显示面板、电致发光器件及其制备方法与流程

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及该电致发光器件的制备方法和包括该电致发光器件的显示面板。

背景技术：

目前，有源矩阵有机发光二极体(AMOLED，Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，)显示技术与传统液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display，)显示技术相比具有自主发光的优势，将逐渐扩大在电子显示设备中的份额。AMOLED显示器与传统LCD显示器相比，具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸，因此正在得到智能设备如智能手机、手环和虚拟现实(VR，Virtual Reality)/增强现实(AR，Augmented Reality)等产品的大范围采用。

相关技术中，目前的AMOLED发光器件通常包含反射式电极，为避免环境光影响，需要贴圆偏光片和1/4波片，导致损失一半光效而增加了面板功耗，同时增加了制作成本及面板厚度。所以亟需新的器件结构提升和改善光效以降低面板功耗，同时降低成本并使AMOLED产品满足超薄、小型化的需求。

因此，有必要提供一种新的技术方案改善上述方案中存在的一个或者多个问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

本公开的目的在于提供一种电致发光器件及该电致发光器件的制备方法和包括该电致发光器件的显示面板，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种电致发光器件，包括依次叠设的第一透明电极层、电致发光层、沟道层、第二透明电极层、介电层、光吸收层以及第三透明电极层；其中，所述光吸收层能够被所述电致发光层出射的光激发产生光生载流子。

本公开的一种示例性实施例中，所述光吸收层为由量子点构成的量子点层。

本公开的一种示例性实施例中，所述电致发光层包括蓝色电致发光层，所述量子点层对应包括绿光量子点或黄光量子点；

及/或，所述电致发光层包括绿色电致发光层，所述量子点层对应包括黄光量子点或绿光量子点；

及/或；所述电致发光层包括红色电致发光层，所述量子点层对应包括近红外光量子点。

本公开的一种示例性实施例中，还包括：

空穴阻挡层，设置于所述量子点层与所述第三透明电极层之间。

本公开的一种示例性实施例中，所述第一透明电极层电连接第一电源的阳极，所述第三透明电极层电连接第二电源的阳极，所述第二透明电极层电连接所述第一电源的阴极和所述第二电源的阴极。

本公开的一种示例性实施例中，所述量子点层中的量子点的粒径为5～20nm，所述量子点层的厚度为5～500nm。

本公开的一种示例性实施例中，所述量子点层包括II-VI族元素核壳结构、III-V族元素核壳结构、过渡族金属掺杂纳米晶、稀土金属掺杂纳米晶或者铅基钙钛矿纳米晶中的一种或多种。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种电致发光器件的制备方法，所述方法包括：

形成依次叠设的第一透明电极层、电致发光层、沟道层、第二透明电极层、介电层、光吸收层以及第三透明电极层；

其中，所述光吸收层能够被所述电致发光层出射的光激发产生光生载流子。

本公开的一种示例性实施例中，所述光吸收层为由量子点形成的量子点层。

本公开的一种示例性实施例中，所述电致发光层包括蓝色电致发光层，所述量子点层对应包括绿光量子点或黄光量子点；

及/或，所述电致发光层包括绿色电致发光层，所述量子点层对应包括黄光量子点或绿光量子点；

及/或；所述电致发光层包括红色电致发光层，所述量子点层对应包括近红外光量子点。

本公开的一种示例性实施例中，所述量子点层中的量子点的粒径为5～20nm，所述量子点层的厚度为5～500nm。

本公开的一种示例性实施例中，所述量子点层包括II-VI族元素核壳结构、III-V族元素核壳结构、过渡族金属掺杂纳米晶、稀土金属掺杂纳米晶或者铅基钙钛矿纳米晶中的一种或多种。

根据本公开实施例的第三方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括上述任一实施例中所述的电致发光器件。

本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板包括依次叠设的透明基板、发光层以及封装层；

其中，所述发光层包括阵列设置的具有第一颜色电致发光层的所述电致发光器件、具有第二颜色电致发光层的所述电致发光器件以及具有第三颜色电致发光层的所述电致发光器件。

本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板包括依次叠设的透明基板、发光层、彩膜层以及封装层；

其中，所述发光层包括具有白色电致发光层的所述电致发光器件；所述彩膜层包括阵列设置的第一颜色滤光区、第二颜色滤光区以及第三颜色滤光区。

本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本公开的一种实施例中，通过上述显示面板、电致发光器件及其制备方法，通过在所述电致发光器件中设置光吸收层，该光吸收层包括能够被所述电致发光器件中的电致发光层出射的光激发产生光生载流子的半导体纳米材料。这样，一方面，该电致发光器件可以利用自身发光产生光生载流子并可以注入到电致发光层中以实现发光，从而可以降低面板的功耗；另一方面，该电致发光器件不需要贴圆偏光片和1/4波片，降低了成本并使显示面板等产品满足超薄、小型化的需求。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示意性示出本公开示例性实施例中电致发光器件结构示意图；

图2示意性示出本公开示例性实施例中另一电致发光器件结构示意图；

图3示意性示出本公开示例性实施例中又一电致发光器件结构示意图；

图4示意性示出本公开示例性实施例中电致发光器件的工作原理示意图；

图5示意性示出本公开示例性实施例中显示面板结构示意图；

图6示意性示出本公开示例性实施例中另一显示面板结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。

此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

本示例实施方式中首先提供了一种电致发光器件，参考图1中所示，该电致发光器件100可以包括依次叠设的第一透明电极层101、电致发光层102、沟道层103、第二透明电极层104、介电层105、光吸收层106以及第三透明电极层107；其中，所述光吸收层106包括能够被所述电致发光层102出射的光激发产生光生载流子的半导体纳米材料。

本示例实施方式中的电致发光器件，一方面可以利用自身发光产生光生载流子并可以注入到电致发光层102中以实现发光，从而可以降低面板的功耗。另一方面，该电致发光器件不需要贴圆偏光片和1/4波片，降低了成本并使显示面板等产品满足超薄、小型化的需求。下面对该电致发光器件100各部分进行更为详细的说明。

本示例实施方式中，所述第一透明电极层101可以是Drain透明电极层，即漏极电极层，该第一透明电极层101可以采用如氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO或者石墨烯Graphene以及与金属如Li，Al，Ag，Mg，Au，Mo，Cr，Ti，Cu等其中两种以上的合金而掺杂形成。该第一透明电极层101的厚度可以为10～2000nm。所述电致发光层102可以采用OLED(Organic Light-Emitting Diode)荧光或磷光发光材料，如精细有机材料DCM、绿光材料C-545MT、蓝光材料TBPSF等形成。示例性的，所述沟道层103可以采用足球烯C60等材料形成，该沟道层103的厚度可以是10～2000nm。所述第二透明电极层104可以是Source透明电极层，即源极电极层。该第二透明电极层104可以采用如ITO、IZO、Graphene等或其中两种以上复合形成，该第二透明电极层104的厚度可以是2～200nm。所述第二透明电极层104还可以为准连续结构或具有镂空结构。示例性的，所述镂空结构可以是近似圆形、方形或条形等阵列，或纳米线/管薄膜形成的多孔结构，镂空结构直径或长边为10nm～2000nm。所述介电层105可以采用如无机材料SiN_x、SiO_x或者氧化铪HfO₂等或其中两种以上复合形成，该介电层105的厚度可以是10～2000nm。所述第三透明电极层107可以是Gate透明电极层，即栅极电极层。该第三透明电极层107可以采用如ITO、IZO、Graphene等或其中两种以上复合形成，且该第三透明电极层107的厚度可以是1～100nm。

参考图2中所示，所述半导体纳米材料可以为量子点(Quantum Dot，QD)，所述光吸收层106为所述量子点构成的量子点层106’。量子点QD是可以把导带电子、价带空穴及激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子限域效应(Quantum Confinement Effect)特别显著。量子点又可称为纳米晶，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，因此受激后可以发射荧光。本示例实施方式中所述量子点层106’能够被所述电致发光层102出射的光激发载流子，如空穴和电子，光生的该空穴和电子可以注入到所述电致发光层102中以实现发光，从而可以降低面板的功耗。

在一示例性实施例中，所述量子点层106’中的量子点的粒径可以为5～20nm，例如5nm、10nm、15nm或者20nm等。所述量子点层106’的厚度可以为5～500nm，例如5nm、30nm、50nm、100nm、300nm、或者500nm等。本领域技术人员可以根据实际需要具体选择量子点的粒径或者量子点层106’的厚度，对此不作特殊限制。

在又一示例性实施例中，所述量子点层106’可以包括II-VI族元素核壳结构、III-V族元素核壳结构、过渡族金属掺杂纳米晶、稀土金属掺杂纳米晶或者铅基钙钛矿纳米晶中的一种或多种。核壳结构是由一种材料通过化学键或其他作用力将另一种材料包覆起来形成的有序组装结构。核壳微粒具有核壳结构。而核壳微粒是由一种纳米材料通过化学键或其他作用力将另一种纳米材料包覆起来形成的纳米尺度的有序组装结构。其中包覆技术通过对内核微粒表面性质进行剪裁，改变内核表面电荷、官能团和反应特性，进而提高内核的稳定性与分散性，且通过掺杂、表面等离子体共振等技术可增强核壳微粒的发光。因此本示例性实施例中，该量子点层106’中的量子点可以采用II-VI族或III-V族元素核壳结构，或者所述量子点层106’也可以采用过渡族金属或稀土金属掺杂纳米晶而形成膜层，如Cu等过渡族金属掺杂纳米晶，或者如Ce等稀土金属掺杂纳米晶，或者所述量子点层106’也可以采用铅基钙钛矿纳米晶形成膜层，当然也可以采用其他过渡族金属或稀土金属进行掺杂，本示例实施方式中对此不作限制。通过上述具有微观结构和相应材料掺杂形成的量子点层106’，可以提高该量子点层106’的稳定性，增强发光以产生更多的光生载流子，进而使得该电致发光器件可以进一步降低面板的功耗。

为了使所述量子点层106’能够更为有效地被所述电致发光层102出射的光激发产生载流子。在一示例性实施例中，所述电致发光层102可以包括蓝色电致发光层，所述量子点层106’对应包括绿光量子点或黄光量子点；及/或，所述电致发光层102可以包括绿色电致发光层，所述量子点层106’对应包括黄光量子点或绿光量子点；及/或；所述电致发光层102可以包括红色电致发光层，所述量子点层106’对应包括近红外光量子点。

也就是说，所述量子点层106’中可以单独设置对应蓝色电致发光层的量子点，如绿(G)或黄(Y)QD，也可以单独设置对应绿色电致发光层的量子点，如黄(Y)或红(R)QD，或者可以单独设置对应红色电致发光层的量子点，如近红外光QD。当然也可以是同时设置以上3种量子点中任意两种或三种组合的混合量子点。这样，通过在所述量子点层106’中设置与所述电致发光层102中的蓝色、绿色和红色发光层分别对应的不同量子点，使得所述量子点层106’能够与白色发光谱匹配并吸收所述电致发光层102的发光，使得量子点更容易被激发，从而可以使所述量子点层106’能够更为有效地被所述电致发光层102出射的光激发产生载流子。

参考图2中所示，在一示例性实施例中，所述电致发光器件100还可以包括空穴阻挡层108，该空穴阻挡层108设置于所述量子点层106’与所述第三透明电极层107之间。示例性的，所述空穴阻挡层108可以采用如氧化锌ZnO、二氧化钛TiO₂、氧化锡SnO₂等材料形成，所述空穴阻挡层108的厚度可以是10～200nm。该空穴阻挡层108起到阻挡空穴的作用，以使所述量子点层106’产生的空穴位于该空穴阻挡层108而不进入所述第三电极层107，这样以便于在所述介电层105一侧产生更多电子，进而可以在一定程度上提高发光效率，且进一步降低面板功耗。

参考图2中所示，在一示例性实施例中，所述电致发光器件100还可以包括空穴注入层109和空穴传输层110。其中，所述空穴注入层109设置于所述第一透明电极层101与所述电致发光层102之间。示例性的，该空穴注入层109可以采用如LG101、氧化钼MoO_x、C60等或其中两种复合形成，该空穴注入层109的厚度可以是1～200nm。所述空穴传输层110设置于所述空穴注入层109与所述电致发光层102之间。示例性的，所述空穴传输层110可以采用如聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)TFB、聚(9-乙烯基咔唑)PVK、N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺NPB、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯CBP、酞菁铜CuPc等材料或其中两种材料复合形成，该空穴传输层110的厚度可以是1～200nm。该空穴注入层109和空穴传输层110便于所述第一电极层101产生的空穴有效传输并注入所述电致发光层102，可以在一定程度上提高发光效率。

参考图2中所示，在一示例性实施例中，所述电致发光器件100还可以包括电子传输层111，该电子传输层111设置于所述沟道层103和所述电致发光层102之间。示例性的，该电子传输层111可以采用如三(8-羟基喹啉铝)Alq3、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯TPBi等或其中两种复合形成，且该电子传输层111的厚度可以是1～200nm。该电子传输层111可以便于所述第二电极层104产生的电子，以及与所述第二电极层104紧挨的所述介电层105一侧的电子传输至所述电致发光层102，提高发光效率。其中，所述介电层105一侧的电子由所述所述介电层105另一侧的量子点层106’被光激发所产生的空穴而感应产生。

示例性的，可以通过印刷、转印、蒸镀(如真空蒸镀或电子束蒸镀)、磁控溅射和原子层沉积中的一种或多种成熟工艺形成上述如图1或图2所示的电致发光器件100中的各个层。

参考图2中所示，在一示例性实施例中，所述第一透明电极层101电连接第一电源120的阳极，所述第三透明电极层107电连接第二电源130的阳极，所述第二透明电极层104电连接所述第一电源120的阴极和所述第二电源130的阴极。

举例来说，所述第一透明电极层101可以是Drain透明电极层，即漏极电极层，简称漏极D。所述第二透明电极层104可以是Source透明电极层，即源极电极层，简称源极S。所述第三透明电极层107可以是Gate透明电极层，即栅极电极层，简称栅极G。那么在本示例中，该电致发光器件的漏极D电连接第一电源120的阳极，源极S电连接第二电源130的阳极，而栅极G电连接所述第一电源120的阴极和所述第二电源130的阴极。在所述栅极G和源极S之间的电压(对应第二电源130电压)，即V_GS正向偏压为如0～20V下，所述量子点层106’被光激发产生的空穴在该量子点层106’/介电层105的界面积累，相应地在介电层105/第二透明电极层104/沟道层103的界面积累了对应的电子，经该沟道层103收集并可以通过电子传输层111注入所述电致发光层102中。所述电致发光层102例如可以是OLED有机发光层或QLED量子点发光层等。这样，通过将所述量子点层106’被光激发而最终形成的电子注入所述电致发光层102，可降低V_GS电压即通过所述量子点层106’吸收该电致发光器件自身的发光来降低面板功耗。

参考图3中所示，图3示例性示出一电致发光器件结构示意图。该电致发光器件可以包括由下往上依次叠设的以下各层：Gate透明电极、空穴阻挡层HBL(Hole Blocking Layer)、量子点层QDs、介电层Directive、Source透明电极、垂直沟道层Channel、电子传输层ETL(Electron-Transporting Layer)、发光层EML(Emissive Layer)、空穴传输层HTL(Hole-Transporting Layer)、空穴注入层HIL(Hole-Injection Layer)和Drain透明电极。

其中，源极S、栅极G和漏极D这三个电极均为透明电极，Drian透明电极可以认为是OLED阳极，Source透明电极可以认为是OLED阴极。本示例的电致发光器件中，在Source透明电极和Gate透明电极中间设置介电层Directive，在介电层Directive和Gate透明电极中间设置量子点层即QDs层作为光探测层，QDs层的材料与例如OLED发光层EML的发光颜色对应。例如，EML中的蓝色发光层对应G或Y QD，绿色发光层对应Y或R QD，红色发光层对应近红外QD。因此该量子点层可以吸收到OLED EML自身发光，并产生光生电子和空穴，即光电流。另外，在Gate透明电极和QDs层之间设置空穴阻挡层HBL。在V_GS正向偏压如0～20V下，光生空穴在QDs/Dielectric层界面积累，相应地在Dielectric/Source/Channel界面积累了电子，经垂直沟道层Channel收集并注入发光层EML，可降低V_GS电压，即可通过量子点吸收电致发光器件自身的发光来降低面板功耗。

本示例的电致发光器件中，主要可通过量子点层QDs吸收自身发光层EML的发光，产生光生载流子经增益和放大后注入到该电致发光器件中。

参考图4中所示，该电致发光器件的工作原理具体如下：

一、探测单元(QDs/HBL)

量子点层QDs中的量子点吸收发光层EML的发光，产生光生电荷分离，电子回到Gate透明阳极，空穴在QDs/Channel界面积累。

二、增益单元(Gate-HBL-QDs-Dielectric-Source-Channel)

在电压V_GS下，介电层Directive一侧与所述光生的空穴相对应的电子在Directive/Source/Channel的界面积累，即电子增益，导致垂直沟道层Channel的能带弯曲及变薄，电子隧穿入垂直沟道层Channel，经收集存储后注入到电致发光器件的发光层EML。

三、发光单元(ETL-EML-HTL-HIL-Drain)

在V_DS电压下，Drain透明电极产生的空穴被注入到EML层与上述电子复合发光，向上的发光用于如显示面板的显示，向下的发光用来激发量子点层QDs以产生光生载流子。

本示例实施方式中还提供了一种电致发光器件的制备方法，所述方法可以包括以下步骤：形成依次叠设的第一透明电极层、电致发光层、沟道层、第二透明电极层、介电层、光吸收层以及第三透明电极层；其中，所述光吸收层包括能够被所述有机发光层出射的光激发载流子的半导体纳米材料。

通过上述制备方法制备的电致发光器件，一方面，制备的该电致发光器件可以利用自身发光产生光生载流子并可以注入到电致发光层中以实现发光，从而可以降低面板的功耗；另一方面，该电致发光器件不需要贴圆偏光片和1/4波片，降低了成本并使显示面板等产品满足超薄、小型化的需求。

下面，对本示例实施方式中的上述制备方法进行更详细的说明。

如图1所示，上述制备方法制成的示例性的电致发光器件100可以包括依次叠设的第一透明电极层101、电致发光层102、沟道层103、第二透明电极层104、介电层105、光吸收层106以及第三透明电极层107；其中，所述光吸收层106包括能够被所述电致发光层102出射的光激发载流子的半导体纳米材料。

示例性的，所述第一透明电极层101可以是Drain透明电极层，即漏极电极层，该第一透明电极层101可以采用如氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO或者石墨烯Graphene以及与金属如Li，Al，Ag，Mg，Au，Mo，Cr，Ti，Cu等其中两种以上的合金而掺杂形成。该第一透明电极层101的厚度可以为10～2000nm。所述电致发光层102可以采用OLED(Organic Light-Emitting Diode)荧光或磷光发光材料，如红光材料DCM、绿光材料C-545MT、蓝光材料TBPSF等形成。示例性的，所述沟道层103可以采用足球烯C₆₀等材料形成，该沟道层103的厚度可以是10～2000nm。所述第二透明电极层104可以是Source透明电极层，即源极电极层。该第二透明电极层104可以采用如ITO、IZO、Graphene等或其中两种以上复合形成，该第二透明电极层104的厚度可以是2～200nm。所述第二透明电极层104还可以为准连续结构或具有镂空结构。示例性的，所述镂空结构可以是近似圆形、方形或条形等图案的阵列，或纳米线/管薄膜形成的多孔结构，镂空结构直径或长边为10nm～2000nm。所述介电层105可以采用如无机材料SiN_x、SiO_x或者氧化铪HfO₂等或其中两种以上复合形成，该介电层105的厚度可以是10～2000nm。所述第三透明电极层107可以是Gate透明电极层，即栅极电极层。该第三透明电极层107可以采用如ITO、IZO、Graphene等或其中两种以上复合形成，且该第三透明电极层107的厚度可以是1～100nm。

参考图2中所示，所述半导体纳米材料可以为量子点(Quantum Dot，QD)，所述光吸收层106为所述量子点形成的量子点层106’。量子点QD是把导带电子、价带空穴及激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子限域效应(Quantum Confinement Effect)特别显著。量子点又可称为纳米晶，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，因此受激后可以发射荧光。本示例实施方式中形成的所述量子点层106’能够被所述电致发光层102出射的光激发载流子，如空穴和电子，光生的该空穴和电子可以注入到所述电致发光层102中以实现发光，从而可以降低面板的功耗。

在一示例性实施例中，形成的所述量子点层106’中的量子点的粒径可以为5～20nm，例如5nm、10nm、15nm或者20nm等。形成的所述量子点层106’的厚度可以为5～100nm，例如5nm、30nm、50nm、100nm、300nm或者500nm等。本领域技术人员可以根据实际需要具体选择量子点的粒径或者量子点层106’的厚度，对此不作特殊限制。

在又一示例性实施例中，形成的所述量子点层106’可以包括II-VI族元素核壳结构、III-V族元素核壳结构、过渡族金属掺杂纳米晶、稀土金属掺杂纳米晶或者铅基钙钛矿纳米晶中的一种或多种。核壳结构是由一种材料通过化学键或其他作用力将另一种材料包覆起来形成的有序组装结构。核壳微粒具有核壳结构。而核壳微粒是由一种纳米材料通过化学键或其他作用力将另一种纳米材料包覆起来形成的纳米尺度的有序组装结构。其中包覆技术通过对内核微粒表面性质进行剪裁，改变内核表面电荷、官能团和反应特性，进而提高内核的稳定性与分散性，且通过掺杂、表面等离子体共振等技术可增强核壳微粒的发光。因此本示例性实施例中，该量子点层106’中的量子点可以采用II-VI族或III-V族元素核壳结构，或者，所述量子点层106’也可以采用过渡族金属或稀土金属掺杂纳米晶而形成膜层，如Cu等过渡族金属掺杂纳米晶，或者如Ce等稀土金属掺杂纳米晶，或者，所述量子点层106’也可以采用铅基钙钛矿纳米晶形成膜层，当然也可以采用其他过渡族金属或稀土金属进行掺杂，对此不作限制。通过上述具有微观结构和相应材料掺杂形成的量子点层106’，可以提高该量子点层106’的稳定性，增强发光以产生更多的光生载流子，进而使得该电致发光器件可以进一步降低面板的功耗。

为了使所述量子点层106’能够更为有效地被所述电致发光层102出射的光激发产生载流子。在一示例性实施例中，形成的所述电致发光层102可以包括蓝色电致发光层，所述量子点层106’对应包括绿光量子点或黄光量子点；及/或，所述电致发光层102可以包括绿色电致发光层，所述量子点层106’对应包括黄光量子点或绿光量子点；及/或；所述电致发光层102可以包括红色电致发光层，所述量子点层106’对应包括近红外光量子点。也就是说，所述量子点层106’中可以单独设置对应蓝色电致发光层的量子点，如绿(G)或黄(Y)QD，也可以单独设置对应绿色电致发光层的量子点，如黄(Y)或红(R)QD，或者可以单独设置对应红色电致发光层的量子点，如近红外光QD。当然也可以是同时设置以上3种量子点中任意两种或三种组合的混合量子点。这样，通过在所述量子点层106’中设置与所述电致发光层102中的蓝色、绿色和红色发光层分别对应的不同量子点，使得所述量子点层106’能够与白色发光谱匹配并吸收所述电致发光层102的发光，使得量子点更容易被激发，从而可以使所述量子点层106’能够更为有效地被所述电致发光层102出射的光激发产生载流子。

参考图2中所示，上述制备方法制成的示例性的电致发光器件100还可以包括空穴阻挡层108，该空穴阻挡层108设置于所述量子点层106’与所述第三透明电极层107之间。示例性的，所述空穴阻挡层108可以采用如氧化锌ZnO、二氧化钛TiO₂、氧化锡SnO₂等材料形成，所述空穴阻挡层108的厚度可以是10～200nm。该空穴阻挡层108起到阻挡空穴的作用，以使所述量子点层106’产生的空穴位于该空穴阻挡层108而不进入所述第三电极层107，这样以便于在所述介电层105一侧产生更多电子，进而可以在一定程度上提高发光效率，且进一步降低面板功耗。

参考图2中所示，上述制备方法制成的示例性的电致发光器件100还可以包括空穴注入层109和空穴传输层110。其中，所述空穴注入层109设置于所述第一透明电极层101与所述电致发光层102之间。示例性的，该空穴注入层109可以采用如LG101、氧化钼MoO_x、C₆₀等或其中两种复合形成，该空穴注入层109的厚度可以是1～200nm。所述空穴传输层110设置于所述空穴注入层109与所述电致发光层102之间。示例性的，所述空穴传输层110可以采用如聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)TFB、聚(9-乙烯基咔唑)PVK、N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺NPB、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯CBP、酞菁铜CuPc等材料或其中两种材料复合形成，该空穴传输层110的厚度可以是1～200nm。该空穴注入层109和空穴传输层110便于所述第一电极层101产生的空穴有效传输并注入所述电致发光层102，可以在一定程度上提高发光效率。

参考图2中所示，上述制备方法制成的示例性的电致发光器件100还可以包括电子传输层111，该电子传输层111设置于所述沟道层103和所述电致发光层102之间。示例性的，该电子传输层111可以采用如三(8-羟基喹啉铝)Alq₃、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯TPBi等或其中两种复合形成，且该电子传输层111的厚度可以是1～200nm。该电子传输层111可以便于所述第二电极层104产生的电子，以及与所述第二电极层104紧挨的所述介电层105一侧的电子传输至所述电致发光层102，提高发光效率。其中，所述介电层105一侧的电子由所述所述介电层105另一侧的量子点层106’被光激发所产生的空穴而感应产生。

示例性的，上述制备方法中可以通过印刷、转印、蒸镀(如真空蒸镀、或电子束蒸镀)、磁控溅射、原子层沉积中的一种或多种成熟工艺形成所述第一透明电极层101、空穴注入层109、空穴传输层110、有机发光层102、电子传输层111、沟道层103、第二透明电极层104、介电层105、量子点层106’、空穴阻挡层108和第三透明电极层107。关于上述各个工艺的具体内容可参考现有技术，此处不再赘述。

参考图2中所示，在一示例性实施例中，上述制备方法中形成的所述第一透明电极层101电连接第一电源120的阳极，形成的所述第三透明电极层107电连接第二电源130的阳极，形成的所述第二透明电极层104电连接所述第一电源120的阴极和所述第二电源130的阴极。

示例性的，所述第一透明电极层101可以是Drain透明电极层，即漏极电极层，简称漏极D。所述第二透明电极层104可以是Source透明电极层，即源极电极层，简称源极S。所述第三透明电极层107可以是Gate透明电极层，即栅极电极层，简称栅极G。那么在本示例中，该电致发光器件的漏极D电连接第一电源120的阳极，源极S电连接第二电源130的阳极，而栅极G电连接所述第一电源120的阴极和所述第二电源130的阴极。在所述栅极G和源极S之间的电压(对应第二电源130电压)，即V_GS正向偏压为如0～20V下，所述量子点层106’被光激发产生的空穴在该量子点层106’/介电层105的界面积累，相应地在介电层105/第二透明电极层104/沟道层103的界面积累了对应的电子，经该沟道层103收集并可以通过电子传输层111注入所述电致发光层102中。所述电致发光层102例如可以是OLED有机发光层。这样，通过将所述量子点层106’被光激发而最终形成的电子注入所述电致发光层102，可降低V_GS电压即通过所述量子点层106’吸收该电致发光器件自身的发光来降低面板功耗。

进一步的，本示例实施方式中，还提供了一种显示面板，该显示面板可以包括上述如图1或图2任一实施例中所述的电致发光器件100。下面对该显示面板作出示例性说明。

参考图5中所示显示面板，所述显示面板可以包括依次叠设的透明基板501、发光层502以及封装层503。其中：

所述发光层502可以包括阵列设置的具有第一颜色(如红色R)电致发光层的所述电致发光器件、具有第二颜色(如绿色G)电致发光层的所述电致发光器件以及具有第三颜色(如蓝色B)电致发光层的所述电致发光器件。示例性的，所述发光层502可以包括单独的R、G、B三色发光层，所述封装层503为透明封装层。所述电致发光器件的具体描述可参考前述实施例中的详细描述，此处不再赘述。

示例性的，结合图2所示，所述显示面板500中的电致发光器件中的量子点层106’中设置与所述电致发光层102中的蓝色、绿色和红色发光层分别对应的不同量子点，使得所述量子点层106’更容易被激发，从而可以使所述量子点层106’能够更为有效地被所述电致发光层102出射的光激发产生载流子。因此，该显示面板中的电致发光器件可以利用自身发光产生光生载流子并可以注入到自身的电致发光层中以实现发光，从而可以降低面板的功耗。另外，由于不需要贴圆偏光片和1/4波片，降低了成本并使显示面板等产品满足超薄、小型化的需求。

参考图6中所示显示面板，所述显示面板可以包括依次叠设的透明基板601、发光层602、彩膜层603以及封装层604。其中：

所述发光层602可以包括具有白色电致发光层的所述电致发光器件；所述彩膜层603可以包括阵列设置的第一颜色(如红色R)滤光区、第二颜色(如绿色G)滤光区以及第三颜色(如蓝色B)滤光区。所述封装层604为透明封装层。所述电致发光器件的具体描述可参考前述实施例中的详细描述，此处不再赘述。

该显示面板600中，所述发光层602包括具有白色电致发光层的所述电致发光器件，而彩膜层603包括R、G、B三色滤光区，通过彩膜层603可以将所述发光层602中的所述电致发光器件发出的白色光分别过滤形成R、G、B三色光从所述封装层604出射。该发光层602中的所述电致发光器件中的量子点层能够与白色发光谱匹配，并吸收自身发光产生光生载流子。因此，该显示面板中的电致发光器件可以利用自身发光产生光生载流子并可以注入到自身的电致发光层中以实现发光，从而可以降低面板的功耗。另外，由于不需要贴圆偏光片和1/4波片，降低了成本并使显示面板等产品满足超薄、小型化的需求。

上述所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中，如有可能，各实施例中所讨论的特征是可互换的。在上面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本发明的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明的各方面。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“前”“后”等也具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

本说明书中，用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。