用回流焊固化，降低产品的制程时间；用倒装芯片封装，减少产品因为有焊接线存在而导致的产品容易失效问题，大大提升了产品的可靠性。

采用上述结构后，本实用新型产生的有益效果为：本实用新型所述的用倒装芯片封装的三极管，导热率大大提升，提高了三极管的散热效率，增加了三极管的使用寿命，本实用新型具有结构简单、设置合理、制作成本低等优点。

附图说明

图1是本实用新型的结构图；

图2是图1的俯视图。

附图标记说明：

支架1、集电区2、基区3、发射区4、三极管倒装芯片5、镀银层6、银胶7、引脚8、封装外壳9。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

参看如图1——图2所示，本具体实施方式采用如下技术方案：它包含支架1、集电区2、基区3、发射区4、三极管倒装芯片5、镀银层6、银胶7、引脚8、封装外壳9；所述的支架1上有三个并列设置的功能区，分别为集电区2、基区3和发射区4，集电区2、基区3和发射区4上设置有镀银层6，三极管倒装芯片5通过银胶7与镀银层6连接，镀银层6的一侧分别连接有三个引脚8；所述的三极管倒装芯片5和支架1的外周设置有封装外壳9。

作为优选，所述的镀银层6的厚度为40-80um。

作为优选，所述的银胶的导热系数为0.8-1.5。

本具体实施方式操作时，三极管的外形尺寸为：长50-70mm，宽40-60mm，引脚的尺寸为：长5-7mm，宽2-4mm，选用银胶作为产品的固晶材料，将芯片倒装在支架的功能区上，产品压铸封装成三极管外形；选用银胶作为固晶材料，增加产品的导热率，将三极管在工作过程中所产生的热量迅速的散掉，即增加产品散热，又防止产品出现漏电现象，提高产品的使用寿命；固晶完后的产品，用回流焊固化，降低产品的制程时间；用倒装芯片封装，减少产品因为有焊接线存在而导致的产品容易失效问题，大大提升了产品的可靠性。

采用上述结构后，本具体实施方式产生的有益效果为：本具体实施方式所述的用倒装芯片封装的三极管，导热率大大提升，提高了三极管的散热效率，增加了三极管的使用寿命，本具体实施方式具有结构简单、设置合理、制作成本低等优点。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征以及本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。