起依次将各层层叠于基板上，在将阴极配置于基板侧的方式中从阴极（各构 成a~k的右侧）起依次将各层层叠于基板上。有机化元件既可W是从基板侧射出光的 底发射型，也可W是从与基板相反一侧射出光的顶发射型。
[0094] 下面，对构成有机化元件的各层的材料及形成方法进行更具体的说明。
[00巧] < 基板〉
[0096] 基板适合使用在有机化元件的制造工序中不会化学地变化的基板，例如既可W 是玻璃基板、娃基板等刚性基板，也可W是塑料基板、高分子膜等提曲性基板。通过使用提 曲性基板，就可W形成作为整体而言为提曲性的有机化元件，可W利用卷对卷方式形成有 机化元件。而且在基板上也可W预先形成用于驱动有机化元件的电极、驱动电路。
[0097] < 阳极〉
[009引在从发光层放射的光从阳极通过而射出的构成的有机化元件的情况下，在阳极 中使用显示出透光性的电极。作为显示出透光性的电极，可W使用电导率高的金属氧化物、 金属硫化物及金属等的薄膜，适合使用透光率高的薄膜。例如可W使用包含氧化铜、氧化 锋、氧化锡、ITO、铜锋氧化物（IndiumZinc化ide;简称为IZO)、金、销、银、及铜等的薄膜， 它们当中，适合使用包含ITO、IZO、或氧化锡的薄膜。作为阳极的形成方法的例子，可W举 出真空蒸锻法、瓣射法、离子锻法、锻敷法等。另外，作为该阳极，也可W使用聚苯胺或其衍 生物、聚唾吩或其衍生物等有机物的透明导电膜。
[0099] 在阳极中，也可W使用反射光的材料，作为该材料，优选功函数为3.OeVW上的金 属、金属氧化物、金属硫化物。
[0100] 阳极的厚度可W考虑光的透射性、电导率等适当地确定。阳极的厚度例如为 lOnm~10ym，优选为20nm~1ym，更优选为50nm~500nm。
[0101] <空穴注入层〉
[0102] 作为构成空穴注入层的空穴注入材料的例子，可W举出氧化饥、氧化钢、氧化钉、 及氧化侣等氧化物、苯胺化合物、星状爆炸型胺化合物、献菁化合物、非晶碳、聚苯胺、及聚 己締二氧唾吩（P邸0T)之类的聚唾吩衍生物等。
[0103] 作为空穴注入层的形成方法，例如可W举出使用含有空穴注入材料的墨液的已经 说明过的涂布法。另外空穴注入层也可W利用与涂布法不同的规定的公知的方法形成。
[0104] 空穴注入层的厚度的最佳值根据所用的材料而不同，可W考虑所要求的特性及成 膜的简易性等适当地确定。空穴注入层的厚度例如为1皿~1ym，优选为2皿~500皿，更 优选为5nm~200nm。
[0105] <空穴传输层〉
[0106] 对于空穴传输层的形成方法，没有特别限制。在空穴传输层的形成方法中，在使用 低分子的空穴传输材料的情况下，可W举出使用含有高分子粘合剂和空穴传输材料的混合 液的形成方法，在使用高分子的空穴传输材料的情况下，可W举出使用含有空穴传输材料 的墨液的利用涂布法的形成方法。
[0107] W下，对在利用使用含有空穴传输材料的墨液的涂布法形成空穴传输层的工序中 应用如下工序的例子进行说明，即，上述的"涂布含有具有交联性基团的材料的涂布液而形 成涂布膜的工序、和通过向涂布膜反复照射电磁波而使交联性基团交联来形成有机薄膜的 工序"。
[0108] 本发明的有机化元件所具有的空穴传输层含有空穴传输材料。空穴传输材料只 要是具有空穴传输功能的有机化合物，就没有特别限定。作为具有空穴传输功能的有机化 合物的具体例，可W举出聚己締基巧挫或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具 有芳香族胺残基的聚硅氧烷衍生物、化挫咐衍生物、芳基胺衍生物、巧衍生物、=苯基二胺 衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚唾吩或其衍生物、聚化咯或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、 聚对苯己诀或其衍生物、聚巧衍生物、具有芳香族胺残基的高分子化合物、及聚（2,5-唾吩 己诀）或其衍生物。
[0109]具有空穴传输功能的有机化合物优选为高分子化合物、例如聚合物。该是因为， 如果具有空穴传输功能的有机化合物为高分子化合物，则成膜性提高，可W使得有机化元 件的发光性均匀。例如，具有空穴传输功能的有机化合物的聚苯己締换算的数均分子量为 10000W上，优选为3.0Xl〇4~5. 0X10 5,更优选为6.0Xl〇4~1.2X10 5。另外，具有空穴 传输功能的有机化合物的聚苯己締换算的重均分子量为1. 0X104W上，优选为5. 0X104~ 1. 0X1〇6,更优选为 1. 0X1〇5~6. 0X10 5。
[0110] 具体而言，作为空穴传输材料的例子，可W举出日本特开昭63-70257号公报、日 本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平2-135361号公报、 日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公报、日本特开平3-152184号公报中 记载的空穴传输材料等。
[0111] 它们当中，作为具有空穴传输功能的有机化合物，优选聚己締基巧挫或其衍生物、 聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺残基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍 生物、聚唾吩或其衍生物、聚巧衍生物、具有芳香族胺残基的高分子化合物、聚对苯己诀或 其衍生物、及聚（2, 5-唾吩己诀）或其衍生物等高分子空穴传输材料，更优选为聚己締基巧 挫或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺残基的聚硅氧烷衍生物、 聚巧衍生物、具有芳香族胺残基的高分子化合物。在具有空穴传输功能的有机化合物为低 分子的情况下，优选使之分散于高分子粘合剂中后使用。
[0112] 作为具有空穴传输功能的有机化合物的聚己締基巧挫或其衍生物例如可W通过 使己締基单体阳离子聚合、或自由基聚合而得到。
[0113]对于作为具有空穴传输功能的有机化合物的聚硅烷或其衍生物的例子，可W举出 化学评论（化em.Rev.)第89卷、1359页（1989年）、英国专利GB2300196号公开说明书中 记载的化合物等。合成方法也可W使用该些文献中记载的方法，尤其适用Kipping法。
[0114]作为聚硅氧烷或其衍生物，由于在硅氧烷骨架结构中基本上没有空穴传输性，因 此适合使用在侧链或主链中具有上述低分子空穴传输材料的结构的化合物。特别是可W举 出在侧链或主链中具有空穴传输性的芳香族胺残基的化合物。
[0115]作为具有空穴传输性的有机化合物，优选具有W下述式（1)表示的亚巧基的聚合 物。该是因为，在使之与具有稠环或多个芳香环的有机化合物接触而制成有机化元件的空 穴传输层的情况下，空穴注入效率提高，驱动时的电流密度变大。
[0116][化1]
[0117]
【主权项】
1. 一种电子器件的制造方法，是具有2个以上的电极、和设于所述2个以上的电极间的 有机薄膜的电子器件的制造方法， 包括： 涂布含有具有交联性基团的材料的涂布液而形成涂布膜的工序、以及 通过对所述涂布膜反复照射电磁波而使所述交联性基团交联来形成所述有机薄膜的 工序。
2. 根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中， 所述电磁波的发生源为氙闪光灯。
3. 根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中， 形成所述有机薄膜的工序是隔着波长为400nm以下的电磁波的透射率为10%以下的 滤波器、反复照射所述电磁波而形成所述有机薄膜的工序。
4. 根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中， 所述电子器件是有机电致发光元件、有机光电转换元件、或有机薄膜晶体管。
5. 根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中， 准备卷绕在退卷辊上的挠曲性基板，在将从所述退卷辊中退卷的所述挠曲性基板卷绕 在卷绕辊上的同时进行形成所述有机薄膜的工序。
6. 根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中， 将所述电磁波的脉冲峰值能量设为15.OkW/cm2以下而进行形成所述有机薄膜的工序。
7. 根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中， 将所述电磁波的1个脉冲的时间宽度设为160ys以下而进行形成所述有机薄膜的工 序。
8. -种薄膜的制造方法，其包括： 涂布含有具有交联性基团的材料的涂布液而形成涂布膜的工序、以及 通过对所述涂布膜反复照射电磁波而使所述交联性基团交联来形成薄膜的工序。
【专利摘要】本发明的目的在于，在利用涂布法形成薄膜时，抑制基板、或者已经设置的电极及功能层的损伤。本发明提供一种电子器件的制造方法，是具有2个以上的电极、和设于所述2个以上的电极间的有机薄膜的电子器件的制造方法，包括：涂布含有具有交联性基团的材料的涂布液而形成涂布膜的工序、和通过对所述涂布膜反复照射电磁波而使所述交联性基团交联来形成所述有机薄膜的工序。
【IPC分类】H05B33-10, H01L21-338, H01L21-368, H01L51-40, H01L29-812, H01L51-42, H01L21-337, H01L29-808, H01L21-336, H01L51-50, H01L51-05, H01L29-786
【公开号】CN104718798
【申请号】CN201380052889
【发明人】六原行一, 佐佐修一
【申请人】住友化学株式会社
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2013年10月7日
【公告号】EP2908608A1, US20150280126, WO2014061493A1