电平输入端可以是接地端。
[0072]具体地，所述阵列基板还包括设置在所述非显示区的数据线延长部60，数据线30和数据线延长部60设置在绝缘间隔的不同层中，且数据线30和数据线延长部60通过过孔相连。数据线延长部60可以直接形成在阵列基板的基底10上。
[0073]作为本发明的第三个方面，提供一种阵列基板的制造方法，如图8所示，包括:
[0074]S10、形成包括多条栅线和多个环状栅极的图形，多个环状栅极包括位于显示区的环状栅极和位于非显示区的环状栅极，所述栅线与位于显示区内的环状栅极相连；
[0075]S20、在所述栅极所环绕的区域内分别形成第一极、有源层和第二极；其中，所述第一极设置在所述有源层的一侧，所述第二极设置在所述有源层的另一侧，所述有源层、所述第一极和所述第二极形成堆叠结构。
[0076]对步骤SlO的具体工艺并不做限定，作为一种【具体实施方式】，可以采用光刻构图工艺形成，SlO可以包括:
[0077]在基底上依次形成栅极材料层和光刻胶层；
[0078]对光刻胶层进行曝光并显影，以将对应与栅线和栅极的位置的光刻胶层保留；
[0079]将未被光刻胶层覆盖的栅极材料层刻蚀掉；
[0080]将光刻胶层剥离，形成包括栅极和栅线的图形，其中，显示区的栅极和栅线是相连的。
[0081 ] 其中对栅极材料层的刻蚀可以是干刻也可以是湿刻。
[0082]如上文所述，所述第一极包括多个独立的纳米第一极，所述有源层包括分别设置在多个所述纳米第一极上的纳米有源层122a，所述第二极包括分别设置在多个纳米有源层122a上的纳米第二极123a，纳米第一极121a、纳米有源层122a和纳米第二极123a形成为纳米线12a。
[0083]具体地，步骤S20包括:
[0084]S201、通入第一源材料气体，以形成多个纳米第一极；
[0085]S202、通入第二源材料气体，以在所述纳米第一极上形成纳米有源层；
[0086]S203、通入第三源材料气体，以在所述纳米有源层上形成纳米第二极，每组纳米第一极、纳米有源层和纳米第二极形成直径为纳米级的纳米线。
[0087]上述第一源材料气体、第二源材料气体和第三源材料气体可以根据待形成的纳米线的材料而定，例如第一极的材料为锌，那么第一源材料气体可以为锌单质的气体；有源层的材料为氧化铟，那么第二源材料气体可以为铟单质的气体和氧气，或者为氧化铟的气体，或者为含有铟的有机物形成的气体和氧气。
[0088]可以利用气-固(Vapor-Solid，VS)的生长机理制备纳米线，用于生长纳米线的表面上具有多个纳米级的凸起或凹陷，且温度较低，第一源材料气体吸附在凸起或凹陷上会形成晶核，并以晶核为中心形成晶粒，随着第一源气体的不断通入，晶粒不断生长，从而形成纳米第一极；然后依次通入第二源材料气体和第三源材料气体，分别形成纳米有源层和纳米第二极。
[0089]还可以利用气-液-固(Vapor-Liquid-Solid，VLS)的生长机理制备纳米线12a，即，所述步骤S20还包括在步骤S201之前进行的:
[0090]S200、设置催化剂颗粒层，所述催化剂颗粒层包括多个催化剂颗粒，以使得所述纳米第一极形成在所述催化剂颗粒的位置。
[0091]所述催化剂颗粒的粒径应达到纳米级，以使得纳米第一极的直径达到纳米级。这时，通入第一源材料气体时，催化剂颗粒与第一源材料气体反应形成合金，并在高温下形成合金液滴。随着第一源材料气体的不断融入合金液滴，当合金液滴达到饱和时，析出晶粒，从而使得合金液滴回到欠饱和状态，并位于第一晶体的顶端；继续通入第一源材料气体，合金液滴再次饱和时，继续析出晶粒，多次循环后，晶粒不断生长形成纳米第一极。纳米有源层和纳米第二极的形成与纳米第一极类似，这里不再重复。
[0092]具体地，步骤S200包括:
[0093]利用溅射工艺溅射形成催化剂材料层，所述溅射工艺持续预设时间段，以使得所述催化剂材料层并不形成薄膜，而是包括多个催化剂颗粒。
[0094]具体地，所述预设时间段为5s?300s。
[0095]进一步地，所述步骤S200还包括:对所述催化剂颗粒层进行退火，具体温度可以为300°C?500°C，从而使得催化剂颗粒的形状和分布更加均匀。
[0096]其中，所述催化剂可以包括金、银、铜、铁、铝、铂、镍、锌、钛中的任意一种。
[0097]多个纳米线生长完成之后，即相当于第一极、有源层和第二极制备完成，和现有技术中薄膜晶体管的制备相比，本发明的制造方法更加简单，无需进行多次的重复步骤，从而减小了生产成本。
[0098]进一步地，如图8所示，所述制造方法还包括在步骤S20之前进行的:
[0099]S11、形成包覆所述栅极的栅极绝缘层。和栅极类似地，栅极绝缘层也可以采用光刻构图工艺形成，这里不再赘述。
[0100]S12、形成包括像素电极的图形，以使得显示区的薄膜晶体管的第一极形成在所述像素电极上。
[0101]进一步地，所述制造方法还包括在步骤S20之后进行的:
[0102]S30、在所述栅极绝缘层环绕的区域内设置胶状的绝缘材料；设置胶状的绝缘材料可以有多种，例如滴注等。
[0103]S40、对所述胶状的绝缘材料进行固化以形成填充层，且所述填充层沿所述纳米线高度方向的尺寸为所述纳米线高度的80%?90%。以防止完全覆盖纳米线，同时可以对纳米线起到较好的保护作用。
[0104]如图8所示，所述制造方法还包括在步骤SlO之前进行的:
[0105]S01、形成包括数据线延长部的图形，所述数据线延长部位于所述非显示区，以使得非显示区的薄膜晶体管的栅极和第一极形成在所述数据线延长部上，数据线延长部可以直接形成在基底上。
[0106]如图8所示，所述制造方法还包括在所述步骤S40之后进行的:
[0107]S50、形成包括数据线、连接部和公共导线的图形，以使得所述数据线与所述数据线延长部相连，所述连接部覆盖在显示区的薄膜晶体管的第二极上，所述公共导线与低电平输入端相连，且所述公共导线覆盖在非显示区的薄膜晶体管的第二极上。
[0108]数据线所在层和数据线延长部所在层之间至少设置有栅极绝缘层，为了便于数据线和数据线延长部之间的连接，进一步地，所述制造方法还包括在步骤S50之前进行的:
[0109]S41、形成至少贯穿栅极绝缘层的过孔，以使得所述数据线通过所述过孔与所述数据线延长部相连。
[0110]作为本发明的第四个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括本发明提供的上述阵列基板。由于本发明的薄膜晶体管的导电沟道宽度较大，能够增大饱和区漏电电流，且具有较高的电子迀移率，从而提高薄膜晶体管的性能，进而改善显示装置的显示效果。
[0111]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精