半导体封装件及其制造方法与流程

文档序号:16371035发布日期:2018-12-22 08:43阅读:247来源:国知局
半导体封装件及其制造方法与流程

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法,且特别是有关于一种具有散热片的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

受到提升工艺速度及尺寸缩小化的需求,半导体元件变得甚复杂。当工艺速度的提升及小尺寸的效益明显增加时,半导体元件的特性也出现问题。特别是指,较高的工作时脉(clockspeed)在信号电平(signallevel)之间导致更频繁的转态(transition),因而半导体元件的工作负担加重,产生更多的热量,因而导致工作温度上升。

因此,如何驱散半导体元件产生的热量,成为本技术领域业界努力重点之一。



技术实现要素:

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法,可驱散半导体封装件的热量。

根据本发明,提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片、一包覆材料及一散热片。基板具有一外侧面。芯片设于基板上。包覆材料包覆芯片且具有一上表面及一第一外侧面,包覆材料的第一外侧面相对基板的外侧面内缩。散热片设于包覆材料的上表面且具有一外侧面,散热片的外侧面相对包覆材料的第一外侧面内缩。

根据本发明,提出一种半导体封装件的制造方法。制造方包括以下步骤。设置一芯片于一基板上;并列设置一散热片对应于基板;形成一包覆材料于散热片及基板之间,其中包覆材料包覆该芯片且具有一上表面;形成一第一切割道依序经过散热片及包覆材料的一部分,其中散热片形成一外侧面,而包覆材料形成一第一外侧面;蚀刻散热片,使散热片的外侧面相对包覆材料的第一外侧面内缩;形成一第二切割道经过基板及包覆材料的其余部分,其中基板形成一外侧面,且包覆材料的第一外侧面相对基板的外侧面内缩。

为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图,作详细说明如下:

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图2a至2h绘示图1的半导体封装件的制造过程图。

主要元件符号说明:

100:半导体封装件

110:基板

110a:封装单元区

110b、141b:下表面

110s、140s:外侧面

110u、130u、141u:上表面

120:芯片

121:焊球

130:包覆材料

130s1:第一外侧面

130s2:第二外侧面

140:散热片

141:铜层

141s:第三外侧面

1411、1421:毛边

142:金属层

150:电性接点

p1:第一切割道

p2:第二切割道

t1:第一刀具

t2:第二刀具

w1、w2:宽度

具体实施方式

请参照图1,其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括基板110、芯片120、包覆材料130、散热片140及电性接点150。

芯片120是以其主动面朝下方位设于基板110上并透过至少一凸块121电性连接于基板110,此种电性连接芯片120与基板110的方式称为覆晶技术。另一例中,芯片120可以其主动面朝上方位设于基板110上并透过至少一焊线电性连接于基板110。

包覆材料130覆盖基板110的上表面110u且包覆芯片120。包覆材料130具有上表面130u及外侧面,其中外侧面包含第一外侧面130s1及第二外侧面130s2。由于第一外侧面130s1及第二外侧面130s2分别于二道不同切割工艺形成,因此第一外侧面130s1与第二外侧面130s2之间形成一横向段差。本例中,第一外侧面130s1相对第二外侧面130s2内缩。此外,由于第二外侧面130s2与基板110的外侧面110s于同一道切割工艺形成,因此第二外侧面130s2与基板110的外侧面110s实质上对齐,如齐平。

包覆材料130可包括酚醛基树脂(novolac-basedresin)、环氧基树脂(epoxy-basedresin)、硅基树脂(silicone-basedresin)或其他适当的包覆剂。包覆材料130亦可包括适当的填充剂,例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成包覆材料,例如是压缩成型(compressionmolding)、液态封装(liquidencapsulation)、注射成型(injectionmolding)或转注成型(transfermolding)。

散热片140设于包覆材料130的上表面130u且具有外侧面140s。透过蚀刻移除散热片140的侧面材料,可使散热片140的蚀刻后的外侧面140s相对包覆材料130的第一外侧面130s1内缩。此外,透过蚀刻也可减少因为切割散热片140所导致的毛边量,最小可获得3英丝(mil)以下的毛边量。当毛边量控制在3英丝以下时,用手几乎感觉不到毛边。

散热片140包含铜层141及金属层142,其中金属层142形成于铜层141的上表面141u。在蚀刻散热片140工艺中,蚀刻液会移除铜层141的材料,使铜层141形成一第三外侧面141s,第三外侧面141s是内凹曲面;由于蚀刻液对金属层142不会产生作用或仅产生微小作用,因此于蚀刻后,金属层142几乎完整地覆盖铜层141的上表面141u,以保护铜层141。金属层142可以是单层或多层结构。以多层结构来说,金属层142可包含镍层及铬层,其中镍层形成于铜层141与铬层之间,作为铬层电镀于铜层上的介质,其中铬层为高硬度材料,具有耐磨及防刮特性。另一实施例中,金属层142的材料不限于镍及铬。另一例中,铜层141的上表面141u及下表面141b可分别形成有金属层142。

电性接点150例如是焊球、接垫、导电柱或凸块,本例是以焊球为例说明。电性接点150形成于基板110的下表面110b。芯片120可透过基板110及电性接点150电性连接一外部电路元件,如电路板、芯片或半导体封装件。

请参照图2a至2h,其绘示图1的半导体封装件的制造过程图。

如图2a所示,提供基板110,其中基板110例如是长条基板,具有上表面110u,且定义多个封装单元区110a在上表面110u上。

如图2b所示,以例如是覆晶技术,设置至少一芯片120于基板110的上表面110u上,其中芯片120位于对应的封装单元区110a上。

如图2c所示,并列设置基板110与散热片140于下模具10的模穴10a内,其中基板110与散热片140是相对。模穴10a包括第一子模穴10a1及第二子模穴10a2,第一子模穴10a1的宽度大于第二子模穴10a2,使第一子模穴10a1形成一承载面10u。基板110设于承载面10u上,而散热片140设于第二子模穴10a2的底面10b上。

下模具10具有数个吸气道11,其连通一真空源,可吸住散热片140,避免散热片140轻易位移。下模具10具有至少一第一定位件12,例如是定位销,而基板110具有至少一第二定位件111,例如是定位孔。基板110透过第二定位件111与第一定位件12的结合而定位于下模具10上。

本例中,散热片140是多层结构,其包括铜层141及金属层142,金属层142形成于铜层141的上表面141u上。另一例中,散热片140包括铜层141及二金属层142,其中二金属层142分别形成于铜层141的上表面141u与下表面141b;或者,散热片140的所有外表面都可形成有金属层142。

如图2c所示,合模一上模具20与下模具10,以将基板110抵压于上模具20与下模具10之间。上模具20抵压在基板110上,可避免基板110脱离下模具10。此外,上模具20具有数个吸气道21,其连通一真空源,可吸住基板110,避免基板110轻易位移。

如图2d所示,形成包覆材料130于基板110与散热片140之间的空间,其中包覆材料130包覆芯片120。

然后,分离上模具20与下模具10,以露出散热片140及基板110,以利后续的切割步骤。

如图2e所示,形成至少一第一切割道p1依序经过散热片140及包覆材料130的部分厚度(即不切断包覆材料130),其中散热片140及包覆材料130分别形成外侧面140s及第一外侧面130s1。本例中,第一切割道p1是以由刀具t1切割形成为例说明。由于刀具切割的因素,散热片140的铜层141及金属层142分别产生毛边1411及1421,此时的毛边量很大(大于20英丝),用手可明显感觉出毛边。刀具t1例如是圆巨(saw),其以旋转方式进行切割。此外,切割前,可先转置基板110,使散热片140朝上,以利刀具的进刀。

如图2f所示,蚀刻散热片140。由于蚀刻液会侵蚀散热片140的铜层141,使铜层141的外侧面相对包覆材料130的第一外侧面130s1内缩,而形成第三外侧面141s,连带地也移除掉铜层141的毛边1411。本例中,铜层141的第三外侧面141s被蚀刻成内凹曲面。由于铜层141的毛边1411被移除,使金属层142的毛边1421失去支撑基础而悬空,因此在外力稍微作用下很容易脱离散热片140。

如图2g所示,形成至少一电性接点150于基板110的下表面110b。此外,形成电性接点150前,可先转置基板110,使基板110朝上,进而使电性接点150容易形成。

如图2h所示,可采用刀具或激光,形成至少一第二切割道p2经过整个基板110及包覆材料130的其余厚度,以切断基板110及包覆材料130,而形成至少一如图1所示的半导体封装件100。本实施例是以第二刀具t2完成切割。由于上述转置步骤,使第二刀具t2可依序经过基板110及包覆材料130而形成半导体封装件100。

在形成第二切割道p2过程中,毛边1421可能因为刀具的切割力作用而脱离散热片140。当毛边1421脱离散热片140后,散热片140的毛边量可降至3英丝以下,用手几乎感觉不到毛边

一实施例中,在形成第二切割道p2时可以液体(例如是水或冷却液)清洗,除了可以冷却切割所增加的温度外,亦可让毛边1421脱离散热片140。进一步地说,由于金属层142的毛边1421悬空而薄弱,故在液体冲洗下便脱离散热片140,藉以降低散热片140的毛边量,使散热片140的毛边量可降至3英丝以下,用手几乎感觉不到毛边。

本发明实施例的毛边的脱落方式不限于切割及/或清洗。由于金属层142的毛边1421因悬空而薄弱,因此只要稍加施以外力,毛边1421即可脱离散热片140。此处的外力可产生自切割、液体作用、气体作用(如喷气)、磨削(如砂纸、挫刀或其它合适的磨削工具)、加热、振动与压力中一者或其组合。

第二切割道p2形成后,基板110与包覆材料130分别形成外侧面110s及第二外侧面130s2,其中外侧面110s与第二外侧面130s2大致上对齐,如齐平。由于第二刀具t2的宽度w2小于第一刀具t1的宽度w1(图2e),使第二切割道p2形成后,包覆材料130的第一外侧面130s1相对第二外侧面130s2是内缩。一例中,第二刀具t2的宽度w2约0.25毫米,而第一刀具t1的宽度w1(图2e)约0.5毫米。

综上所述,虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰。因此,本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

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