电子器件的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及电子器件的制造方法及薄膜的制造方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光元件（有时称作有机化元件。）、有机光电转换元件、有机薄膜晶体 管等电子器件具有2个W上的电极、和设于该2个W上的电极间的有机薄膜。在此种电子 器件中，有时也具有层叠了包含有机薄膜的多个层的结构下有时称作层叠结构。）。
[0003] 例如在有机化元件的制造方法中，已知有利用喷墨法等涂布法在规定的区域涂 布涂布液而形成涂布膜、向该涂布膜照射激光而使之干燥的有机薄膜的形成工序（参照专 利文献1。）。
[0004] 现有技术文献 [000引专利文献
[0006] 专利文献1 ;国际公开第2006/064792号
【发明内容】
[0007] 发明所要解决的问题
[000引在电子器件的制造方法中，在连续地利用涂布法形成设于2个W上的电极间的层 叠结构当中的2层W上的层（薄膜）的情况下（有时将先形成的层称作下层，将与下层接 合而在之后形成的另一层称作上层。），在形成上层时，将用于形成该上层的涂布液涂布在 下层的表面。此时，存在有下层的一部分或全部溶解在涂布于该下层上的涂布液中的情况。 为了防止此种下层的溶解，在形成下层时，例如可W使用导入了交联性基团的材料、或使材 料中含有交联剂而使下层的构成成分交联固化。然而，在通过使用导入了交联性基团的材 料、或者使用交联剂并进行加热处理而进行交联反应的情况下，需要长时间的加热处理。
[0009] 因而，也可W考虑通过照射像激光那样强的光而在短时间内进行交联反应，然而 在该情况下，基板、或已经设置的电极及功能层的温度就会过度地升高，有可能使得基板变 形、或电极、功能层受到损伤。
[0010] 本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供可W抑制基板的变形、电极、 功能层的劣化等损伤的电子器件的制造方法及该电子器件中所用的薄膜的制造方法。
[0011] 用于解决问题的方法
[0012] 本发明提供下述山~巧]。
[001引 山一种电子器件的制造方法，是具有2个W上的电极、和设于所述2个W上的电 极间的有机薄膜的电子器件的制造方法，包括：
[0014] 涂布含有具有交联性基团的材料的涂布液而形成涂布膜的工序、W及
[0015] 通过向所述涂布膜反复照射电磁波而使所述交联性基团交联来形成所述有机薄 膜的工序。
[0016] 凹根据山中记载的电子器件的制造方法，其中，所述电磁波的发生源是氣闪光 灯。
[0017] [3]根据[1]或巧]中记载的电子器件的制造方法，其中，形成所述有机薄膜的工 序是隔着波长为400皿W下的电磁波的透射率为10%W下的滤波器反复照射所述电磁波 而形成所述有机薄膜的工序。
[001引[句根据山~巧]中任一项记载的电子器件的制造方法，其中，所述电子器件是 有机电致发光元件、有机光电转换元件、或有机薄膜晶体管。
[0019] 閒根据山~M中任一项记载的电子器件的制造方法，其中，准备卷绕在退卷 漉上的提曲性基板，在将从所述退卷漉中退卷的所述提曲性基板卷绕在卷绕漉上的同时进 行形成所述有机薄膜的工序。
[0020] [6]根据山~閒中任一项记载的电子器件的制造方法，其中，将所述电磁波的 脉冲峰值能量设为15. 0kW/cm2W下而进行形成所述有机薄膜的工序。
[0021] [7]根据山~[6]中任一项记载的电子器件的制造方法，其中，将所述电磁波的 1个脉冲的时间宽度设为160ySW下而进行形成所述有机薄膜的工序。
[00巧閒一种薄膜的制造方法，包括：
[0023] 涂布含有具有交联性基团的材料的涂布液而形成涂布膜的工序、W及
[0024] 通过向所述涂布膜反复照射电磁波而使所述交联性基团交联来形成薄膜的工序。 [00 2引发明的效果
[0026] 根据本发明的电子器件的制造方法及薄膜的制造方法，在利用涂布法形成薄膜 时，可W在短时间内将薄膜固化的同时，抑制基板、或已经设置的电极及功能层的损伤，其 结果是，可W使所制造的电子器件的性能提高。
【附图说明】
[0027] 图1是表示所用的滤波器的特性的曲线图（1)。
[002引图2是表示所用的滤波器的特性的曲线图（2)。
【具体实施方式】
[0029]W下，对本发明的电子器件的制造方法进行说明。
[0030] 本发明的电子器件的制造方法是具有2个W上的电极、和设于该2个W上的电极 间的有机薄膜的电子器件的制造方法，包括：涂布含有具有交联性基团的材料的涂布液而 形成涂布膜的工序、通过向涂布膜反复照射电磁波而使交联性基团交联来形成有机薄膜的 工序。
[0031] 作为本发明的电子器件的例子，可W举出有机化元件、有机光电转换元件、有机 薄膜晶体管等。
[0032] 本发明的电子器件中所用的有机薄膜可W优选地适用于在该有机薄膜上利用涂 布法形成薄膜的情况。
[003引就本发明的电子器件中所用的有机薄膜而言，例如如果是有机化元件，则可W适 用于利用涂布法形成的空穴传输层、发光层、电子传输层等中，如果是有机光电转换元件， 则可W优选地适用于利用涂布法形成的空穴传输层、活性层、电子传输层等中，如果是有机 薄膜晶体管，则可W优选地适用于利用涂布法形成的空穴注入层、活性层、电子注入层等 中。
[0034]另外，所谓"设于电极间的有机薄膜"，是指W可W成为在电极间移动的电子或空 穴的路径的至少一部分的方式配置的有机薄膜。
[0035](涂布含有具有交联性基团的材料的涂布液而形成涂布膜的工序）
[0036] 首先，准备涂布液。在涂布液中，至少含有作为主成分的材料和溶剂。对于作为主 成分的材料的例子，可W举出电子器件为有机化元件时的发光材料、空穴传输材料、电子 器件为有机光电转换元件时的光电转换材料等用于表现出有机薄膜的规定的功能的材料。 在作为主成分的材料中，包括两种情况，（1)用于表现出有机薄膜的规定的功能的材料本身 不具有交联性基团，作为具有交联性基团的材料还含有交联剂；（2)用于表现出有机薄膜 的规定的功能的材料本身具有交联性基团。
[0037] 作为用于涂布所准备的涂布液而形成涂布膜的涂布法的例子，可W举出旋涂法、 诱铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、椿涂法、漉涂法、线椿涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印 巧IJ法、柔版印刷法、胶版印刷法、及喷墨打印法等。涂布法能W在常压程度的气氛、甚至是在 大气气氛下涂布涂布液的工序的形式来实施。
[003引（通过向涂布膜反复照射电磁波而使交联性基团交联来形成有机薄膜的工序）
[0039] 然后，向所形成的涂布膜反复照射电磁波。所谓"向涂布膜反复照射电磁波"，是 指向涂布膜的任意的部位反复照射电磁波。作为放射电磁波的发生源，既可W是W恒定的 强度连续地放射电磁波的发生源，也可W是W脉冲状放射电磁波的发生源。而且，在使用连 续地放射电磁波的发生源的情况下，将从该发生源放射的电磁波例如用斩波器等间歇地截 断，向涂布膜间歇地照射电磁波。
[0040] 通过反复照射电磁波，就会交替重复向涂布膜照射电磁波的状态、和不照射电磁 波的状态。W下，在照射电磁波的状态、和不照射电磁波的状态的1次重复中，将照射电磁 波的状态的电磁波的连续称作1个脉冲。
[0041] 1个脉冲的时间宽度（称作脉冲宽度。）如果过长，则基板等就被过度地加热， 如果过短，则不能说交联反应充分，固化工序中所需的时间变得过长，因此适合为1yS~ lOOOy S，优选为50y S~500 y S，更优选为50y S~160y S，进一步优选为50y S~ 100 y S。
[0042] 另外，重复的周期如果过长，不照射电磁波的状态就会变短，基板等被过度地 加热，如果过短，固化工序中所需的时间就会变得过长，因此照射电磁波的状态适合W 0. mz~500化的周期重复，优选W 1化~50化的周期重复。而且所谓照射电磁波的状态 被W XHz重复，是指在1秒间照射X次1个脉冲的电磁波。
[0043] 另外，1个脉冲的能量如果过高，则基板等就被过度地加热，如果过低，则不能说交 联反应充分，固化工序中所需的时间变得过长，因此适合为0.1 J/cm2~lOOJ/cm2,优选为 0. 5J/cm2~50J/cm2。
[0044] 另外，1个脉冲的峰值能量（称作脉冲峰值能量。）如果过高，则基板等就被过度 地加热，如果过低，则不能说交联反应充分，固化工序中所需的时间变得过长，因此适合为 0. 05kW/cm2~500kW/cm2,优选为5. OkW/cm2~15. OkW/cm2,更优选为5. OkW/cm2~8.OkW/ cm2。
[0045] 另外，通过反复照射电磁波，向任意的部位照射的电磁波的总能量适合为100J/ 畑12~10000]7畑12，优选为 500]7畑12~5000]7畑12。
[0046] 所照射的电磁波的波长没有特别限制，然而如果考虑不损害所形成的薄膜、其他 构成要素的功能、性状，则优选设为可见光到近红外光的范围（波长为400nm~llOOnm左 右的范围）。
[0047] 作为电磁波的发生源的例子，可W举出激光、氣闪光灯、高压水银灯、面素灯等。作 为电磁波的发生源，优选使用氣闪光灯，例如可W使用具有日本特开2003-338265号所公 开的构成的氣闪光灯作为电磁波