。
[0021]实施例2
(1)提供一个P型硅衬底，切割好之后分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗，每次15min，然后放入干燥箱烘干；
(2)将清洗后的P型硅衬底进行亲水处理，在玻璃表面皿中放入体积比为1:1:5的氨水、过氧化氢及去离子水的混合溶液，将P型硅衬底浸入混合溶液中，在温度为50°C下加热3小时，冷却至室温后，用去离子水冲洗三次，然后用氮气吹干；
(3)分别配制浓度为15mM的六水合硝酸锌[Zn(NO3)2.6Η20]水溶液和30mM的2-甲基咪唑的甲醇溶液各100mL ；
(4)取步骤(3)的15mMZn(NO3)2.6H20水溶液及30mM 2-甲基咪唑的甲醇溶液均为5mL，加入玻璃瓶中，快速震荡，混合均匀后，将处理过的P型硅衬底放入玻璃瓶中，室温下反应15min，取出p型硅衬底，用无水甲醇将表面反应液冲洗掉，再用氮气吹干，即在P型硅衬底上制备得到ZIF-8薄膜。
[0022](5)将步骤(4)再重复9次，即得到厚度为900nm的ZIF-8材料薄膜。
[0023]实施例3
(1)提供一个多晶硅衬底，切割好之后分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗，每次15min，然后放入干燥箱烘干；
(2)将清洗后的多晶硅衬底进行亲水处理，在玻璃表面皿中放入体积比为1:1:5的氨水、过氧化氢及去离子水的混合溶液，将多晶硅衬底浸入混合溶液中，在温度为80°C下加热I小时，冷却至室温后，用去离子水冲洗三次，然后用氮气吹干；
(3)分别配制浓度为25mM的六水合硝酸锌[Zn(NO3)2.6Η20]水溶液和50mM的2-甲基咪唑的甲醇溶液各100mL ；
(4)取步骤(3)的25mMZn(NO3)2.6H20水溶液及50mM 2-甲基咪唑的甲醇溶液均为10mL，加入玻璃瓶中，快速震荡，混合均匀后，将处理过的多晶硅衬底放入玻璃瓶中，室温下反应30min，取出多晶硅衬底，用无水甲醇将表面反应液冲洗掉，再用氮气吹干，即在多晶硅衬底上制备得到ZIF-8薄膜。
[0024](5)将步骤(4)再重复11次，即得到厚度为IlOOnm的ZIF-8材料薄膜。
[0025]本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。
[0026]实施例4
(1)提供一个图案化的ITO导电玻璃衬底，分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗，每次15min，然后放入干燥箱烘干；
(2)将清洗后的ITO导电玻璃衬底进行亲水处理，在玻璃表面皿中放入体积比为1:1:5的氨水、过氧化氢及去离子水的混合溶液，将ITO导电玻璃衬底浸入混合溶液中，在温度为60°C下加热I小时，冷却至室温后，用去离子水冲洗三次，然后用氮气吹干；
(3)分别配制浓度为20mM的六水合硝酸锌[Zn(NO3)2.6Η20]水溶液和40mM的2-甲基咪唑的甲醇溶液各100mL ；
(4)取步骤(3)的20mMZn(NO3)2.6H20水溶液及40mM 2-甲基咪唑的甲醇溶液均为10mL，加入玻璃瓶中，快速震荡，混合均匀后，将处理过的ITO导电玻璃衬底放入玻璃瓶中，室温下反应30min，取出ITO导电玻璃衬底，用无水甲醇将表面反应液冲洗掉，再用氮气吹干，即在ITO导电玻璃衬底上制备得到ZIF-8薄膜。
[0027](5)将步骤(4)再重复9次，即得到厚度为900nm的ZIF-8材料薄膜。
[0028]本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤: (1)将衬底切割好之后分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗，烘干； (2)将清洗后的衬底进行亲水处理，在玻璃表面皿中放入体积比为1:1:5的氨水、过氧化氢及去离子水的混合溶液，将衬底浸入混合溶液中，在温度为50-80°C下加热1-3小时，冷却至室温后，用去离子水冲洗三次，然后用氮气吹干； (3)分别配制浓度为15-25mM的六水合硝酸锌水溶液和30_50mM的2-甲基咪唑的甲醇溶液各100mL ； (4)取步骤(3)的15-25mM六水合硝酸锌水溶液及30_50mM2-甲基咪唑的甲醇溶液均为5-10mL，加入玻璃瓶中，快速震荡，混合均匀后，将处理过的衬底放入玻璃瓶中，室温下反应15-30min，取出衬底，用无水甲醇将表面反应液冲洗掉，再用氮气吹干，即在衬底上制备得到ZIF-8薄膜； (5)重复步骤(4)至衬底表面ZIF-8薄膜的厚度为900-1100nm。
2.根据权利要求1所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法中六水合硝酸锌水溶液的浓度为25mM。
3.根据权利要求1所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法中2-甲基咪唑的甲醇溶液的浓度为50mM。
4.根据权利要求1所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法中步骤(4)中室温下反应30min。
5.根据权利要求1所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法中所述的衬底为单晶硅衬底、多晶硅衬底或ITO导电玻璃。
6.根据权利要求1至5任一所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法制备得到的低介电常数ZIF-8材料薄膜。
7.根据权利要求6所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜在制备集成电路中的用途，其特征在于，所述的ZIF-8材料薄膜在集成电路中介电常数值为2.04。
【专利摘要】本发明公开低介电常数ZIF-8材料薄膜及其制备方法、用途，所述的制备方法包括以下步骤：（1）将衬底清洗，烘干；（2）将衬底进行亲水处理；（3）分别配制六水合硝酸锌水溶液和2-甲基咪唑的甲醇溶液；（4）取六水合硝酸锌水溶液及2-甲基咪唑的甲醇溶液反应，取出衬底，将表面反应液冲洗掉，吹干，即在衬底上制备得到ZIF-8薄膜；（5）重复步骤（4）至硅衬底表面ZIF-8薄膜的厚度为900-1100nm。制备得到的ZIF-8材料薄膜薄膜致密，缺陷少，具有很好的连续性；可在多种基底上制备，尤其是能够在单晶硅、多晶硅上制备获得，和现有的硅基集成电路有高度的兼容性。
【IPC分类】H01L21-312
【公开号】CN104538298
【申请号】CN201410801923
【发明人】陆广, 廖良生, 张青, 袁大星
【申请人】苏州大学
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月22日