除所述遮挡图案60。
[0038]这里，优选采用不与所述ITO材料发生反应的材料去除所述遮挡图案。
[0039]示例的，所述遮挡图案60的材料可以为光刻胶材料，在此基础上，可以采用剥离液去除所述遮挡图案60，其中，由于ITO材料只能被硫酸、硝酸、醋酸等强酸材料刻蚀，而剥离液不会对ITO材料的透明电极50a造成影响。
[0040]所述透明电极50a例如可以是源极和漏极，在此情况下，所述TFT可以是透明TFT ;所述透明电极50a还可以是像素电极，当然也可是公共电极。
[0041]需要说明的是，本发明实施例以及附图3-5中以先形成栅极20和栅绝缘层30，后形成所述半导体层40为例进行说明，但本发明实施例并不限于此，具体可根据实际情况进行设定。
[0042]此外，本发明不对形成所述遮挡图案60和所述半导体层40的工艺过程进行限定。
[0043]本发明实施例提供一种TFT阵列基板的制备方法，通过在形成ITO材料的透明电极50a前，形成至少覆盖所述半导体层40的沟道区403的遮挡图案60，以在形成所述透明电极50a后，使产生的ITO残留501位于所述遮挡图案60上，这样在将所述遮挡图案60去除后，便可将位于其上的ITO残留501 —同去除，从而可以避免在沟道区403产生ITO残留501。
[0044]优选的，所述遮挡图案60与所述半导体层40通过一次构图工艺形成。
[0045]其中，本发明实施例中一次构图工艺是对应于一次掩膜工艺来说的，应用一次掩膜板制作完成某些图案层称为进行了一次构图工艺，其至少包括光刻胶涂布、应用掩膜板后的曝光、显影、刻蚀等步骤。
[0046]这样，在形成所述TFT阵列基板的过程中，可以避免由于制备遮挡图案60而导致的构图工艺次数的增加。
[0047]进一步优选的，所述遮挡图案60的材料为光刻胶材料，基于此，所述遮挡图案60与所述半导体层40可以通过一次构图工艺形成。具体的，所述遮挡图案60与所述半导体层40可以通过一次构图工艺形成可以包括如下步骤:
[0048]S101、如图6a所示，在基板上形成半导体薄膜40a，并在所述半导体薄膜40a上形成光刻胶薄膜70。
[0049]其中，所述基板可以是如图6a所示形成有栅极20和栅绝缘层30的基板，也可以是未形成构成TFT的任意图案层的衬底基板，例如可以是只形成平坦层的衬底基板。
[0050]本发明实施例不对所述半导体薄膜40a的材料进行限定，其可以是非晶硅材料，也可以是金属氧化物材料，当然也可以是其他，在此不做限定。
[0051]其中，当所述半导体薄膜40a的材料为非晶硅材料时，优选其为两层结构，即:所述半导体薄膜40a包括一层非晶硅薄膜和一层η+非晶硅薄膜(欧姆接触层薄膜)。
[0052]S102、如图6b所示，采用灰色调掩膜板80或半色调掩膜板对形成有所述光刻胶薄膜70的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分701、光刻胶半保留部分702和光刻胶完全去除部分703 ;其中，所述光刻胶完全保留部分701对应待形成所述遮挡图案60的区域，所述光刻胶半保留部分702对应待形成所述半导体层40中除与所述遮挡图案60对应的其他区域，所述光刻胶完全去除部分703对应除与半导体层40对应的其他区域。
[0053]参考图6b所示，所述半色调掩膜板80包括完全不透明部分801、半透明部分802、完全透明部分803 ;即:半色调掩膜板80是指在透明衬底材料上在某些区域形成不透光的遮光金属层，在另外一些区域形成半透光的遮光金属层，其他区域不形成任何遮光金属层；其中，所述半透光的遮光金属层的厚度小于所述完全不透光的遮光金属层的厚度；此外，可以通过调节所述半透光的遮光金属层的厚度来改变所述半透光的遮光金属层对紫外光的透过率。
[0054]基于此，所述半色调掩膜板80的工作原理说明如下:通过控制所述半色调掩膜板80上不同区域处遮光金属层的厚度，使曝光在不同区域的透过光的强度有所不同，从而使光刻胶薄膜70进行有选择性的曝光、显影后，形成与所述半色调掩膜板80的完全不透明部分801、半透明部分802以及完全透明部分803分别对应的光刻胶完全保留部分701、光刻胶半保留部分702、光刻胶完全去除部分703。
[0055]所述灰色调掩膜板的原理与所述半色调掩膜板70的原理类似。
[0056]其中，本发明所有实施例中所指的所述光刻胶均为正性胶。
[0057]当然，所述光刻胶也可以是负性胶，在此情况下，在曝光后，光刻胶完全保留部分701与所述半色调掩膜板80的完全透明部分803对应，光刻胶完全去除部分703与所述半色调掩膜板80的完全不透明部分801对应，具体原理与上述一致，在此不再赘述。
[0058]S103、如图6c所示，采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分703的所述半导体薄膜40a，形成所述半导体层40。
[0059]S104、如图6d所示，采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分702的光刻胶，所述光刻胶完全保留部分701形成所述遮挡图案60。
[0060]基于上述S101-S104步骤，当所述半导体层40包括非晶娃层401和η+非晶娃层402时，可以先在所述半导体层40上形成所述透明电极50a，然后去除所述遮挡图案60后，再对所述半导体层40的所述沟道区403进行刻蚀以露出所述非晶硅层401。
[0061]此处，本领域技术人员都知道，当对包括非晶硅层401和η+非晶硅层402的半导体层40的沟道区403进行刻蚀时，并不限于只将沟道区403的η+非晶硅层402刻蚀掉，也会将该沟道区403的非晶硅层401刻蚀一部分，具体以常规操作方法进行，在此不再赘述。
[0062]进一步的，所述方法还包括形成源极901和漏极902，在此基础上优选对所述半导体层40的所述沟道区403进行刻蚀以及形成源极901和漏极902通过一次构图工艺完成。
[0063]具体的，对所述半导体层40的所述沟道区403进行刻蚀以及形成源极901和漏极902通过一次构图工艺完成可以包括如下步骤:
[0064]S201、如图7a所示，在形成所述透明电极50a并去除所述遮挡图案60后，形成金属薄膜90a，并在所述金属薄膜90a上形成光刻胶薄膜70。
[0065]S202、如图7b所示，采用普通掩膜板对形成有所述光刻胶薄膜70的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分701和光刻胶完全去除部分703 ;其中，所述光刻胶完全保留部分701对应待形成包括所述源极和所述漏极的导电层的区域，所述光刻胶完全去除部分703对应除与待形成所述导电层对应的其他区域。
[0066]这里，所述导电层还可以包括数据线。
[0067]S203、如图7c所示，采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述金属薄膜90a形成所述源极901和所述漏极902，并对所述半导体层40的所述沟道区403进行刻蚀以露出所述非晶硅层401。
[0068]S204、如图7c所示，去除所述光刻胶完全保留部分701的光刻胶薄膜。
[0069]当然，所述源极901和所述漏极902也可以先于所述透明电极50a形成，即，如图8所示，在形成所述遮挡图案60后以及形成所述透明电极50a前，形成所述源极901和所述漏极902。在此情况下，所述遮挡图案60只与所述半导体层40的沟道区403对应。
[0070]在此基础上，在形成所述透明电极50a并去除所述遮挡图案60后，可对所述半导体层40的所述沟道区403进行刻蚀以露出所述非晶硅层401。
[0071]基于上述，考虑到采用ITO材料制作源极和漏极会导致其电阻较大，因此，优选所述透明电极50a为像素电极50。
[0072]进一步的，本发明提供的阵列基板适用于高级超维场转换技术(Advanced SuperDimens1nal Switching，简称ADS)型液晶显示装置的生产。其中，高级超维场转换技术，其核心技术特性描述为:通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(Push Mura)等优点。
[0073]因此，优选的，所述阵列基板的制备方法还包括