技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体紫外光电探测器的技术领域，更具体地，涉及一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法。一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器，其中，包括衬底，利用金属有机化学气相沉积外延外生长法（或分子束外延生长法），依次在衬底上生长的非故意掺杂低温AlN缓冲层，非故意掺杂高温AlN缓冲层，非故意掺杂AlmGa1‑mN窗口层，n型AlmGa1‑mN层，n型AlnGa1‑nN组分缓变层，非故意掺杂AlaGa1‑aN吸收倍增层，非故意掺杂AlbGa1‑bN吸收倍增层，非故意掺杂AlcGa1‑cN吸收倍增层,Mg掺杂p型AlxGa1‑xN层，非故意掺杂AlxGa1‑xN层,n型AlyGa1‑yN组分缓变层和n型AlzGa1‑zN层，以及最后利用器件工艺沉积得到的n型欧姆接触电极。
技术研发人员：江灏;欧杨辉;邱新嘉
受保护的技术使用者：中山大学
技术研发日：2017.11.02
技术公布日：2018.03.30