一种半导体结构的制作方法

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

导电互连结构，设置于所述衬底的一表面上；所述导电互连结构包括第一导电层，所述第一导电层包括若干分立设置的线路结构；

绝缘被覆层，形成于所述线路结构暴露的表面，所述绝缘被覆层在所述线路结构之间形成有沟槽；

绝缘气封层，形成于所述绝缘被覆层上，其中，所述绝缘气封层封闭所述沟槽的开口，以形成在所述线路结构之间的线路间绝缘气囊，所述线路间绝缘气囊在所述绝缘被覆层的限制下不显露所述线路结构，并且所述线路间绝缘气囊在所述绝缘气封层的限制下具有高度不超过所述线路结构的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述线路结构包括自下而上依次连接的线路底层、线路主层及线路顶层，所述线路底层的底面形成于第一平面，所述线路顶层的顶面形成于第二平面，所述线路间绝缘气囊的顶端不高于所述第二平面，所述线路间绝缘气囊的底端不低于所述第一平面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：所述导电互连结构包括后线结构，所述线路主层的材料包括铜、铝中的至少一种，所述线路底层与所述线路顶层用于限制所述线路主层的金属扩散。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：所述线路顶层的横截面尺寸大于所述线路主层的横截面尺寸。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述线路间绝缘气囊的宽度范围是64.5-74.5nm，高度范围是91-111nm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述线路间绝缘气囊中的气体包括氧气、氢气、氦气、硅烷、氧气中的一种或多种；所述线路间绝缘气囊中的压强范围是5-30mTorr。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述沟槽的底部宽度范围是118-138nm，高度范围是500-540nm。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述绝缘被覆层的厚度范围是68-72nm。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述绝缘气封层的硬度大于所述绝缘被覆层的硬度。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述绝缘被覆层和所述绝缘气封层的材料皆包括二氧化硅，所述绝缘气封层的结晶度大于所述绝缘被覆层的结晶度。

11.根据权利要求1至10任意一项所述的半导体结构，其特征在于：所述绝缘被覆层在所述沟槽的开口两侧形成外突颈部，以利所述沟槽的气密封闭。