电子器件和制造电子器件的方法
【技术领域】
[0001]本发明的各个实施例涉及一种电子器件和一种制造电子器件的方法。更具体地，本发明的各个实施例涉及包括接线键合的电子器件。
【背景技术】
[0002]一种电子器件可以包括半导体元件和将半导体元件连接至衬底的接线键合。在特定应用中，标准键合接线可能呈现次佳的机械或电性质。出于这些以及其它原因，有对本发明的需要。
【发明内容】
[0003]根据本发明的实施例，提供了一种电子器件，其包括:第一衬底和第二衬底、以及将第一衬底和第二衬底连接的电连接，其中电连接包括编织键合接线。
[0004]根据本发明的实施例，进一步提供了一种电子器件，其包括:半导体元件、连接至半导体元件的键合接线，其中键合接线包括非圆形的截面。
[0005]根据本发明的实施例，进一步提供了一种制造电子器件中的电连接的方法，其包括:提供第一衬底和第二衬底；提供键合接线；使用键合接线将第一衬底和第二衬底电连接；其中键合接线是编织键合接线。
【附图说明】
[0006]本说明书包括附图以提供对各个实施例的进一步理解，并将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。另外应当注意，附图未按比例，或者不一定按比例绘制。
[0007]图1示意性地示出半导体器件的实施例。
[0008]图2示意性地示出编织(woven)键合接线的实施例。
[0009]图3示意性地示出编织键合接线的实施例，其中股线(strand)可以包括不同材料。
[0010]图4示意性地示出编织键合接线的实施例的截面图。
[0011]图5A示意性地示出编织键合接线的实施例的截面图，其中对每条股线单独进行涂覆(coat)。
[0012]图5B示意性地示出编织键合接线的实施例的截面图，其中使用单个涂覆层(coating)涂覆整个编织键合接线。
[0013]图6示意性地示出包括编织键合接线的电子器件的另外的实施例。
[0014]图7示意性地示出包括编织键合接线的电子器件的实施例与包括常规键合接线的另一电子器件的对比。
[0015]图8示出键合至衬底的键合接线球的电子显微镜视图。
[0016]图9示意性地示出包括如在本领域熟知的球键合(ball bonding)中使用的无空气球(FAB, Free Air Ball)的键合接线。
[0017]图10示意性地示出一种用于使用编织键合接线来制造接线键合的设备的实施例。
[0018]图11示出一种用于使用编织键合接线来制造接线键合的方法的框图。
【具体实施方式】
[0019]参照附图对本发明的各个方面和实施例进行描述。在以下描述中，出于解释目的，阐述大量具体细节以提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。应当理解，也可以利用其它实施例，并且可以在不背离本发明的范围的情况下做出结构上或者逻辑上的改变。
[0020]在以下详细描述中，参照附图以形成详细描述的一部分，并且其中通过说明方式示出可以实践本发明的特定的实施例。然而，对于本领域的技术人员可以是显而易见的是，实施例的一个或多个方面可以利用较少程度的特定细节来实践。在其它情况中，以示意性形式示出已知的结构和元件，以便简化对实施例的一个或多个方面的描述。就此而言，方向术语诸如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等等都是参照所描述的一个或多个附图的取向来使用。由于实施例的部件能以许多不同取向进行定位，所以方向术语出于说明目的被使用而决不是为了限制。应当理解，在不背离本发明的范围的情况下，其它实施例也可以利用，并且可以做出结构上或逻辑上的改变。因此，以下【具体实施方式】不应视为限制性的，并且本发明的范围由所附的权利要求书限定。
[0021]另外，虽然可就若干实施方式中的仅仅一个，来将实施例的特定的特征或方面公开；但是如对于任何给定或特定的应用可能是所期望的或有利的那样，这类特征或方面可与其它实施方式的一个或多个其它特征或方面组合，除非另外特别指出或者除非在技术上受到限制。此外，对于在详细说明或权利要求书中术语“包含”、“具有”、“带有”或其其它变型的使用范围而言，这类术语旨在是包括性的，以类似于术语“包括”的方式。术语“耦合”和“连接”与其衍生词一起可被使用。应当理解，这些术语可以用于指示两个元件彼此协作或者相互作用，无论它们是直接物理或电接触，还是它们彼此直接接触；在“键合”、“附接”或“连接”的元件之间可以设置居间元件或层。而且，术语“示例性的”仅仅意指示例，而非最好或最佳的。因此，以下详细说明不应视为限制性的，并且本发明的范围由所附的权利要求书限定。
[0022]以下进一步描述的一个或多个半导体芯片可以是不同类型的，可以通过不同技术制造，并且可以包括例如集成的电子、光电或机电的电路、和/或无源元件、逻辑集成电路、控制电路、微处理器、存储器件等等。
[0023]电子器件和用于制造电子器件的方法的实施例可以使用各种类型的半导体芯片或并入半导体芯片的电路，其中包括AC/DC或DC/DC转换器电路、功率MOS晶体管、功率肖特基二极管、JEFT(结型栅极场效应晶体管)、功率双极型晶体管、逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、传感器电路、MEMS(微机电系统)、功率集成电路、带有集成无源元件的芯片等等。实施例还可以使用包括MOS晶体管结构或者垂直晶体管结构的半导体芯片，例如，IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)结构，或者一般来讲，这样的晶体管结构:至少一个电接触焊盘布置在半导体芯片的第一主面上，并且至少一个其它电接触焊盘布置在与半导体芯片的第一主面相对的半导体芯片的第二主面上。此外，绝缘材料的实施例可以例如用于:提供用于电路和部件的各种类型的外壳和绝缘中的绝缘层，以及/或者用于提供包括上述半导体芯片和电路的各种类型的半导体芯片或并入半导体芯片的电路中的绝缘层。
[0024]一个或多个半导体芯片可从特定的半导体材料例如S1、SiC, SiGe, GaAs, GaN制造、或从任何其它半导体材料制造，并且还可以包含不是半导体的一种或多种无机和有机材料，诸如像绝缘体、塑料或者金属。
[0025]本文所公开的一个或多个半导体芯片可为薄的。为了允许处理或操作半导体芯片，例如，封装、eWLP(嵌入式晶片级封装)、或半导体器件组装所要求的处理/操作，该半导体芯片可以形成复合芯片的一部分。复合芯片可以包括半导体芯片和固定到该半导体芯片的增强芯片。增强芯片使得复合芯片的稳定性和/或强度增加，以使其易于管理。
[0026]以下所描述的器件可以包括一个或多个半导体芯片。举例而言，可以包括一个或多个半导体功率芯片。另外，一个或多个逻辑集成电路可以包括在器件中。逻辑集成电路可以被配置用于控制其它半导体芯片的集成电路，例如功率半导体芯片的集成电路。逻辑集成电路可以实现在逻辑芯片中。
[0027]一个或多个半导体芯片可以具有接触焊盘(或者电极)，该接触焊盘(或者电极)允许实现与一个或多个半导体芯片中包括的集成电路的电接触。电极可以全部被布置在一个或多个半导体芯片的仅仅一个主面，或者被布置在一个或多个半导体芯片的两个主面。它们可以包括被应用到一个或多个半导体芯片的半导体材料的一个或多个电极金属层。电极金