技术总结
本发明公开了基于高k栅介质的大面积二硫化钼场效应晶体管及其制备，该场效应晶体管包括依次层叠的Si衬底、薄膜表面粗糙度为0.21～0.65nm的HfO2栅介质层和场效应厚度为0.7～1.0nm的单层二硫化钼三角片导电沟道，以及在导电沟道上的金属源漏电极。其中，厚度可控的HfO2栅介质层是在Si衬底上ALD生长制得，单层大面积的MoS2三角片导电沟道是在栅介质上面直接CVD生长制得。该场效应晶体管具有良好的背栅栅压调控特性，场效应迁移率有很大的提升，且MoS2尺寸大、可重复性好、产量高、耗时短，有望实现MoS2大规模集成电路的制备和工业化生产。
技术研发人员：张礼杰;赵梅;董幼青;邹超;黄少铭
受保护的技术使用者：温州大学
文档号码：201710229913
技术研发日：2017.04.10
技术公布日：2017.06.30