属线32’。
[0087]于本发明的封装结构中，该第一晶圆30为压力传感器晶圆或温度传感器晶圆，该芯片42为动作传感器(mot1n sensor),且该密封环311、412的材质为高分子(polymer)、共晶金属合金(eutectic metal alloy)或玻璃粉(glass frit)。
[0088]综上所述，本发明的封装结构及其制法无需制作贯穿硅基板的开孔，故无需购买用以制作硅贯孔(TSV)的设备，而可降低生产成本；此外，本发明可同时将两种传感器(例如压力传感器与动作传感器)整合成一系统级封装件(System in Package, SiP),而能达成低功耗、低成本及高效能的要求；此外，本发明的封装结构的体积也符合轻薄短小趋势。
[0089]上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
【主权项】
1.一种封装结构的制法，包括: 准备一具有相对的第一表面与第二表面的第一晶圆、以及一具有相对的第三表面与第四表面的芯片，该第一晶圆于第一表面具有凹槽、封闭该凹槽的开口端的薄膜及电性接点，该芯片的第三表面上具有金属层，该芯片的第四表面上具有凹部、与对应位于该凹部周缘的密封环，该芯片以其密封环围住该第一晶圆的薄膜的方式接置于该第一表面上，而令该电性接点位于该密封环之外； 以第一金属线连接该电性接点与该金属层； 于该第一晶圆的第一表面上形成封装层，以包覆该芯片、电性接点与第一金属线； 从该封装层的顶面移除部分厚度的该封装层、与部分该第一金属线，以构成一端外露且连接该电性接点的子金属线；以及 形成贯穿该第一晶圆的第一表面与第二表面且连通该凹部的通孔。
2.根据权利要求1所述的封装结构的制法，其特征在于，于形成该通孔后，还包括切单步骤。
3.根据权利要求1所述的封装结构的制法，其特征在于，准备该第一晶圆与芯片的步骤包括: 准备该第一晶圆与设于其上的第二晶圆； 薄化该第二晶圆； 于该第二晶圆上形成该金属层；以及 移除部分该第二晶圆以构成该芯片。
4.根据权利要求1所述的封装结构的制法，其特征在于，于构成该子金属线后，还包括于该封装层上形成电性连接该子金属线的线路重布层。
5.根据权利要求4所述的封装结构的制法，其特征在于，于形成该通孔前，还包括于该线路重布层上接置承载板，并于形成该通孔后，移除该承载板。
6.根据权利要求5所述的封装结构的制法，其特征在于，该承载板的材料呈透明。
7.根据权利要求4所述的封装结构的制法，其特征在于，于形成该通孔后，还包括于该线路重布层上形成多个电性连接该子金属线的导电组件。
8.根据权利要求1所述的封装结构的制法，其特征在于，该密封环的材质为高分子、共晶金属合金或玻璃粉。
9.根据权利要求1所述的封装结构的制法，其特征在于，该第一晶圆为压力传感器晶圆或温度传感器晶圆。
10.一种封装结构的制法，包括: 准备一具有相对的第一表面与第二表面的第一晶圆、一具有相对的第三表面与第四表面的芯片、以及盖板，该第一晶圆于第一表面具有凹槽、封闭该凹槽的开口端的薄膜及电性接点，该芯片的第三表面上具有电极垫，该芯片的第四表面上具有凹部、与对应位于该凹部周缘的密封环，该芯片以其密封环围住该第一晶圆的薄膜的方式接置于该第一表面上，而令该电性接点位于该密封环之外，且该盖板设于该芯片的第三表面上，该盖板的顶面上并具有金属层； 以第一金属线连接该电性接点与该金属层，并以第二金属线连接该电性接点与该电极垫； 于该第一晶圆的第一表面上形成封装层，以包覆该芯片、盖板、电性接点与第一金属线.从该封装层的顶面移除部分厚度的该封装层、与部分该第一金属线，以构成一端外露且连接该电性接点的子金属线；以及 形成贯穿该第一晶圆的第一表面与第二表面且连通该凹部的通孔。
11.根据权利要求10所述的封装结构的制法，其特征在于，于形成该通孔后，还包括切单步骤。
12.根据权利要求10所述的封装结构的制法，其特征在于，准备该第一晶圆与芯片的步骤包括: 准备该第一晶圆与设于其上的第二晶圆； 薄化该第二晶圆； 于该第二晶圆上形成该金属层；以及 移除部分该第二晶圆以构成该芯片。
13.根据权利要求10所述的封装结构的制法，其特征在于，于构成该子金属线后，还包括于该封装层上形成电性连接该子金属线的线路重布层。
14.根据权利要求13所述的封装结构的制法，其特征在于，于形成该通孔前，还包括于该线路重布层上接置承载板，并于形成该通孔后，移除该承载板。
15.根据权利要求14所述的封装结构的制法，其特征在于，该承载板的材料呈透明。
16.根据权利要求13所述的封装结构的制法，其特征在于，于形成该通孔后，还包括于该线路重布层上形成多个电性连接该子金属线的导电组件。
17.根据权利要求10所述的封装结构的制法，其特征在于，该密封环的材质为高分子、共晶金属合金或玻璃粉。
18.根据权利要求10所述的封装结构的制法，其特征在于，该第一晶圆为压力传感器晶圆或温度传感器晶圆。
19.根据权利要求10所述的封装结构的制法，其特征在于，该芯片为动作传感器。
20.—种封装结构,包括: 晶圆，其具有相对的第一表面与第二表面，并于第一表面具有凹槽、封闭该凹槽的开口端的薄膜及电性接点； 芯片，其具有相对的第三表面与第四表面，该第三表面上具有金属层，该第四表面上具有凹部、与对应位于该凹部周缘的密封环，该芯片以其密封环围住该晶圆的薄膜的方式接置于该第一表面上，而令该电性接点位于该密封环之外； 封装层，其形成于该晶圆的第一表面上，以包覆该芯片与电性接点； 子金属线，其嵌埋于该封装层中，且该子金属线的两端分别连接该电性接点与外露于该封装层的顶面；以及 通孔，其贯穿该晶圆的第一表面与第二表面，且连通该凹部。
21.根据权利要求20所述的封装结构，其特征在于，该封装结构还包括线路重布层，其形成于该封装层上，且电性连接该子金属线。
22.根据权利要求21所述的封装结构，其特征在于，该封装结构还包括多个导电组件，其形成于该线路重布层上，且电性连接该子金属线。
23.根据权利要求20所述的封装结构，其特征在于，该晶圆为压力传感器晶圆或温度传感器晶圆。
24.根据权利要求20所述的封装结构，其特征在于，该密封环的材质为高分子、共晶金属合金或玻璃粉。
25.—种封装结构,包括: 晶圆，其具有相对的第一表面与第二表面，并于第一表面具有凹槽、封闭该凹槽的开口端的薄膜及电性接点； 芯片，其具有相对的第三表面与第四表面，该第三表面上具有电极垫，该第四表面上具有凹部、与对应位于该凹部周缘的密封环，该芯片以其密封环围住该晶圆的薄膜的方式接置于该第一表面上，而令该电性接点位于该密封环之外； 盖板，其设于该芯片的第三表面上，且该盖板的顶面上具有金属层； 封装层，其形成于该晶圆的第一表面上，以包覆该芯片与电性接点； 子金属线，其嵌埋于该封装层中，且该子金属线的两端分别连接该电性接点与外露于该封装层的顶面； 金属线，其嵌埋于该封装层中，且连接该电性接点与该电极垫；以及 通孔，其贯穿该晶圆的第一表面与第二表面，且连通该凹部。
26.根据权利要求25所述的封装结构，其特征在于，该封装结构还包括线路重布层，其形成于该封装层上，且电性连接该子金属线。
27.根据权利要求26所述的封装结构，其特征在于，该封装结构还包括多个导电组件，其形成于该线路重布层上，且电性连接该子金属线。
28.根据权利要求25所述的封装结构，其特征在于，该晶圆为压力传感器晶圆或温度传感器晶圆。
29.根据权利要求25所述的封装结构，其特征在于，该芯片为动作传感器。
30.根据权利要求25所述的封装结构，其特征在于，该密封环的材质为高分子、共晶金属合金或玻璃粉。
【专利摘要】一种封装结构及其制法，该封装结构包括晶圆、芯片、封装层、子金属线与通孔，该晶圆具有相对的第一表面与第二表面，并于第一表面具有凹槽、封闭该凹槽的开口端的薄膜及电性接点，该芯片具有相对的第三表面与第四表面，该第三表面上具有金属层，该第四表面上具有凹部与密封环，该芯片以其密封环接置于该第一表面上，该电性接点位于该密封环之外，该封装层形成于该第一表面上，该子金属线嵌埋于该封装层中，且该子金属线的两端分别连接该电性接点与外露于该封装层的顶面，该通孔贯穿该晶圆且连通该凹部。本发明能节省生产成本与缩小体积。
【IPC分类】H01L23-498, H01L25-00, H01L21-60, H01L21-56, H01L23-31, H01L25-16
【公开号】CN104716119
【申请号】CN201410006459
【发明人】张宏达, 邱世冠
【申请人】矽品精密工业股份有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年1月7日
【公告号】US20150162264