薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、一种包括所述薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法、一种包括所述阵列基板的显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)具有体积小、重量轻、功耗低、福射低及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示器、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中，TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)是一种主要的平板显示装置(FPD，Flat Panel Display)。薄膜晶体管的饱和区漏极电流与沟道的宽长比越大，其饱和区漏极电流越大，这意味着薄膜晶体管的沟道宽度越宽，器件性能越好。但是在开口率的限制下，薄膜晶体管的沟道宽度始终被限制，不能最大限度的满足器件最优化性能。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管、一种包括所述薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法、一种包括所述阵列基板的显示装置，从而在不影响开口率的情况下，提高薄膜晶体管的导电性能。
[0004]本发明提供一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、第一极和第二极，所述第一极设置在所述有源层一侧，所述第二极设置在所述有源层另一侧，所述第一极、所述有源层和所述第二极形成堆叠结构，所述栅极环绕所述堆叠结构设置，且所述栅极和所述堆叠结构绝缘间隔。
[0005]优选地，所述第一极包括多个互相独立的纳米第一极，所述有源层包括分别设置在多个所述纳米第一极上的多个纳米有源层，所述第二极包括分别设置在多个所述纳米有源层上的多个纳米第二极，每组纳米第一极、纳米有源层和纳米第二极形成直径为纳米级的纳米线。
[0006]优选地，所述纳米线的直径在20nm?50nm之间。
[0007]优选地，所述薄膜晶体管还包括包覆所述栅极的栅极绝缘层。
[0008]优选地，所述栅极绝缘层围成的区域内填充有填充层，多个所述纳米线通过所述填充层绝缘间隔。
[0009]优选地，所述填充层沿所述纳米线高度方向的尺寸为所述纳米线高度的80%?90%。
[0010]相应地，本发明还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述显示区和所述非显示区均设置有多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为本发明提供的上述薄膜晶体管。
[0011]优选地，所述阵列基板包括多条栅线和多条数据线，多条所述栅线和多条所述数据线将所述显示区划分为多个像素单元，每个像素单元内均设置有所述薄膜晶体管和像素电极，所述数据线上设置有连接部，每个像素单元内的薄膜晶体管的栅极与所述栅线相连，第一极与所述像素电极相连，第二极与所述连接部相连。
[0012]优选地，在所述显示区域内，所述连接部覆盖所述第二极。
[0013]优选地，所述阵列基板还包括低电平输入端，在所述非显示区内，多个所述薄膜晶体管与多条数据线一一对应，所述非显示区还设置有与所述低电平输入端相连的公共导线，位于非显示区的薄膜晶体管的栅极和第一极均与相应的数据线相连，所述公共导线覆盖所述第二极。
[0014]优选地，所述阵列基板还包括设置在所述非显示区的数据线延长部，所述数据线和所述数据线延长部设置在绝缘间隔的不同层中，且所述数据线和所述数据线延长部通过过孔相连。
[0015]相应地，本发明还提供一种阵列基板的制造方法，阵列基板包括显示区和非显示区，所述制造方法包括:
[0016]形成包括多条栅线和多个环状栅极的图形，多个环状栅极包括位于显示区的环状栅极和位于非显示区的环状栅极，所述栅线与位于显示区内的环状栅极相连；
[0017]在所述栅极所环绕的区域内分别形成第一极、有源层和第二极；其中，所述第一极设置在所述有源层的一侧，所述第二极设置在所述有源层的另一侧，所述第一极、所述有源层和所述第二极形成堆叠结构。
[0018]优选地，在所述栅极所环绕的区域内分别形成第一极、有源层和第二极的步骤包括:
[0019]通入第一源材料气体，以形成多个纳米第一极；
[0020]通入第二源材料气体，以在所述纳米第一极上形成纳米有源层；
[0021]通入第三源材料气体，以在所述纳米有源层上形成纳米第二极，每组纳米第一极、纳米有源层和纳米第二极形成直径为纳米级的纳米线。
[0022]优选地，在所述栅极所环绕的区域内分别形成第一极、有源层和第二极的步骤还包括在通入第一源材料气体前进行的:
[0023]设置催化剂颗粒层，所述催化剂颗粒层包括多个催化剂颗粒，以使得所述纳米第一极形成在所述催化剂颗粒的位置。
[0024]优选地，所述设置催化剂颗粒层的步骤包括:
[0025]利用溅射工艺溅射形成催化剂颗粒层，所述溅射工艺持续预设时间段，以使得所述催化剂材料层包括多个催化剂颗粒。
[0026]优选地，所述预设时间段为5s?300s。
[0027]优选地，所述设置催化剂颗粒层的步骤还包括:
[0028]对所述催化剂颗粒层进行退火。
[0029]优选地，所述催化剂颗粒包括金、银、铜、铁、铝、铂、镍、锌、钛中的任意一种。
[0030]优选地，所述制造方法还包括在所述在栅极所环绕的区域内分别形成第一极、有源层和第二极的步骤之前进行的:
[0031]形成包覆所述栅极的栅极绝缘层；
[0032]形成包括像素电极的图形，以使得显示区的薄膜晶体管的第一极形成在所述像素电极上。
[0033]优选地，所述制造方法还包括在所述在栅极所环绕的区域内分别形成第一极、有源层和第二极的步骤之后进行的:
[0034]在所述栅极绝缘层环绕的区域内设置胶状的绝缘材料；
[0035]对所述胶状的绝缘材料进行固化以形成填充层，且所述填充层沿所述纳米线高度方向的尺寸为所述纳米线高度的80%?90%。
[0036]优选地，所述制造方法还包括在所述分别在显示区形成包括栅线和环状栅极的图形、在非显示区形成包括环状栅极的图形的步骤之前进行的:
[0037]形成包括数据线延长部的图形，所述数据线延长部位于所述非显示区，以使得非显示区的薄膜晶体管的栅极和第一极形成在所述数据线延长部上。
[0038]优选地，所述制造方法还包括在所述对胶状的绝缘材料进行固化以形成填充层的步骤之后进行的:
[0039]形成包括数据线、连接部和公共导线的图形，以使得所述数据线与所述数据线延长部相连，所述连接部覆盖在显示区的薄膜晶体管的第二极上，所述公共导线与低电平输入端相连，且所述公共导线覆盖在非显示区的薄膜晶体管的第二极上。
[0040]优选地，所述制造方法还包括在形成包括数据线、连接部和公共导线的图形的步骤之前进行的:
[0041]形成至少贯穿所述栅极绝缘层的过孔，以使得所述数据线通过所述过孔与所述数据线延长部相连。
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