1.一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：包括氧化铝陶瓷本体（01），所述氧化铝陶瓷本体（01）下表面的两侧分别印刷背面电极（02），上表面的两侧分别印刷正面电极（03），且在两个正面电极（03）之间的氧化铝陶瓷本体（01）上面印刷电阻阻体（04），所述电阻阻体（04）的上表面设置有第一保护层（05），所述电阻阻体（04）上设置有镭切线（06），所述正面电极（03）上表面设置有抗硫化层（07），抗硫化层（07）用于保护正面电极（03）。
2.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：所述第一保护层（05）的上表面设置有第二保护层（08），所述第二保护层（08）的上表面设置有字码层（09），所述氧化铝陶瓷本体（01）的两端头侧面设置有侧面电极（10），侧面电极（10）使得正面电极（03）与背面电极（02）导通，且所述背面电极（02）、正面电极（03）和侧面电极（10）上镀有镍层（11），所述镍层（11）的外表面镀有锡层（12）。
3.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：所述的抗硫化层（07）与电阻阻体的两端连接，抗硫化层位于正面电极上表面。
4.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：所述正面电极（03）为银钯电极。
5.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：所述抗硫化层（07）为真空溅镀的镍铬合金。
6.根据权利要求2所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：所述镍层（11）的厚度为4~15μm。
7.根据权利要求2所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：所述锡层（12）的厚度为5~15μm。
8.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：所述电阻阻体的印刷面积为：0402规格0.20mm2，0603规格0.47mm2，0805规格1.26mm2，1206规格2.20mm2。