本发明涉及tft制造技术领域，特别是涉及过孔逆角检测方法和装置。
背景技术：
在tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)array(阵列)的生产过程中，需要对金属层上的sin(氮化硅)层进行蚀刻，在sin层上形成过孔，使得过孔对应的金属层裸露。在过孔刻蚀中，如果出现逆角，表明sin层与金属层生长的界面已被刻蚀，可推断过孔内侧边缘附近的金属已大部分被刻蚀。这样制备的tft-array存在缺陷，如果投入至后续阶段的生产工艺中，将会产生不良品。而目前缺乏有效对过孔的逆角的检测方法，导致tft-array不能及时返修，造成不良率较高，从而造成生产成本较高。
技术实现要素：
基于此，有必要提供一种过孔逆角检测方法和装置。
一种过孔逆角检测方法，包括：
采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；
解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；
检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值；
当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
在其中一个实施例中，所述当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角的步骤包括：
当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值；
当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。
在其中一个实施例中，所述检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值的步骤包括：
检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于第二预设阈值。
在其中一个实施例中，所述当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，判定所述过孔存在逆角的步骤包括：
当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，根据所述过孔内的灰度值的波动获取所述过孔内的灰度值曲线，检测所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量；
当所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。
在其中一个实施例中，所述检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值的步骤包括：
检测所述过孔外的灰度值的平均值与所述过孔内的灰度值的平均值之差是否小于第一预设阈值。
在其中一个实施例中，所述检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值的步骤包括：
检测所述过孔外的灰度值的最大值与所述过孔内的灰度值的最大值之差是否小于第一预设阈值。
在其中一个实施例中，所述采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像的步骤包括：
采用金相显微镜由垂直于所述tft阵列基板的方向对所述tft阵列基板进行拍摄，获取所述过孔图像。
一种过孔逆角检测装置，包括：
过孔图像获取模块，用于采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；
灰度值获取模块，用于解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；
检测模块，用于检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值；
判定模块，用于当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
在其中一个实施例中，所述判定模块包括：
波动检测单元，用于当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值；
判定单元，用于当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。
在其中一个实施例中，所述判定单元包括：
灰度值曲线检测子单元，用于当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，根据所述过孔内的灰度值的波动获取所述过孔内的灰度值曲线，检测所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量；
判定子单元，用于当所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。
上述过孔逆角检测方法和装置，通过金相显微镜获取tft阵列基板的过孔图像，检测过孔外的灰度值与过孔内的灰度值的差值，当过孔内侧边缘的金属层被刻蚀，使得射向过孔内的光线产生漫反射，使得过孔内的灰度值与过孔外的灰度值之间的差值较小，从而判定存在逆角，通过上述过程实现快速高效地对过孔的逆角的判定，能够有效检测出存在逆角不良的tft阵列基板，避免tft阵列基板不良品进入后续工序进行加工，避免了后期加工的废操作，使得生产成本较低。
附图说明
图1为一个实施例的过孔逆角检测方法的流程示意图；
图2为另一个实施例的过孔逆角检测方法的部分流程示意图；
图3为另一个实施例的过孔逆角检测方法的部分流程示意图；
图4为一个实施例的过孔逆角检测装置的结构框图；
图5为一个实施例的判定模块的结构框图；
图6为一个实施例的判定单元的结构框图；
图7为一个实施例的计算机结构框图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
例如，一种过孔逆角检测方法，包括：采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值；当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
上述实施例中，通过金相显微镜获取tft阵列基板的过孔图像，检测过孔外的灰度值与过孔内的灰度值的差值，当过孔内侧边缘的金属层被刻蚀，使得射向过孔内的光线产生漫反射，使得过孔内的灰度值与过孔外的灰度值之间的差值较小，从而判定存在逆角，通过上述过程实现快速高效地对过孔的逆角的判定，能够有效检测出不良品的tft阵列基板，避免不良品的tft阵列基板进入后续工序进行加工，使得生产成本较低。
在一个实施例中，提供一种过孔逆角检测方法，如图1所示，包括：
步骤120，采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像。
本实施例中，tft阵列基板为处于tft-array段的tft基板，该tft基板为经过了过孔蚀刻工艺的tft基板。
具体地，金相显微镜作为光学显微镜与计算机进行连接，对光学显微镜获取的图像进行光电转换，将图像传送至计算机，不仅可以在显微镜的目镜上作显微观察，还能在计算机的显示屏幕上观察实时动态图像，从而使得计算机通过图像的解析判断即可实现对tft阵列基板的检测。
例如，通过金相显微镜对tft阵列基板进行放大观测，并对放大后的图像进行拍摄，获取过孔图像，例如，获取静态的过孔图像，例如，获取动态的过孔图像。例如，通过金相显微镜对tft阵列基板进行局部放大，获取过孔图像，例如，获取tft阵列基板上局部位置上的过孔图像，例如，获取tft阵列基板上一个过孔的过孔图像，例如，获取tft阵列基板上至少一个过孔的过孔图像。具体地，该过孔图像为tft阵列基板上包含过孔以及过孔外侧的图像，应该理解的是，显微镜的成像原理是被观测物反射的光线被显微镜所接收，因此，过孔图像反映了该过孔图像反映了tft阵列基板上过孔内以及过孔外的光反射的情况。
步骤140，解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值。
本步骤中，对过孔图像进行解析，获取过孔图像中的过孔外的灰度值和过孔内的灰度值，即获取过孔外侧部分的tft阵列基板的灰度值和过孔内侧部分的灰度值。
在本实施例中，该灰度值用于反映tft阵列基板的光反射情况，具体地，灰度值至用于反映tft阵列基板表面的亮度，或者说，用于反映tft阵列基板表面的黑色的程度，应该理解的是，tft阵列基板表面的亮度越高，则其灰度值越低，tft阵列基板表面的亮度越低，则其灰度值越高。当灰度值为0％时，则其表面呈现白色，当灰度值为100％时，则其表面呈现黑色。
应该理解的是，各实施例中，灰度值可以是0～100％范围内的值，为便于计算，也可以是与0～100％范围的值一一对应的值。
一般地，当物体表面产生镜面反射时，反射的光能够被集中接收观测，这样，物体表面呈现的亮度越高，则其对应的灰度值越低，当物体表面产生漫反射时，反射的光方向较为不规律，这样，反射的光不能改被集中接收观测，物体表面呈现的亮度越低，则其对应的灰度值越高。也就是说，tft阵列基板表面的镜面反射率越高，tft阵列基板表面呈现的亮度越高，则其对应的灰度值越低，tft阵列基板表面的漫反射率越高，tft阵列基板表面呈现的亮度越低，则其对应的灰度值越高。由于过孔内是经过刻蚀sin层后裸露的金属层，而过孔外为sin层，因此，过孔内和过孔外具有不同的灰度值，并且可以通过解析过孔图像可以获得。
步骤160，检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值。
具体地，本步骤中，将过孔外的灰度值与过孔内的灰度值进行对比，对比两者之差是否小于第一预设阈值，例如，将过孔外的灰度值减去过孔内的灰度值，获得过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差，检测过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值。
步骤180，当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
具体地，tft阵列基板表面进行了过孔的刻蚀，经过刻蚀后，过孔内的金属层将裸露，金属具有较好的反光特性，一般来说，金属层的表面较为平滑的情况下，将产生镜面反射，其表面亮度值较高，则灰度值较低，而sin层则具有较差的反光特性，容易产生漫反射，其表面亮度值较低，则灰度值较高。
也就是说，在金属层未被刻蚀或者刻蚀量较小的情况下，过孔内的金属层应该具有较高的亮度，也就是较低的灰度值，这样，过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差较大；而如果过孔存在逆角，过孔内侧边缘附近的金属已大部分被刻蚀，这样，导致金属层表面较为不平坦，这部分的金属层的镜面反射率较低，主要为漫反射，也就是漫反射率较高，则这部分金属层的亮度值较低，灰度值较高，这样，过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差较小。
因此，本步骤中，通过对比过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值，即可判断过孔内的金属层是否存在大面积被刻蚀的情况，从而检测出过孔是否存在逆角。例如，当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，则过孔内的金属层存在大面积被刻蚀，则判定过孔存在逆角；当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差大于或等于所述第一预设阈值时，则过孔内的金属层未被刻蚀，则判定过孔不存在逆角。例如，判定过孔不存在逆角之后还包括步骤，输出判定过孔不存在逆角。
例如，第一预设阈值为50，例如，检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于50，当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于50时，判定过孔存在逆角。
通过上述检测过程实现了快速高效地对过孔的逆角的判定，能够有效检测出不良品的tft阵列基板，避免不良品的tft阵列基板进入后续工序进行加工，使得生产成本较低，并且有效降低产品的不良率。
应该理解的是，该第一预设阈值根据tft阵列基板的制备工艺、以及过孔刻蚀工艺进行设定，也就是说，不同工艺下的tft阵列基板对应的第一预设阈值不同，这样，能够进一步提高检测效率，并且能够提高检测精度。比如，对制备工艺较高以及质量要求较高的tft阵列基板，该第一预设阈值设定为较大，这样，过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差较大，在过孔内的金属层镜面反射率较高的情况下，才能够判定为不存在逆角，使得检测精度提高，例如，对检测效率要求较高的tft阵列基板，该第一预设阈值设定为较小，过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差较小，在过孔内的金属层镜面反射率不太高的情况下，同样能够判定为不存在逆角，这样，能够提高检测效率。
在一个实施例中，如图2所示，步骤180包括：
步骤182，当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值。
步骤184，当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。
本步骤中，为了进一步检测过孔内的金属层是否被刻蚀，从而提高对逆角的检测精度，在对过孔外的灰度值与过孔内的灰度值进行对比后，还进行过孔内的灰度值的波动的检测，具体地，对于过孔内的金属层，其表面可能存在不一致的情况，即部分被刻蚀，而部分未被刻蚀，同一个过孔内的金属层，也存在不同的漫反射率，而为了检测过孔内金属层被刻蚀的情况，本实施例中，对过孔内的灰度值的波动进行检测。
具体地，当过孔内部分金属层刻蚀情况严重，则其漫反射率较高，亮度较低，灰度值较高，而过孔内部分金属层未被刻蚀，则这部分的金属层的以镜面反射为主，或者说镜面反射率较高，亮度较高，灰度值较低，这样，通过两者的灰度值比较，从而获得过孔内的灰度值的波动，进而判定过孔内是否存在金属层刻蚀情况严重或者刻蚀面积较大，引起逆角的情况，从而精确判定过孔是否存在逆角。当过孔内的灰度值的波动较大，并且大于第二预设阈值时，表明过孔内的部分金属层被刻蚀严重，导致过孔内的灰度值波动较大，因此，判定过孔存在逆角。
为了获取过孔内不同位置上的灰度值，例如，步骤140包括解析所述过孔图像，获取过孔外的若干个灰度值以及过孔内的若干个灰度值，例如，获取过孔外若干个位置的灰度值，以及获取过孔内若干个位置的灰度值。这样，可以获得过孔内的若干个灰度值，进而对过孔内的多个灰度值进行波动检测判定。
在一个实施例中，所述检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值的步骤包括：检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于第二预设阈值。
本实施例中，为了检测过孔内的灰度值的波动，通过对过孔内的灰度值的最大值与最小值进行对比，检测两者之差是否大于第二预设阈值，当两者之差大于第二预设阈值，表明过孔内的灰度值波动较大，则可以判定过孔存在逆角。
例如，检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于第二预设阈值，当所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差大于第二预设阈值，判定过孔存在逆角；例如，检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于第二预设阈值，当所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差小于或等于第二预设阈值，判定过孔不存在逆角，具体地，当灰度值的最大值与最小值的差值较小，表明过孔内的灰度值的波动较小，因此，判定过孔不存在逆角。
例如，第二预设阈值为20，例如，检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于20，也就是波峰与波谷之差是否大于20，当过孔内的灰度值的最大值与最小值之差大于20，判定过孔存在逆角。
在一个实施例中，如图3所示，步骤184包括：
步骤184a，过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，根据所述过孔内的灰度值的波动获取所述过孔内的灰度值曲线，检测所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量。
步骤184b，当所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。
本实施例中，为了进一步检测过孔内的灰度值的波动情况，进而获得过孔内金属层的被刻蚀的情况，对过孔内的灰度值曲线进行检测。具体地，过孔内的灰度值曲线由过孔内的多个灰度值组成，通过对该灰度值曲线的解析，能够获得灰度值的波动情况，波峰对应的灰度值较大，波谷对应的灰度值较小，波峰和波谷的数量较多，表明过孔内的灰度值分布不均匀，过孔内金属层被较大面积地刻蚀，因此，判定过孔存在逆角。
为了精确获取过孔内的灰度值的波动，例如，当所述过孔内的灰度值曲线的波峰的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角，例如，当所述过孔内的灰度值曲线的波谷的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角，例如，当所述过孔内的灰度值曲线的波峰和波谷的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。通过波峰、波谷或者波峰和波谷的数量，检测灰度曲线的波动情况，进而检测过孔内的灰度值的波动，有效提高对过孔存在逆角的判定准确性。
例如，该第三预设阈值为20，例如，当所述过孔内的灰度值曲线的波峰和波谷的数量大于20时，判定所述过孔存在逆角。
在一个实施例中，所述检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值的步骤包括：检测所述过孔外的灰度值的平均值与所述过孔内的灰度值的平均值之差是否小于第一预设阈值。
例如，检测所述过孔外的灰度值的平均值与所述过孔内的灰度值的平均值之差是否小于第一预设阈值，当所述过孔外的灰度值的平均值与所述过孔内的灰度值的平均值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
在一个实施例中，所述检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值的步骤包括：检测所述过孔外的灰度值的最大值与所述过孔内的灰度值的最大值之差是否小于第一预设阈值。
例如，检测所述过孔外的灰度值的最大值与所述过孔内的灰度值的最大值之差是否小于第一预设阈值，当所述过孔外的灰度值的最大值与所述过孔内的灰度值的最大值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
应该理解的是，在解析过孔图像时，将会分别获得过孔内和过孔外的多个灰度值，上述实施例中，为了提高灰度值的对比准确性，以提高对逆角的判定准确性，对过孔外的多个灰度值求取平均值，对过孔内的多个灰度值求取平均值，对两者的平均值进行对比，从而根据对比结果判定过孔是否存在逆角，有效提高判定准确度；或者通过对比过孔外的灰度值的最大值与过孔内的灰度值的最大值，根据对比结果判定过孔是否存在逆角，有效提高判定准确度。
应该理解的是，一个tft阵列基板将刻蚀多个过孔，为了使得对tft阵列基板的过孔逆角检测更为全面充分，在一个实施例中，所述采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像的步骤之前包括：获取所述tft阵列基板上至少一个过孔的位置。例如，所述采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像的步骤包括：根据所述至少一个过孔的位置，采用金相显微镜对所述tft阵列基板上的至少一个所述过孔进行拍摄，获取至少一个所述过孔图像。
例如，获取所述tft阵列基板上多个过孔的位置，根据所述多个过孔的位置，采用金相显微镜分别对所述tft阵列基板上的多个所述过孔进行拍摄，获取多个所述过孔图像。例如，采用金相显微镜分别对所述tft阵列基板上对每一过孔进行拍摄，分别获取每一过孔对应的过孔图像。
例如，对每一过孔图像进行解析，分别获取每一过孔对应的过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值，检测每一过孔对应的过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值，当存在至少一个过孔对应的过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差小于第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
本实施例中，对tft阵列基板上的多个过孔分别进行拍摄，获取多个过孔图像，并且对每一过孔图像进行解析，对每一过孔内的灰度值与过孔外的灰度值进行对比检测，从而判定tft阵列基板是否存在金属层被刻蚀过度，导致过孔存在逆角的现象。有效提高了对tft阵列基板是否为不良品的判定准确度。
在一个实施例中，所述采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像的步骤包括：采用金相显微镜由垂直于所述tft阵列基板的方向对所述tft阵列基板进行拍摄，获取所述过孔图像。
应该理解的是，为了更好地接收tft阵列基板的镜面反射的光，入射光采用垂直于tft阵列基板的方向入射，这样，tft阵列基板的表面镜面反射的光将沿着垂直于tft阵列基板的方向反射，也就是说，沿着入射方向的反向反射，这样，能够使得tft阵列基板的镜面反射的光被集中接收，使得平滑的金属层(未被刻蚀的金属层)的镜面反射效果更明显，使得对过孔图像的过孔内的灰度值的检测更为准确，因此，本实施例中，金相显微镜由垂直于tft阵列基板的方向对所述tft阵列基板进行拍摄，这样，金相显微镜能够更为集中地接收tft阵列基板的镜面反射的光，使得检测准确度更高。
在一个实施例中，所述采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像的步骤包括：采用金相显微镜在预设物镜倍率下对tft阵列基板进行拍摄，获取所述过孔图像。
应该理解的是，过孔相对于tft阵列基板的面积而言很小，为了准确获取过孔图像，需要将过孔以及过孔周围的图像放大较大倍数，例如，该预设物镜倍率为1000倍，又如，该预设物镜倍率大于1000倍，小于1200倍，这样，能够使得金相显微镜准确清晰地拍摄获取过孔图像，进而有效提高检测精度。
为了进一步提高检测精度，例如，一种过孔逆角检测方法，包括：采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值，并检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于第二预设阈值，检测所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量；当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，且当所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差大于第二预设阈值，所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。本实施例中，在过孔外的灰度值与过孔内的灰度值之差小于第一预设阈值，且过孔内的灰度值的最大值与最小值之差大于第二预设阈值，过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量大于第三预设阈值时，三个条件同时成立时，判定过孔存在逆角，这样，能够进一步减小误判几率，使得判定结果更为准确。
在一个实施例中，如图4所示，提供一种过孔逆角检测装置，其特征在于，包括：过孔图像获取模块220、灰度值获取模块240、检测模块260和判定模块280。
过孔图像获取模块220，用于采用金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像。
灰度值获取模块240，用于解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值。
检测模块260，用于检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值。
判定模块280，用于当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
在一个实施例中，如图5所示，所述判定模块280包括：
波动检测单元282，用于当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值；
判定单元284，用于当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。
在一个实施例中，判定单元284还用于检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于第二预设阈值。
在一个实施例中，如图6所示，所述判定单元284包括：
灰度值曲线检测子单元284a，用于当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，根据所述过孔内的灰度值的波动获取所述过孔内的灰度值曲线，检测所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量。
判定子单元284b，用于当所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。
在一个实施例中，检测模块260还用于检测所述过孔外的灰度值的平均值与所述过孔内的灰度值的平均值之差是否小于第一预设阈值。
在一个实施例中，检测模块260还用于检测所述过孔外的灰度值的最大值与所述过孔内的灰度值的最大值之差是否小于第一预设阈值。
应该理解的是，上述过孔逆角检测装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。例如，在硬件实现上，上述过孔图像获取模块用于通过计算机的网络接口、串行数据接口或者通用串行总线获取金相显微镜发送的过孔图像。其中，网络接口可以是以太网卡或无线网卡等，串行数据接口包括rs232和rs485。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。其中，处理器可以为中央处理单元(cpu)或微处理器等。
在一个实施例中，如图7所示，提供了一种计算机，包括通过系统总线连接的处理器、内存储器、非易失性存储介质和网络接口。其中，该计算机的非易失性存储介质中存储有操作系统和计算机可读指令，该计算机可读指令用于执行一种过孔逆角检测方法。计算机的处理器用于提供计算和控制能力，支撑整个计算机的运行。该计算机的网络接口用于连接金相显微镜，与金相显微镜进行通信。该计算机可以单独的计算机，也可以是集群计算机。本领域技术人员可以理解，图7中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机的限定。具体的计算机可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，计算机设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机可读指令，处理器执行所述计算机可读指令时实现以下步骤：通过金相显微镜对tft阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值；当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。