具有TSV结构的半导体封装的制作方法

文档序号:18416240发布日期:2019-08-13 19:28阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种半导体封装包括基板。包括两个半导体芯片的竖直堆叠芯片结构被安装在所述基板上。所述第三半导体芯片安装在所述基板上并与所述竖直堆叠芯片结构水平间隔开。封装模塑料设置在所述基板上并覆盖所述竖直堆叠芯片结构的侧壁且覆盖所述第三半导体芯片的侧壁。电磁屏蔽层沿着所述封装模塑料的侧壁并沿着所述封装模塑料的上表面延伸。所述第一半导体芯片设置在所述第二半导体芯片和所述基板之间。所述第一半导体芯片与第一接地通孔相连,并且与第一信号/电力通孔相连。所述第二半导体芯片与第二接地通孔相连。所述电磁屏蔽层与所述第二接地通孔相连。

技术研发人员:金容勋
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:2018.11.30
技术公布日:2019.08.13
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