1.一种使用具有第一电极和第二电极的等离子体处理装置的处理方法，包括：
将第一射频功率的脉冲波施加到所述第一电极或所述第二电极中的任意一者的工序；以及
以与所述第一射频功率之间的给定的相位差，将频率低于所述第一射频功率的第二射频功率的脉冲波施加到所述第一电极的工序，
其中，以使所述第二射频功率的接通时间与所述第一射频功率的接通时间不重叠的方式，对所述第二射频功率的不同的第一接通时间和第二接通时间进行控制，
在即将接通所述第一射频功率之前，将所述第一接通时间控制为关断。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其中，
在即将接通所述第一射频功率之前的0～200μs的范围内，将所述第一接通时间关断。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，还包括：
对用于对所述第一射频功率的接通时间进行控制的第一占空比、所述给定的相位差、用于对所述第二射频功率的所述第一接通时间和所述第二接通时间进行分割的关断时间、以及所述关断时间的开始定时进行设定的工序，
其中，以所述第一占空比将所述第一射频功率接通，
以所述给定的相位差对所述第二射频功率的所述第二接通时间进行控制，并且在自所述关断时间的开始定时起的所述关断时间将所述第二射频功率关断之后，将所述第二射频功率接通以对所述第一接通时间进行控制。
4.根据权利要求1或2所述的处理方法，还包括：
对用于对所述第一射频功率的接通时间进行控制的第一占空比、以及所述给定的相位差进行设定的工序，
其中，以所述第一占空比将所述第一射频功率接通，
以所述给定的相位差对所述第二射频功率的所述第一接通时间进行控制，在用于将所述第一射频功率接通的定时将所述第二射频功率关断，并且在用于将所述第一射频功率关断的定时将所述第二射频功率接通以对所述第二接通时间进行控制。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理方法，其中，
所述第一接通时间的所述第二射频功率用于在所述第一射频功率的接通时间生成的等离子体的点火。
6.一种等离子体处理装置，包括第一射频源、第二射频源、第一电极、第二电极、以及控制部，
其中，所述控制部
从所述第一射频源将第一射频功率的脉冲波施加到所述第一电极或所述第二电极中的任意一者，
以与所述第一射频功率之间的给定的相位差，从所述第二射频源将频率低于所述第一射频功率的第二射频功率的脉冲波施加到所述第一电极，
以使所述第二射频功率的接通时间与所述第一射频功率的接通时间不重叠的方式，对所述第二射频功率的不同的第一接通时间和第二接通时间进行控制，并且
在即将接通所述第一射频功率之前，将所述第一接通时间控制为关断。