电子器件和用于制作电子器件的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子器件和用于制作电子器件的方法。
【背景技术】
[0002]包括半导体芯片的电子器件可以展现寄生的源极或发射极电感和寄生的漏极或集电极电感。源极/发射极电感可以是比漏极/集电极电感更重要得多。减小寄生电感可以改进电子器件的效率。
[0003]出于这些和其它原因，存在对本发明的需要。
【附图说明】
[0004]图1A — IF以横截面视图示出电子器件的实施例。
[0005]图2以横截面视图示出电子器件的进一步实施例。
[0006]图3A — 3D示出电子器件的进一步实施例。图3A — 3C示出顶视图并且图3D示出横截面视图。
[0007]图4以横截面视图示出电子器件的实施例。
[0008]图5以横截面视图示出电子器件的实施例。
[0009]图6示出用于制作电子器件的方法的实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0010]现在参考附图来描述方面和实施例。在下面的描述中，出于解释的目的，阐明许多特定的细节以便提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。要理解的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其它实施例并且可以做出结构或逻辑的改变。应该进一步注意的是，附图并不是成比例或不是必要成比例。
[0011]在下面的详细描述中参考附图，附图形成本文的部分并且在附图中通过图示的方式示出了在其中可以实践本发明的特定实施例。然而，对于本领域的技术人员可以显而易见的是，可以用这些特定细节的更低程度来实践实施例的一个或多个方面。在其它实例中，以示意性形式来示出已知的结构和元件，以便促进描述实施例的一个或多个方面。在这点上，参考正被描述的(一个或多个)附图的定向来使用方向术语诸如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因为可以以多种不同的定向将实施例的部件定位，所以方向术语是为了图示的目的使用的而绝非加以限制。要理解的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其它实施例并且可以进行结构的或逻辑的改变。因此，下面的详细描述不要以限制的意义理解，并且本发明的范围由所附权利要求来限定。
[0012]此外，虽然可以仅关于若干实施方式中的一个来公开实施例中的具体的特征或方面，但是这样的特征或方面可以与其他实施方式中的一个或多个其它特征或方面相结合，如对于任何给定或具体的应用而可能是所期望和有利的，除非特别地另外注释或除非技术约束。而且，就在具体描述或权利要求中使用术语“包含”、“含有”、“具有”或它们的其它变型来说，这些术语旨在与术语“包括”类似的方式是包含性的。术语“耦合”和“连接”与它们的派生词一起，可以被使用。应当理解的是，这些术语可以用来指示两个元件互相协作或相互作用而不管它们处于直接的物理接触或电接触，还是它们不处于直接的相互接触；在“接合”、“附接”、或“连接”的元件之间可以提供介入元件或层。而且，术语“示例性”仅仅意味着作为示例而不是最佳或最优的。因此，下面的详细描述不要以限制的意义理解，并且本发明的范围由所附权利要求来限定。
[0013]下面进一步描述的(一个或多个)半导体芯片可以具有不同类型，可以通过不同的技术来制造并且可以例如包含集成的电、电光或电机械电路和/或无源、逻辑集成的电路、控制电路、微处理器、存储器器件等。
[0014]电子器件和用于制作电子器件的方法的实施例可以使用各种类型的半导体芯片或被合并在半导体芯片中的电路，其中有AC/DC或DC/DC转换器电路、功率MOS晶体管、功率肖特基二极管、JFET (结型栅极场效应晶体管)、功率双极型晶体管、逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、传感器电路、MEMS (微机电系统)、功率集成电路、具有集成无源器件的芯片等。实施例也可以使用半导体芯片，该半导体芯片包括MOS晶体管结构或垂直晶体管结构，像例如IGBT (绝缘栅双极型晶体管)结构或大体上在其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主表面上并且至少一个其它电接触焊盘被布置在与半导体芯片的第一主表面相对的半导体芯片的第二主表面上的晶体管结构。而且，绝缘材料的实施例可以例如被用于提供各种类型的外壳中的绝缘层以及用于电路和部件的绝缘，和/或用于提供各种类型的半导体芯片或被合并在半导体芯片中的电路(包括上面提到的半导体芯片和电路)中的绝缘层。
[0015](一个或多个)半导体芯片能够从特定的半导体材料(例如S1、SiC,SiGe, GaAs,GaN)中或从任何其它半导体材料中来制造，并且此外可以含有不是半导体的无机和有机材料(诸如例如绝缘体、塑料或金属)中的一个或多个。
[0016]本文所考虑的(一个或多个)半导体芯片可以是薄的。为了允许对半导体芯片的处置或操纵(例如，对于封装、effLP (嵌入晶圆级封装)或半导体器件组装所要求的处置/操纵)，半导体芯片可以形成复合芯片的部分。复合芯片可以包括半导体芯片和被固定到半导体芯片的加强的芯片。加强的芯片给复合芯片增加稳定性和/或强度以使它可管理。
[0017]下面描述的器件可以包含一个或多个半导体芯片。通过示例的方式，可以包含一个或多个半导体功率芯片。进一步，一个或多个逻辑集成电路可以被包含在器件中。逻辑集成电路可以被配置成控制其它半导体芯片的集成电路(例如功率半导体芯片的集成电路)。逻辑集成电路可以被实施在逻辑芯片中。
[0018](一个或多个)半导体芯片可以具有允许与在(一个或多个)半导体芯片中所包含的集成电路达成电接触的接触焊盘(或电极)。该电极可以全部被布置在(一个或多个)半导体芯片的仅一个主面或被布置在(一个或多个)半导体芯片的两个主面。它们可以包含施加到(一个或多个)半导体芯片的半导体材料的一个或多个电极金属层。可以按任何期望的几何形状和任何期望的材料成分来制造电极金属层。例如，它们可以包括以下组中所选择的材料或用以下组中所选择的材料制成:Cu、N1、Ni Sn、Au、Ag、Pt、Pd、这些金属中的一个或多个的合金、导电有机材料或导电半导体材料。
[0019]可以将(一个或多个)半导体芯片接合到载体。载体可以是被用于封装的(永久)器件载体。载体可以包括或由任何种类的材料(如例如，陶瓷或金属材料、铜或铜合金或铁/镍合金)组成。载体能够与(一个或多个)半导体芯片的一个接触元件机械连接和电连接。(一个或多个)半导体芯片能够通过回流焊接、真空焊接、扩散焊接或借助于导电粘合剂的粘合中的一个或多个被连接到载体。如果扩散焊接被用作(一个或多个)半导体芯片与载体之间的连接技术，则焊料材料能够被使用，其由于在焊接工艺之后的界面扩散过程导致半导体与载体之间的界面处的金属间相。在铜或铁/镲载体的情况下，使用包括AuSn、AgSn、CuSn> Agin、AuIn 或 CuIn 或由 AuSn、AgSn> CuSn> Agin、AuIn 或 CuIn 组成的焊料材料是因此所期望的。可替代地，如果(一个或多个)半导体芯片要被粘合到载体，则能够使用导电粘合剂。例如，该粘合剂能够是基于能够富含有金、银、镍或铜的粒子以增强它们的导电率的环氧树脂。
[0020](一个或多个)半导体芯片的接触元件可以包括扩散阻挡层。该扩散阻挡层防止在扩散焊接的情况下焊料材料从载体扩散到(一个或多个)半导体芯片中。例如，接触元件上的薄的钛层可以实现这样的扩散阻挡层。
[0021]例如，可以通过焊接、胶合、或烧结来完成将(一个或多个)半导体芯片接合到载体。在通过焊接将(一个或多个)半导体芯片附着的情况下，软焊料材料或特别是能够形成扩散焊料接合的焊料材料可以被使用，例如，包括选自以下组中的一个或多个金属材料的焊料材料:Sn、SnAg> SnAu> SnCu> In、InAg、InCu 和 InAu。
[0022](一个或多个)半导体芯片可以用密封材料被覆盖以便被嵌入在密封剂(人工晶圆)中用于eWLP处理或在被接合到器件载体(衬底)之后被嵌入在密封剂中。密封材料可以是电绝缘的。密封材料可以包括或由任何适当的塑料或聚合物材料(诸如例如硬质塑料材料、热塑料材料或热固材料或层压材料(预浸渍材料))制成，并且例如可以含有填充剂材料。可以采用各种技术来用密封材料将(一个或多个)半导体芯片密封，例如压缩成型、注入成型、粉末成型、液体成型或者层压。热和/或压力可以用来施加密封材料。
[0023]在若干实施例中，层或层堆叠被相互施加或材料被施加或沉积到层上。应当意识到的是，任何