1.一种多层陶瓷电容器，包括：
主体，包括彼此面对的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的外表面上，并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，
其中，所述第一外电极和所述第二外电极中的每个包括：
第一电极层，包含从由TiW、TiN和TaN组成的组选择的任意一种或它们的组合；以及
第二电极层，设置在所述第一电极层上。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二电极层包含从由Cu和Al组成的组选择的任意一种或它们的合金。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一电极层设置在所述主体和所述第二电极层之间。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一电极层具有30nm至70nm的厚度。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二电极层具有的0.5μm至3μm的厚度。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一电极层和所述第二电极层是溅射层。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器还包括设置在所述第二电极层上的镀层。
8.一种用于制造多层陶瓷电容器的方法，所述方法包括：
制备主体，所述主体包括彼此面对的第一内电极和第二内电极且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；
在所述主体的整个外表面上形成第一电极层，所述第一电极层包含从由TiW、TiN和TaN组成的组选择的任意一种或它们的组合；
在所述第一电极层上形成第二电极层；
在所述第二电极层的将要形成第一外电极和第二外电极的部分上形成保护层；以及
通过蚀刻其上形成有所述保护层的所述主体去除暴露的第一电极层和第二电极层，并通过去除所述保护层形成设置在所述主体的外表面上的第一外电极和第二外电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，使用溅射法形成所述第一电极层和所述第二电极层。
10.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括使用电镀法分别在所述第一外电极和所述第二外电极上形成镀层。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二电极层包含从由Cu和Al组成的组选择的任意一种或它们的合金。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一电极层具有30nm至70nm的厚度。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二电极层具有的0.5μm至3μm的厚度。
14.一种用于制造多层陶瓷电容器的方法，所述方法包括：
制备主体，所述主体包括彼此面对的第一内电极和第二内电极且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；
在所述主体的除了所述主体的第一外电极形成区域和第二外电极形成区域之外的部分上形成保护层；
在所述主体的所述第一外电极形成区域和所述第二外电极形成区域上形成第一电极层，所述第一电极层包含从由TiW、TiN和TaN组成的组选择的任意一种或它们的组合；
在所述第一电极层上形成第二电极层；以及
通过去除所述保护层形成设置在所述主体的外表面上的第一外电极和第二外电极。
15.一种多层陶瓷电容器，包括：
第一内电极，设置在介电层上方；
第二内电极，设置在所述介电层下方；
第一外电极，接触所述第一内电极；以及
第二外电极，接触所述第二内电极，
其中，所述第一外电极和所述第二外电极分别设置为基本上垂直于所述第一内电极和所述第二内电极以及所述介电层，
所述第一外电极和所述第二外电极中的每个包括接触相应的内电极的第一电极层以及设置在所述第一电极层上的第二电极层，并且
所述第二电极层的厚度与所述第一电极层的厚度的比在7至100的范围内。
16.根据权利要求15所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一电极层包含从由TiW、TiN和TaN组成的组选择的一种或更多种。
17.根据权利要求15所述的多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器还包括设置在所述第二电极层上的镀层。
18.根据权利要求15所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二电极层包含从由Cu和Al组成的组选择的一种或更多种。
19.根据权利要求15所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二电极层具有0.5μm至3μm的厚度。
20.根据权利要求15所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一电极层具有30nm至70nm的厚度。