N型ldmos器件及工艺方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，特别是指一种N型LDMOS器件，本发明还涉及所述N型LDMOS器件的工艺方法。
【背景技术】
[0002]DMOS由于具有耐高压，大电流驱动能力和极低功耗等特点，目前在电源管理电路中被广泛采用。在B⑶工艺中，DMOS虽然与CMOS集成在同一块芯片中，但由于高耐压和低导通电阻的要求，DMOS在本底区和漂移区的条件与CMOS现有的工艺条件共享的前提下，其导通电阻与击穿电压存在矛盾，往往无法满足开关管应用的要求。在LDMOS器件中，导通电阻是一个重要的指标。因此，为了制作高性能的LDM0S，需要采用各种方法优化器件的导通电阻及击穿电压。
[0003]目前常规的N型LDMOS的结构如图1所示，图中包含P型衬底101，N型埋层102，N型深阱103，P阱107，栅氧化层10，8，多晶硅栅极109，重掺杂N型区(源区)111及重掺杂N型区(漏区)115。这种结构没有对器件的电场分布进行优化，表面的电场强度较高，击穿电压不够理想。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种N型LDMOS器件，改善漂移区电势分布，提高器件的击穿电压。
[0005]为解决上述问题，本发明提供一种N型LDMOS器件，在P型衬底上具有N型埋层，埋层上为N型深阱；所述N型深阱中具有P阱，P阱中包含有重掺杂P型区以及所述LDMOS器件的源区，硅衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极；所述N型深阱中还具有LDMOS器件的漏区，引线通过接触孔将重掺杂P型区、源区以及漏区引出；所述的P阱中的重掺杂P型区与源区之间以STI场氧隔离，LDMOS器件的漂移区中漏区两侧具有STI场氧，漂移区是以不同注入能量形成的不同深度的分层漂移区。
[0006]进一步地，所述的STI场氧，或者为L0C0S。
[0007]进一步地，所述漂移区是以分段分能量注入形成，两段漂移区距离STI场氧靠近沟道一侧的底部边缘或LOCOS沟道侧鸟嘴处的距离范围均为0.1?0.3 ym ;低能量注入范围为50?150keV，高能量注入范围300?600keV。
[0008]为解决上述问题，本发明所述的N型LDMOS器件的工艺方法，包含如下步骤:
[0009]第I步，在P型衬底上形成N型埋层；
[0010]第2步，在N型埋层之上淀积一层外延层；
[0011]第3步，光刻定义形成STI场氧；
[0012]第4步，光刻打开阱注入区域，注入形成P阱，并分别注入形成低能量漂移区及高能量漂移区；
[0013]第5步，热氧化生成栅氧化层，淀积多晶硅并刻蚀形成多晶硅栅极；制作侧墙；离子注入形成重掺杂P型区及所述LDMOS器件的源区及漏区；
[0014]第6步，完成接触孔工艺，制作电极。
[0015]进一步地，所述第I步采用的衬底为电阻率范围为0.007?0.013 Ω.cm的P型低阻衬底。
[0016]进一步地，所述第4步，漂移区第一次注入能量为50?150keV，第二次注入能量为300 ?600keVo
[0017]本发明所述的N型LDMOS器件，采用STI场氧隔离，漂移区采用高低能量的不同注入形成分层的漂移区，避开最容易达到的击穿电场的STI边角区域，从而改善漂移区的电势分布，降低电场强度。本发明所述的N型LDMOS器件的工艺方法，可以继承在B⑶工艺中，利用平台中原有的工艺条件，在不额外增加掩膜版并且利用原有注入条件的情况下，仅通过调整器件结构的光刻图形，使得器件保持较好特性的前提下，提高击穿电压。
【附图说明】
[0018]图1是传统N型LDMOS器件的结构示意图。
[0019]图2?图7是本发明工艺步骤示意图。
[0020]图8是本发明工艺步骤流程图。
[0021]附图标记说明
[0022]101是P型衬底，102是N型埋层，103是N型深阱，104是STI场氧，105、106是N型漂移区，107是P讲，108是栅氧化层，109是多晶娃栅极，110是侧墙，111是源区，112是重掺杂P型区，113是接触孔，114是电极(引线)，115是漏区，a、b是距离。
【具体实施方式】
[0023]本发明所述的N型LDMOS器件，如图7所示，在P型衬底101上具有N型埋层102，埋层102上为N型深阱103 ;所述N型深阱103中具有P阱107，P阱107中包含有重掺杂P型区112以及所述LDMOS器件的源区111，硅衬底表面具有栅氧化层108及多晶硅栅极109 ;所述N型深阱103中还具有LDMOS器件的漏区115，引线114通过接触孔113将重掺杂P型区112、源区111以及漏区115引出；所述的P阱107中的重掺杂P型区112与源区111之间以STI场氧104隔离，LDMOS器件的漂移区中漏区115两侧具有STI场氧104，漂移区是以不同注入能量形成的不同深度的分层漂移区，如较低能量注入形成的漂移区105，以及较高能量注入形成的漂移区106。
[0024]所述的STI场氧，也可以替换采用L0C0S。如图7中所示，两段漂移区距离STI场氧靠近沟道一侧的底部边缘或LOCOS沟道侧鸟嘴处的距离a和b范围均为0.1?0.3 μ m。
[0025]本发明所述的N型LDMOS器件的工艺方法，包含如下步骤:
[0026]第I步，在电阻率范围为0.007?0.013Ω.cm的P型衬底上形成N型埋层，如图2所示。
[0027]第2步，在N型埋层之上淀积一层外延层，如图3所示。
[0028]第3步，如图4所示，利用有源区光刻，在N型深阱103打开浅槽区域，刻蚀场氧区；浅槽区填充氧化物；经刻蚀和研磨之后形成STI场氧104。或者采用LOCOS工艺形成隔离。
[0029]第4步，光刻打开阱注入区域，注入形成P阱107，并分别注入形成低能量注入的漂移区105及高能量注入的漂移区106。低能量漂移区105离子注入能量范围为50?150keV，高能量漂移区106离子注入能量范围300?600keV，如图5所示。
[0030]第5步，如图6所示，热氧化生成栅氧化层108，淀积多晶硅并刻蚀形成多晶硅栅极109 ;制作侧墙110 ;离子注入形成重掺杂P型区112及所述LDMOS器件的源区111及漏区115。
[0031]第6步，完成接触孔113工艺，制作电极114，最终器件完成如图7所示。
[0032]以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种N型LDMOS器件，在P型衬底上具有N型埋层，埋层上为N型深阱；所述N型深阱中具有P阱，P阱中包含有重掺杂P型区以及所述LDMOS器件的源区，硅衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极；所述N型深阱中还具有LDMOS器件的漏区，引线通过接触孔将重掺杂P型区、源区以及漏区引出；其特征在于:所述的P阱中的重掺杂P型区与源区之间以STI场氧隔离，LDMOS器件的漂移区中漏区两侧具有STI场氧，漂移区是以不同注入能量形成的不同深度的分层漂移区。
2.如权利要求1所述的N型LDMOS器件，其特征在于:所述的STI场氧，或者为L0C0S。
3.如权利要求1或2所述的N型LDMOS器件，其特征在于:所述漂移区是以分段分能量注入形成，两段漂移区距离STI场氧靠近沟道一侧的底部边缘或LOCOS沟道侧鸟嘴处的距离范围均为0.1?0.3 μπι;低能量注入范围为50?150keV，高能量注入范围300?600keVo
4.制造如权利要求1所述的N型LDMOS器件的工艺方法，其特征在于:包含如下步骤: 第I步，在P型衬底上形成N型埋层； 第2步，在N型埋层之上淀积一层外延层； 第3步，光刻定义形成STI场氧； 第4步，光刻打开阱注入区域，注入形成P阱，并分别注入形成低能量漂移区及高能量漂移区； 第5步，热氧化生成栅氧化层，淀积多晶硅并刻蚀形成多晶硅栅极；制作侧墙；离子注入形成重掺杂P型区及所述LDMOS器件的源区及漏区； 第6步，完成接触孔工艺，制作电极。
5.如权利要求4所述的N型LDMOS器件的工艺方法，其特征在于:所述第I步，所述衬底为电阻率范围为0.007?0.013 Ω.cm的P型低阻衬底。
6.如权利要求4所述的N型LDMOS器件，其特征在于:所述第4步，漂移区第一次注入能量为50?150keV，第二次注入能量为300?600keV。
【专利摘要】本发明公开了一种N型LDMOS器件，在P型衬底上具有N型埋层，N型埋层之上为N型深阱；所述N型深阱中具有P阱，P阱中包含有重掺杂P型区以及所述LDMOS器件的源区，硅衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极；所述N型深阱中还具有LDMOS器件的漏区，引线通过接触孔将重掺杂P型区、源区以及漏区引出；所述的P阱中的重掺杂P型区与源区之间以STI场氧隔离，LDMOS器件的漂移区中漏区两侧具有STI场氧，漂移区是以不同注入能量形成的不同深度的分层漂移区。本发明还公开了所述N型LDMOS器件的工艺方法，可以集成在BCD工艺中。
【IPC分类】H01L21-762, H01L21-336, H01L29-06, H01L29-78
【公开号】CN104821334
【申请号】CN201510107015
【发明人】石晶, 钱文生
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年3月11日