薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]金属铜(Cu)具有低电阻、导电性好的特点，在高分辨率的TFT-1XD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)中有着广泛的应用。
[0003]TFT-1XD —般包括对盒的彩膜基板和阵列基板，如图1所示，阵列基板包括栅极10、栅绝缘层20、有源层30、源极40和漏极50。其中，铜作为电极材料形成源极40和漏极50。但是铜容易被氧化，从而影响其导电性能，进而影响TFT-LCD的性能。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置，该薄膜晶体管的源极和漏极不易被氧化，导电性能稳定。
[0005]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案；
[0006]一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括:源漏金属层图案，还包括:位于所述源漏金属层图案之上的金属保护层图案，所述金属保护层图案与所述源漏金属层图案相接触、位于所述源漏金属层图案所在区域内，且所述金属保护层图案的材料的金属活泼性大于所述源漏金属层图案的材料的金属活泼性。
[0007]可选的，所述金属保护层图案的边界与所述源漏金属层图案的边界重合。
[0008]可选的，所述源漏金属层图案的材料为铜或铜合金，所述金属保护层图案的材料为铝。
[0009]可选的，所述薄膜晶体管还包括:
[0010]位于所述源漏金属层图案之下的有源层图案；
[0011]刻蚀阻挡层图案；所述刻蚀阻挡层图案位于所述有源层图案与所述源漏金属层图案之间，且与所述有源层图案相接触。
[0012]可选的，所述有源层图案的材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、锌锡氧化物或氮氧化锌。
[0013]本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括位于源漏金属层图案之上的金属保护层图案，金属保护层图案与源漏金属层图案相接触、位于源漏金属层图案所在区域内；当该薄膜晶体管置于有氧环境中，由于金属保护层图案的材料的金属活泼性大于源漏金属层图案的材料的金属活泼性，则金属保护层图案会先于源漏金属层图案与氧发生反应，从而保护位于其下方且相接触的源漏金属层图案，尽可能避免源漏金属层图案被氧化，进而使得该薄膜晶体管具有稳定的导电性能。
[0014]另一方面，提供了一种阵列基板，包括上述任一项所述的薄膜晶体管。
[0015]可选的，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管之上的钝化层，所述钝化层与所述金属保护层图案相接触，且所述钝化层与所述金属保护层图案设置有过孔。
[0016]本发明的实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板的薄膜晶体管包括位于源漏金属层图案之上的金属保护层图案，金属保护层图案与源漏金属层图案相接触、位于源漏金属层图案所在区域内；当该阵列基板的薄膜晶体管置于有氧环境中，由于金属保护层图案的材料的金属活泼性大于源漏金属层图案的材料的金属活泼性，则金属保护层图案会先于源漏金属层图案与氧发生反应，从而保护位于其下方且相接触的源漏金属层图案，尽可能避免源漏金属层图案被氧化，进而使得该阵列基板的薄膜晶体管具有稳定的导电性能。
[0017]再一方面，提供了一种显示装置，包括上述所述的阵列基板。
[0018]本发明的实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以为液晶显示器、电子纸、OLED(Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
[0019]另一方面，提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括:
[0020]形成源漏金属层图案；
[0021]在所述源漏金属层图案之上形成金属保护层图案；所述金属保护层图案与所述源漏金属层图案相接触、位于所述源漏金属层图案所在区域内，且所述金属保护层图案的材料的金属活泼性大于所述源漏金属层图案的材料的金属活泼性。
[0022]可选的，若所述薄膜晶体管包括有源层图案和刻蚀阻挡层图案，则在形成源漏金属层图案之前，所述方法还包括:
[0023]形成有源层图案；其中，所述有源层图案位于所述源漏金属层图案之下；
[0024]在所述有源层图案之上形成刻蚀阻挡层图案；其中，所述刻蚀阻挡层图案位于所述有源层图案与所述源漏金属层图案之间，且与所述有源层图案相接触。
[0025]本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，通过该制作方法得到的薄膜晶体管包括位于源漏金属层图案之上的金属保护层图案，金属保护层图案与源漏金属层图案相接触、位于源漏金属层图案所在区域内；当该薄膜晶体管置于有氧环境中，由于金属保护层图案的材料的金属活泼性大于源漏金属层图案的材料的金属活泼性，则金属保护层图案会先于源漏金属层图案与氧发生反应，从而保护位于其下方且相接触的源漏金属层图案，尽可能避免源漏金属层图案被氧化，通过该制作方法得到的薄膜晶体管具有稳定的导电性能。
[0026]另一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括上述所述的薄膜晶体管的制作方法。
[0027]可选的，所述方法还包括:
[0028]在所述薄膜晶体管之上形成钝化层，其中，所述钝化层与所述金属保护层图案相接触；
[0029]所述钝化层与所述金属保护层图案形成过孔。
[0030]可选的，若所述金属保护层图案的材料为铝，则所述钝化层与所述金属保护层图案形成过孔具体为:
[0031]采用干刻法刻蚀所述钝化层，接着采用湿刻法刻蚀所述金属保护层图案以形成所述过孔。
[0032]本发明的实施例提供了一种阵列基板的制作方法，通过该阵列基板的制作方法得到的阵列基板的薄膜晶体管包括位于源漏金属层图案之上的金属保护层图案，金属保护层图案与源漏金属层图案相接触、位于源漏金属层图案所在区域内；当该阵列基板的薄膜晶体管置于有氧环境中，由于金属保护层图案的材料的金属活泼性大于源漏金属层图案的材料的金属活泼性，则金属保护层图案会先于源漏金属层图案与氧发生反应，从而保护位于其下方且相接触的源漏金属层图案，尽可能避免源漏金属层图案被氧化，通过该制作方法得到的阵列基板的薄膜晶体管具有稳定的导电性能。
【附图说明】
[0033]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为现有技术中提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0035]图2为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0036]图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0037]图4为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程示意图。
[0038]附图标记:
[0039]1-阵列基板；2_薄膜晶体管；10_栅极；20_栅绝缘层；30_有源层；40_源极；50-漏极；100-衬底；101-源漏金属层图案；102-金属保护层图案；103-栅极图案；104_栅绝缘层图案；105_有源层图案；106-刻蚀阻挡层图案；107-钝化层；108-过孔。
【具体实施方式】
[0040]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0041]在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。进一步需要理解的是，术语“图案”指的是经过构图工艺后形成的薄膜或者层结构。构图工艺是指将薄膜形成包含至少一个图案的层的工艺，包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。
[0042]实施例一
[0043]本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，参考图2所示，包括:源漏金属层图案101，还包括:位于源漏金属层图案101之上的金属保护层图案102，金属保护层图案102与源漏金属层图案101相接触、位于源漏金