[0080] 图3是本发明实施方式光波长转换部件中反性激发光转换滤光器E'-H'在不 同LED芯片发出光激发下的发光强度转换趋势；
[0081] 图4是本发明实施方式光波长转换部件中反性激发光转换滤光器E-H在不同LED 芯片发出光激发下的发光强度转换趋势；
[0082] 图5-图8是图2中各实施方式光波长转换部件顺性激发光转换滤光器在不同LED 芯片发出光激发下的发光强度转换趋势的示值图；
[0083] 图9是现有实施方式光波长转换部件制备得到的LED光源的色度分布图；
[0084] 图10是本发明实施方式光波长转换部件制备得到的LED光源的色度分布图。
【具体实施方式】
[0085] 为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合具体实施例对 本发明作进一步的详细说明。
[0086] 实施例1--色度分布测定实验
[0087] 按照下表一和表二制备本发明实施方式所述的光波长转换部件，所述光波长转换 部件为将各种光转换滤光器即荧光体进行简单的物理混合，或是采用成膜工艺或点胶工艺 得到，还可以是采用将各种光转换滤光器分层设置于LED芯片发光面的外周；可以将混合 得到的光波长转换部件或各种光转换滤光器设置于LED芯片表面或与LED芯片隔开设置， 可选择采用成膜、点胶或涂覆等现有制备LED光源的方式。
[0088] 本发明所采用的LED芯片可选择发出蓝光、紫外光或紫光的LED芯片，还可选择是 发射光波长为380-480nm，优选为400-465nm的LED芯片；最终得到的LED光源发出光的目 标颜色可选择可见光范围内各种颜色的光，或是白光，荧光粉的颜色则可根据需要进行选 择。本实施例1仅列举蓝光LED芯片+黄色荧光粉的测定实验，但不代表本发明仅限于此 实施例1，本发明的范围应当是在以下所列举的实施例以及本说明书
【发明内容】
部分所涉及 内容并且可根据本领域常规知识进行合理延伸的范围。
[0089] 本实施例1所采用的LED芯片为发射光波长为380-480nm的LED芯片以及发射波 长为400-465nm的LED芯片；所米用的光转换滤光器为以下黄色突光粉：
[0090] A7、购自英特美，产品编号为CCFL-B;
[0091] (随LED芯片波长从380-480nm激发下光转换趋势呈从弱到强的直线，并且直线的 斜率为0. 1)
[0092] B7、铝酸盐，购自新力光源，产品编号为XLLY-03B
[0093] (随LED芯片波长从380-480nm激发下光转换趋势呈从弱到强的直线，并且直线的 斜率为10)
[0094] C、铝酸盐，购自新力光源，产品编号为XLLY-04B
[0095] (随LED芯片波长从380-480nm激发下光转换趋势呈从弱到强的曲线，并且曲线的 斜率逐渐增大，0. 1增大至10)
[0096] D7、铝酸盐，购自新力光源，产品编号为XLLY-06B
[0097] (随LED芯片波长从380-480nm激发下光转换趋势呈从弱到强的曲线，并且曲线的 斜率逐渐减小，10减小至0. 1)
[0098] E'、硅酸盐，购自英特美，产品编号为Y3957
[0099] (随LED芯片波长从380-480nm激发下光转换趋势呈从强到弱的直线，并且直线的 斜率为-〇? 1)
[0100] 硅酸盐，购自英特美，产品编号为Y4651
[0101] (随LED芯片波长从380-480nm激发下光转换趋势呈从强到弱的直线，并且直线的 斜率为-10)
[0102] G'、硅酸盐，购自英特美，产品编号为Y4750
[0103] (随LED芯片波长从380-480nm激发下光转换趋势呈从强到弱的曲线，并且曲线的 斜率逐渐增大，-10至-〇? 1)
[0104] 氮化物，购自三菱LMH-102
[0105] (随LED芯片波长从380-480nm激发下光转换趋势呈从强到弱的曲线，并且曲线的 斜率逐渐减小，-〇? 1至-10)
[0106] A、Y3Al5012:Ce:购买自新力光源，产品编号为XLLY-01A;
[0107] (随LED芯片波长从400-465nm激发下光转换趋势呈从弱到强的直线，并且直线的 斜率为〇. 5)
[0108] B、Lu3Al5012:Ce:购买自新力光源，产品编号为XLLY-13-15
[0109] (随LED芯片波长从400-465nm激发下光转换趋势呈从弱到强的直线，并且直线的 斜率为2)
[0110] C、Y3Al2Ga3012:Ce:购买自弘大，产品编号为Y3957
[0111] (随LED芯片波长从400-465nm激发下光转换趋势呈从弱到强的曲线，并且曲线的 斜率逐渐增大，0.5增大至2)
[0112] D、YGd2Al5012:Ce:购买自有研，产品编号为SMD-02
[0113] (随LED芯片波长从400-465nm激发下光转换趋势呈从弱到强的曲线，并且曲线的 斜率逐渐减小，2减小至0. 5)
[0114] E、硅酸盐Ba2Si04:Eu:购买自英特美，产品编号为G2762
[0115] (随LED芯片波长从400-465nm激发下光转换趋势呈从强到弱的直线，并且直线的 斜率为-0? 5)
[0116] F、硅酸盐Sr3Si05:Eu:购买自英特美，产品编号为05742
[0117] (随LED芯片波长从400-465nm激发下光转换趋势呈从强到弱的直线，并且直线的 斜率为-2)
[0118] G、氮化物Sr2Si具:Eu:购买自新力光源，产品编号为XLLYR-63B
[0119] (随LED芯片波长从400-465nm激发下光转换趋势呈从强到弱的曲线，并且曲线的 斜率逐渐增大，-2至-0. 5)
[0120] H、氮化物SrAlSiN3:Eu:购买自英特美，产品编号为0763
[0121] (随LED芯片波长从400-465nm激发下光转换趋势呈从强到弱的曲线，并且曲线的 斜率逐渐减小，-0.5至-2)
[0122] 从A7到、A到D，荧光体转换LED芯片发出的波长从低到高的光的趋势均为 发光强度从弱到强，从A'到D'、A到D的转换趋势如图1和图2所示；E'至和E至 H中，荧光体转换LED芯片发出的波长从高到低的光的趋势均为发光强度从高到弱，从E' 至H'、E到H的转换趋势如图3和图4所示。
[0123] 图5-8分别以光转换滤光器A-D为例分别具体示出了其随LED芯片发射波长的增 大而转换发出光的图谱，图中所示的a、b、c、d分别为光转换滤光器A、B、C、D随LED芯片 发射光波长逐渐增大下激发A-D所得的发出光的发光强度示值。图5与图7中所示的发光 强度示值并非都在数据整体具备趋势呈现的直线或曲线上，而是其分布在直线或曲线的两 边，数据整体呈呈现的趋势为直线或曲线；图6和图8的发光强度示值则大部分集中在所呈 现直线或曲线上。
[0124] 下表一中制备含有两种以上突光粉的光波长转换部件中各突光粉的重量比例均 为1: 1、1:1:1或1:1:1:1 ;并且光波长转换部件的用量可以按照现有普通荧光粉应用于LED 芯片制备LED光源时的惯常用量。
[0125] 表一光波长转换部件中荧光体组成
【主权项】
1. 一种提高L邸光源良率的方法，所述方法为采用一种光波长转换部件对L邸芯片进 行封装，其特征在于： 所述光波长转换部件至少具有两种光激发性能的光转换滤光器；所述两种光转换滤光 器为在L邸芯片发射光的波长从低到高激发下，经过其转换后发出光的发光强度呈现相反 的变化趋势。
2. 根据权利要求1所述，所述两种光激发性能的光转换滤光器分别为顺性激发光转换 滤光器和反性激发光转换滤光器； 顺性激发光转换滤光器为在L邸芯片发射光的波长从低到高激发下，经过其转换后发 出光的发光强度呈现从弱到强的趋势； 所述反性激发光转换滤光器为在L邸芯片发射光的波长从低到高激发下，经过其转换 后发出光的发光强度呈现从强到弱的趋势。
3. 根据权利要求1所述的提高L邸光源良率的方法，其特征在于：所述L邸芯片发射 光为紫外光、紫光或蓝光。
4. 根据权利要求1所述的提高L邸光源良率的方法，其特征在于：所述L邸芯片发射 光的波长为380nm-480nm。
5. 根据权利要求2所述的提高LED光源良率的方法，其特征在于：所述顺性激发光转 换滤光器在L邸芯片发射光的波长从380nm增大到480nm激发下，经过其转换后发出光的 发光强度从弱到强变化趋势呈直线或曲线；直线的斜率为K1，K1 > 0 ;曲线的斜率为K2，K2 >0。
6. 根据权利要求2所述的提高LED光源良率的方法，其特征在于：所述顺性激发光转 换滤光器在L邸芯片发射光的波长从400nm增大至465nm激发下，经过其转换后发出光的 发光强度从弱到强变化趋势呈直线或曲线，直线的斜率为K1，K1 > 0 ;曲线的斜率为K2，K2 >0。
7. 根据权利要求5-6中任一权利要求所述的提高LED光源良率的方法，其特征在于： 所述直线的斜率K1为；0. 1《K1《10 ;所述曲线的斜率K2逐渐增大或逐渐减小，并且K2 为；0. 1《K2《10。
8. 根据权利要求7所述的提高LED光源良率的方法，其特征在于：所述直线的斜率K1 为；0. 5《K1《2 ;所述曲线的斜率K2逐渐增大或逐渐减小，并且K2为；0. 5《K2《2。
9. 根据权利要求2所述的提高LED光源良率的方法，其特征在于：所述反性激发光转 换滤光器在L邸芯片发射光的波长从380nm增大到480nm激发下，经过其转换后发出光的 发光强度从强到弱变化趋势呈直线或曲线；直线的斜率为K1 <，K1 << 0 ;曲线的斜率为 K2 '，K2 ' <