阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示领域，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 根据驱动液晶的电场方向，薄膜晶体管液晶显示装置（TFT-IXD，Thin Fi lm Transistor Liquid Crystal Display)分为垂直电场型和水平电场型。其中，垂直电场型 TFT-LCD包括：扭曲向列（TN，Twist Nematic)型TFT-LCD ;水平电场型TFT-LCD包括：高级 超维场转换（ADvanced Super Dimension Switch，AD-SDS，简称 ADS)型 TFT-LCD，平面切换 (IPS， In Plane Switching)型 TFT-LCD。
[0003]ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电 极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子 都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以 提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色 差、无挤压水波纹等优点。
[0004] 针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS技术 和高分辨率S-ADS技术等。其中，现有H-ADS显示模式的阵列基板的结构如图1所示，由基 板1、栅电极2、公共电极线3、栅绝缘层4、有源层5、源电极6、漏电极7、像素电极8、钝化层 9和公共电极10构成。其中，像素电极采用第一透明导电层形成，公共电极采用第二透明导 电层形成。
[0005] 现有H-ADS显示模式的阵列基板的制备流程为：通过构图工艺形成栅线、公共电 极线和栅电极；通过构图工艺形成有源层、源电极、漏电极和数据线；通过构图工艺形成像 素电极；通过构图工艺形成包括有过孔的钝化层；通过构图工艺形成公共电极。
[0006] 其中，薄膜晶体管的制作后，TFT沟道会全部裸露在外部，在利用透明导电层通过 构图工艺形成像素电极时会给TFT沟道引入杂质，造成TFT沟道污染，同时刻蚀液残留、沟 道内透明导电层残留也会造成TFT沟道污染。而TFT沟道决定着TFT的特性，TFT沟道污 染会造成TFT特性异常，影响产品性能。
[0007] 在通过构图工艺形成包括有过孔的钝化层之前，如果对TFT沟道进行等离子体处 理，可以降低TFT的漏电流，提高产品品质。但是等离子体处理会造成透明导电层形成的像 素电极被还原，产生雾状不良。故现有H-ADS显示模式的阵列基板不能对TFT沟道进行等 离子体处理，造成TFT漏电流升高，影响产品品质。
[0008] 为了解决上述问题，现有常用的解决方法是在通过构图工艺形成源电极、漏电极 和数据线之后沉积一层保护层对TFT进行保护，并对保护层进行构图形成保护层过孔，之 后在通过构图工艺利用透明导电层形成像素电极时，使像素电极通过保护层过孔与漏电极 连接，但是这样需要额外的保护层的构图工艺，增加了制作阵列基板的构图工艺次数，提高 了阵列基板制作工艺的复杂性。
【发明内容】
[0009] 本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在 不增加构图工艺的前提下，避免在形成像素电极时对TFT沟道造成的污染，保证产品品质； 并且还可以对TFT沟道进行等离子体处理，可以降低TFT的漏电流，提高产品品质。
[0010] 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
[0011] -方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：
[0012] 在形成有薄膜晶体管的基板上形成保护层，并在所述保护层上形成第一电极；
[0013] 在形成有所述第一电极的基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层和所述保护 层、裸露出所述薄膜晶体管的漏电极的第一过孔和贯穿所述钝化层、裸露出部分所述第一 电极的第二过孔；
[0014] 在所述钝化层上形成通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述薄膜晶体管的 漏电极与所述第一电极的导电连接线。
[0015] 进一步地，所述钝化层上还形成有第二电极，所述第二电极与所述导电连接线为 通过同一次构图工艺形成。
[0016] 进一步地，所述在形成有薄膜晶体管的基板上形成保护层之前还包括：
[0017] 对所述薄膜晶体管的沟道进行等离子体处理。
[0018] 进一步地，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述制作方法具 体包括：
[0019] 在所述保护层上沉积第一透明导电层，通过一次构图工艺利用所述第一透明导电 层形成所述像素电极；
[0020] 在形成有所述像素电极的基板上沉积钝化层，通过一次构图工艺形成贯穿钝化层 和所述保护层、裸露出所述薄膜晶体管的漏电极的第一过孔和贯穿所述钝化层、裸露出部 分所述像素电极的第二过孔；
[0021] 在形成有所述钝化层的基板上沉积第二透明导电层，通过一次构图工艺利用所述 第二透明导电层形成所述公共电极和所述导电连接线，所述导电连接线通过所述第一过孔 与所述漏电极连接，并通过所述第二过孔与所述像素电极连接。
[0022] 进一步地，形成所述薄膜晶体管包括：
[0023] 提供所述基板；
[0024] 在所述基板上通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的栅电极；
[0025] 在形成有所述栅电极的基板上形成栅绝缘层；
[0026] 在所述栅绝缘层上形成有源层的图形；
[0027] 在形成有所述有源层的基板上通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的源电极 和漏电极。
[0028] 本发明实施例还提供了一种阵列基板，为采用上述制作方法制作得到，所述阵列 基板包括：
[0029] 位于基板上的薄膜晶体管；
[0030] 位于形成有所述薄膜晶体管的基板上的保护层；
[0031] 位于所述保护层上的第一电极；
[0032] 位于形成有所述第一电极的基板上的钝化层；
[0033] 位于所述钝化层上、通过第一过孔和第二过孔连接所述薄膜晶体管的漏电极与所 述第一电极的导电连接线，其中，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述保护层、裸露出所述 薄膜晶体管的漏电极，所述第二过孔贯穿所述钝化层、裸露出部分所述第一电极。
[0034] 进一步地，所述阵列基板还包括：
[0035] 位于所述钝化层上的第二电极。
[0036] 进一步地，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述第一过孔贯 穿所述钝化层和所述保护层、裸露出所述薄膜晶体管的漏电极，所述第二过孔贯穿所述钝 化层、裸露出部分所述像素电极，所述导电连接线通过所述第一过孔与所述漏电极连接，并 通过所述第二过孔与所述像素电极连接。
[0037] 进一步地，所述保护层的厚度为50A?500A。
[0038] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0039] 本发明的实施例具有以下有益效果：
[0040] 上述方案中，在基板上形成薄膜晶体管后，在薄膜晶体管上形成一层保护层对薄 膜晶体管进行保护，并在保护层上形成第一电极，之后对钝化层进行构图形成过孔，并在钝 化层上形成导电连接线，使得导电连接线能够通过过孔连接第一电极和薄膜晶体管的漏电 极。本发明的技术方案不必采用专门的构图工艺对保护层进行构图，而是通过一次构图工 艺形成钝化层的图形和过孔，能够在不增加构图工艺的前提下，避免在形成第一电极时对 TFT沟道造成的污染，保证产品品质。
【附图说明】
[0041] 图1为现有H-ADS显示模式的阵列基板的结构示意图；
[0042] 图2为本发明实施例在基板上形成栅电极和公共电极线后的示意图；
[0043] 图3为本发明实施例形成有源层、源电极和漏电极后的示意图；
[0044] 图4为本发明实施例形成保护层后的示意图；
[0045] 图5为本发明实施例形成像素电极后的示意图；
[0046] 图6为本发明实施例一形成钝化层后的示意图；
[0047] 图7为本发明实施例一形成公共电极后的示意图；
[0048] 图8为本发明实施例二形成钝化层后的示意图；
[0049] 图9为本发明实施例二形成公共电极后的示意图。
[0050] 附图标记
[0051] 1衬底基板 2栅电极 3公共电极线 4栅绝缘层
[0052] 5有源层 6源电极 7漏电极