1.一种半导体工艺设备的反应腔室，所述反应腔室内设置有用于承载晶片的基座(400)，其特征在于，所述反应腔室包括腔室本体(100)、上电极(200)和驱动机构(700)；
所述上电极(200)包括介质窗(220)和电极壳体(210)，所述电极壳体(210)包括第一壳体(211)和第二壳体(212)，所述第一壳体(211)与所述腔室本体(100)相连接，所述第一壳体(211)套装于所述第二壳体(212)，所述第二壳体可相对于所述第一壳体(211)移动；
所述驱动机构(700)设置于所述第一壳体(211)上，且与所述第二壳体(212)相连接，用于驱动所述第二壳体(212)远离或靠近所述基座(400)；
所述介质窗(220)设置于所述第二壳体(212)中，所述介质窗(220)可随所述第二壳体(212)远离或靠近所述基座(400)。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述上电极(200)还包括第一密封圈(510)，所述第二壳体(212)的侧壁开设有第一密封槽(2121)，所述第一密封圈(510)位于所述第一密封槽(2121)内，所述第一壳体(211)与所述第二壳体(212)通过所述第一密封圈(510)密封配合。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述第一密封圈(510)的数量为多个，所述第一密封槽(2121)的数量为多个，多个所述第一密封圈(510)与多个所述第一密封槽(2121)一一对应。
4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述第一壳体(211)背离所述腔室本体(100)的一端，且靠近所述第二壳体(212)的内侧边缘设置有倒角(2111)。
5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括第二密封圈(520)，所述腔室本体(100)与所述第一壳体(211)接触的端面上开设有第二密封槽，所述第二密封圈(520)位于所述第二密封槽内，所述第一壳体(211)通过所述第二密封圈(520)与所述腔室本体(100)密封配合。
6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述上电极(200)还包括第三密封圈(530)，所述第二壳体(212)的底端设置有用于承载所述介质窗(220)的承载台(2122)，所述承载台(2122)的顶面上开设有第三密封槽，所述第三密封圈(530)位于所述第三密封槽内，所述第二壳体(212)与所述介质窗(220)通过所述第三密封圈(530)密封配合。
7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述驱动机构(700)包括驱动源(710)和传动件(720)，所述驱动源(710)设置于所述第一壳体(211)上，所述传动件(720)的一端与所述驱动源(710)的驱动轴相连接，另一端与所述第二壳体(212)相连接，所述驱动源(710)驱动所述传动件(720)，带动所述第二壳体(212)远离或靠近所述基座(400)。
8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述驱动机构(700)的数量为多个，多个所述驱动机构(700)环绕所述第二壳体(212)间隔设置。
9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一壳体(211)和所述第二壳体(212)中的至少一者上设置有距离传感器(800)，所述距离传感器(800)用于测量所述第二壳体(212)的移动距离。
10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的反应腔室。