技术特征：
技术总结
一种增强型HEMT及其制备方法，该增强型HEMT包括GaN外延片、分别位于GaN外延片两端的源极和漏极及位于源极和漏极之间的栅极，该栅极包括多个凹型栅槽，该凹型栅槽表面直接沉积有栅极金属层形成肖特基栅极，或依次沉积栅介质层和栅极金属层形成MIS栅极，凹型栅槽的底部位于GaN外延片的势垒层内，其总长度等于预设栅长，保证了足够的栅极控制能力；各凹型栅槽的深度沿远离源电极的方向依次减小，使得沟道中电子耗尽程度依次减弱，保证了沟道中存在足够的电子，这样能够在实现增强型的基础上维持大电流的特性，从而减小了沟道的导通电阻，降低了器件的功耗。
技术研发人员：孙辉;胡腾飞;刘美华;林信南;陈东敏
受保护的技术使用者：北京大学深圳研究生院
技术研发日：2018.06.04
技术公布日：2018.12.11