太阳能电池的制造方法及其制得的太阳能电池的制作方法_5

文档序号:8417678阅读:来源:国知局
的孔41第一面11上的接触结构的阻挡层42第一面11上的接触结构的导电层43第一面11上的接触结构的界面层61第二面12上的接触结构的阻挡层62第二面12上的接触结构的导电层63第二面12上的接触结构的界面层
81IBC太阳能电池的第一接触区域,特别是,p+发射极区域
82IBC太阳能电池的第二接触区域,特别是,η+基极区域
【主权项】
1.一种太阳能电池的制造方法,所述太阳能电池包括具有光学透明结构的太阳能电池装置,穿过该光学透明结构,一接触结构延伸至所述太阳能电池装置的半导体主体中的第一接触区域,所述方法包括步骤: 提供太阳能电池半成品装置,该太阳能电池半成品装置具有第一面和相对的第二面,所述第一面用于捕获入射光,所述第二面用于装配到载体,所述太阳能电池装置设置有钝化层,该钝化层位于所述第一面和所述第二面的至少一个面上; 将电绝缘的、可固化的聚合物材料的光学透明结构应用在所述太阳能电池装置的至少一个面上的所述钝化层的上面,并且,使所述聚合物材料固化,使所述结构图案化,以形成通向至少所述第一接触区域的孔,且使所述结构作为对所述太阳能电池装置的保护;以及 通过电化学沉积,在所述孔中提供导电材料的所述接触结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光学透明结构的应用包括沉积第一层,所述第一层用作为下方钝化层的密封材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一层的厚度小于0.1微米。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,在所述光学透明结构和/或所述光学透明结构的第一层在沉积后均被图案化。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述图案化通过局部加热所述光学透明结构而发生。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,通过用光源、例如激光进行照射,实施所述局部加热。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的方法,其特征在于,在所述光学透明结构的所述第一层的沉积之后,使所述钝化层图案化,以便露出所述第一接触区域。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的方法,其特征在于,采用单个装置使所述钝化层和所述第一层图案化。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,采用不同波长使所述第一层和所述钝化层连续图案化。
10.根据权利要求2-9中任一项所述的方法,其特征在于,所述光学透明结构的应用还包括沉积具有微米级厚度的第二层。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,使所述第二层以不同于所述第一层的图案进行图案化。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,使所述第二层图案化,以限定至少一条沿着所述第一面或所述第二面延伸的通道,所述通道用于导体的沉积,所述导体用于将所述接触结构电连接到所述太阳能电池的至少一个端子。
13.根据权利要求10或11所述的方法,其特征在于,使所述第二层图案化,以限定用于所述太阳能电池的至少一个端子的端子区域。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的方法,其特征在于,采用印刷技术、如丝网印刷或喷墨印刷来沉积所述第二层。
15.根据权利要求10-14中任一项所述的方法,其特征在于,对所述第二层进行局部沉积,以便构成突出壁结构。
16.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述光学透明结构的厚度的范围为1-30微米。
17.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述可热固化材料为缩聚型聚合物的聚合物材料。
18.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括提供导体装置,所述导体装置将所述接触结构电连接到所述太阳能电池的至少一个端子和/或进一步的接触件,提供所述导体装置包括形成电导体,所述电导体越过所述光学透明结构或在所述光学透明结构中的通道中走向,并且所述电导体连接到所述接触结构。
19.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,所述电导体从所述太阳能电池装置的所述第一面延伸至所述太阳能电池装置的所述第二面。
20.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,所述电导体延伸至所述太阳能电池的第二面处的进一步的接触件。
21.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述光学透明结构应用在所述太阳能电池装置的所述第一面。
22.根据权利要求21所述的方法,其特征在于,所述太阳能电池装置包括半导体衬底和至少一层的无定形的半导体材料。
23.根据权利要求22所述的方法,其特征在于,所述太阳能电池装置为两面电池类型或HIT型太阳能电池。
24.根据权利要求21-23中任一项所述的方法,其特征在于,所述光学透明结构延伸至所述太阳能电池装置的所述第二面。
25.根据权利要求24所述的方法,其特征在于,所述光学透明结构构成封装。
26.根据权利要求1-19中任一项所述的方法,其特征在于,所述光学透明结构设置在所述第二面。
27.根据权利要求26所述的方法,其特征在于,所述指叉背接触(IBC)型太阳能电池的太阳能电池装置包括位于所述第二面的指叉第一端子和指叉第二端子,所述第一端子连接到所述半导体主体中的第一接触区域,所述第一接触区域掺杂有第一导电类型电荷载子,所述第二端子连接到所述半导体主体中的第二接触区域,所述第二接触区域掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的电荷载子。
28.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述光学透明结构包括用于增强光传输的添加剂。
29.一种太阳能电池,其包括太阳能电池装置,该太阳能电池装置设有带第一接触区域的半导体主体和位于该半导体主体上的钝化层,所述太阳电池装置具有第一面和相对的第二面,所述第一面用于捕获入射光,所述第二面用于装配到载体,其特征在于,所述太阳能电池还包括与所述第一接触区域连接的接触结构,且其中绝缘的、可固化聚合物材料的图案化的光学透明结构位于所述钝化层上,所述钝化层在所述太阳能电池装置的第一面和第二面中的至少一个面上,所述接触结构延伸穿过所述图案化的光学透明结构并穿过所述钝化层,并且电化学地被沉积。
30.根据权利要求29所述的太阳能电池,其特征在于,所述光学透明结构的第一层构成所述钝化层的密封材料。
31.根据权利要求30所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一层的厚度不超过0.1微米。
32.根据权利要求29-31中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池还包括第一端子,所述第一端子通过导体装置连接到所述接触结构,所述导体装置包括导体,所述导体越过所述光学透明结构走向或在所述光学透明结构中的通道中走向,所述光学透明结构在所述太阳能电池装置的所述第一面。
33.根据权利要求29-32中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池还包括在所述太阳能电池装置的所述第二面的进一步的接触件,所述进一步接触件通过导体装置连接到所述接触结构,所述过导体装置包括导体,所述导体越过所述光学透明结构走向或在所述光学透明结构中的通道中走向,所述光学透明结构在所述太阳能电池的所述第一面,并延伸至所述太阳能电池装置的所述第二面。
34.根据权利要求29-33中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述光学透明结构构成封装,并且在所述太阳能电池装置的所述第一面和所述第二面上延伸。
35.根据权利要求29-34所述的太阳能电池,其特征在于,所述半导体主体包括至少一个无定形的半导体层,以便限定例如两面电池类型或HIT电池型的太阳能电池。
36.根据权利要求29-35中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述光学透明结构至少设置在所述第二面,所述太阳能电池装置为指叉背接触(IBC)或异质结背接触型(HJ-BC),并且所述太阳能电池装置包括在所述第二面的指叉第一端子和指叉第二端子,所述第一端子连接到所述半导体主体中的第一接触区域,所述第一接触区域掺杂有第一导电类型电荷载子,所述第二端子连接到所述半导体主体中的第二接触区域,所述第二接触区域掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型电荷载子。
37.根据权利要求26-30中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述光学透明结构至少设置在所述第一面,所述太阳能电池装置为薄膜型(CdTe,CIGS等)。
38.一种在权利要求1-28中任一项所述的方法中使用的制造设备,所述制造设备包括: 涂覆装置,该涂覆装置用于使用电绝缘材料涂覆太阳能电池装置的至少一个面,以便提供光学透明结构; 卡盘,该卡盘用于支撑所述太阳能电池装置; 辐射源,该辐射源用于局部辐射所述光学透明结构,以便在所述光学透明结构中界定至少一个孔; 电化学沉积装置,该电化学沉积装置用于导电材料在所述孔中的沉积。
39.根据权利要求38中所述的制造设备,其特征在于,所述制造设备还包括印刷装置,所述印刷装置用于所述光学透明结构的第二层的沉积。
40.根据权利要求38或39所述的制造设备,其特征在于,所述制造设备还包括加热装置,所述加热装置用于使电绝缘材料固化。
【专利摘要】一种制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:提供包括半导体主体(10)和具有第一面(11)和相对第二面(12)的太阳能电池装置,第一面用于捕获入射光,第二面用于装载到载体,太阳能电池装置包括在第一面(11)和第二面(12)中的一侧的半导体主体(10)中的第一接触区域(13);应用电绝缘材料的光学透明结构(22)到太阳能电池装置的面(11,12)中的至少一个面,图案化所述光学透明结构以形成到第一接触区域(13)的孔;通过电化学沉积,在所述孔中提供导电材料的接触结构(41,42,43)。
【IPC分类】H01L31-0224, H01L31-0216, H01L31-18
【公开号】CN104737299
【申请号】CN201380054796
【发明人】约翰尼斯-雷恩德-马克·卢切斯, 罗伯特斯-阿德里亚努斯-玛利亚·沃尔特斯, 克拉斯·赫勒斯
【申请人】M4Si公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年8月29日
【公告号】EP2891185A1, WO2014035242A1
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