1.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：
半导体叠层，具有：
反射层；
第一电性半导体叠层，位于该反射层上；
主动层，位于该第一电性半导体叠层上；以及
第二电性半导体叠层，位于该主动层上且包含接触层；
多个孔洞；以及
多个氧化区，围绕该多个孔洞中的每一个；以及
第一电极，位于该半导体叠层上；
其中该多个孔洞未被该接触层所覆蓋。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该半导体叠层还具有外侧壁，其中该些氧化区不露出于该外侧壁。
3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该反射层包含多对第一折射率层与第二折射率层交互堆叠，且该第一折射率层与该第二折射率层的折射率相异。
4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其中该第一折射率层与该第二折射率层的对数介于5到50之间。
5.如权利要求3所述的半导体发光元件，其中该第一折射率层的材料为alaga1-aas，该第二折射率层的材料为albga1-bas，且0.8≤a≤1，0≤b<0.8。
6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该些氧化区的材质为氧化铝。
7.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含基板与第二电极，该半导体叠层位于该基板上，且该第二电极设置在该基板相对于该半导体叠层的一侧上。
8.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含绝缘材料，且该多个孔洞中的每一个具有孔壁，该绝缘材料覆盖在该孔壁上。
9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该多个孔洞的上视形状包含线型或圆形。
10.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该多个孔洞具有一部分未被该第一电极覆盖。