，接触线借助超声接合法接合。所述设计方案的优点在于:在制造方法期间不需要芯片接合工艺。在这种工艺中，芯片稳定地固定在导体部件上并且导电地与其连接。此外，弃用这种芯片接合工艺提供如下优点:在制造光电子半导体构件期间能够避免始于芯片接合焊料的铜的并且能够使芯片最终不可用的铜迀移。由于这种铜迀移，尤其是会在基于InGaAlP的材料体系的发光二极管芯片中出现显著的亮度损失。此外，通过线接合能够避免在形成电连接时到光电子半导体芯片上的强烈的热传递，因为接触线(相对于芯片接合工艺)仅具有相对小的接触面并且此外在线接合时通常不需要如此高的温度。
[0024]此外，在制造光电子半导体构件时，由于到光电子半导体芯片上的小的热传递，在形成与接触线的电连接部期间例如能够使用温度敏感的塑料或粘结剂。此外，通过借助于接触线的接触如下简化制造:在制造光电子半导体构件时，在接触期间能够将载体、光电子半导体芯片和导体结构的复合件的加热和冷却时间保持得小。由此能够加速执行或简化所述方法。
[0025]在所述方法的一个有利的设计方案中，模制体构成为是可透过辐射的。这实现:在光电子半导体芯片构成用于产生辐射的情况下在光电子半导体芯片中产生的辐射不仅分别经由光电子半导体芯片的上侧而且也经由其侧面发射并且还能够离开光电子半导体构件。由此，有利地提高光电子半导体构件的效率，因为在光电子半导体芯片的侧面上与在模制体进行吸收的情况下相比不吸收辐射或吸收少量的辐射。光电子半导体芯片的上侧能够为光电子半导体芯片的主发射面。
[0026]在所述方法的一个有利的设计方案中，模制体在光电子半导体芯片的上侧上与光电子半导体芯片齐平。由此，能够有利地实现:在分割模制体之前，模制体尽可能可靠地稳定光电子半导体芯片，其中同时实现光电子半导体构件的小的构件高度。
[0027]在所述方法的一个优选的设计方案中，光电子半导体芯片沿着远离载体上侧的方向突出于模制体。该设计方案提供如下优点:除了模制体之外能够将另一种材料、例如反射辐射的材料施加或沉积在模制体的上侧上或光电子半导体芯片的侧面上，而不使所述材料在光电子半导体芯片的背离载体的上侧上超出光电子半导体芯片。模制体的上侧在此是模制体的背离载体的一侧，所述侧在施加反射辐射的材料之前例如能够露出。
[0028]在所述方法的一个有利的设计方案中，在移除载体之前，将反射性的包封件施加到模制体的背离载体的一侧上，其中反射性的包封件在光电子半导体芯片的背离载体的上侧上不突出于光电子半导体芯片。换而言之，反射性的包封件能够至少局部地覆盖全部光电子半导体芯片的侧面。通过该设计方案，能够有利地将光电子半导体构件的构件高度保持得小。反射性的包封件构成用于反射进入到其中的辐射。因此能够有利地通过反射性的包封件反射经由光电子半导体芯片的侧面或经由光电子半导体芯片的层的侧面和/或层发射或耦合输出的辐射，使得经由光电子半导体构件的表面或主发射面发射的辐射的份额被提高。因此，同样能够提高光电子半导体构件的效率。
[0029]优选地，根据该设计方案，模制体能够尤其是形状配合地对光电子半导体芯片改型或包封直至层的高度，使得光电子半导体芯片的侧面由模制体覆盖直至层。替选地，模制体能够对光电子半导体芯片包封或改型，使得层的侧面部分地由模制体包封或改型，或者光电子半导体芯片的侧面仅由模制体包封或造型直至层下方的高度。
[0030]优选地，反射性的包封件与光电子半导体芯片的层齐平。
[0031]在所述方法的一个有利的设计方案中，至少一个接触线局部地设置在模制体中并且局部地设置在反射性的包封件中。根据该设计方案，反射性的包封件形状配合地对光电子半导体芯片和电连接部改型、包封或封装。
[0032]此外，提出一种光电子半导体构件。所述光电子半导体构件优选可借助于在此所描述的方法中的一个制造或借助于其制造，特别地，全部针对方法所公开的特征也针对光电子半导体构件公开并且反之亦然。光电子半导体构件在此优选具有多个光电子半导体芯片，使得尤其是在方法中例如涉及多个光电子半导体芯片的特征也能够在光电子半导体构件中涉及相应的元件中的一个。
[0033]在一个有利的设计方案中，光电子半导体构件包括在上侧上包括层的光电子半导体芯片和通过导电材料形成的且具有至少一个穿口的导体结构，在所述穿孔中设置有光电子半导体芯片。此外，光电子半导体构件包括接触线，所述接触线使光电子半导体芯片的连接部位与导体结构连接。光电子半导体构件还包括:模制体，其中光电子半导体芯片的和接触线的侧面由模制体至少局部地覆盖；和反射性的包封件，所述反射性的包封件在伸出于模制体的区域中对光电子半导体芯片改型。在光电子半导体构件中，光电子半导体芯片突出于模制体，其中反射性的包封件在光电子半导体芯片的上侧不突出于光电子半导体芯片。
[0034]光电子半导体芯片能够设置在导体框的一个或多个框元件之间或旁边的穿口中，尤其是在不使光电子半导体芯片部分地设置在导体结构上。
[0035]在光电子半导体构件的一个有利的设计方案中，接触线局部地设置在模制体中并且局部地设置在反射性的包封件中。由此，接触线能够通过反射性的包封件有利地在如下区域中被保护或隔离免受外部影响、例如防止折断或开裂，在所述区域上模制体不对接触线改型或包封。此外，因此在稳定光电子半导体芯片和导体结构的同时能够通过模制体实现:由反射性的包封件反射显著的辐射份额，使得提高经由光电子半导体构件的表面或主发射面发射的辐射的份额。
[0036]在光电子半导体构件的一个有利的设计方案中，连接部位设置在光电子半导体芯片的或光电子半导体芯片的半导体本体的上侧上。由此能够有利地实现:在光电子半导体芯片的上侧上，二极管的P型接触部或η型接触部例如经由电连接部与导体结构连接。
[0037]在光电子半导体构件的一个有利的设计方案中，反射性的包封件包括硅树脂或由硅树脂和环氧化物构成的混合物。通过这些材料能够有利地提供用于反射性的包封件的附加的反射辐射的或散射辐射的部件的基体材料。
[0038]在光电子半导体构件的一个有利的设计方案中，反射性的包封件包括反射辐射的颗粒，所述颗粒至少由材料Ti02、BaS04、ZnO, AlxOy和ZrO 2中的一种构成或者包含所述材料中的至少一种。通过该设计方案能够有利地通过反射性的包封件的所提到的颗粒散射或反射辐射。
[0039]在光电子半导体构件的一个有利的设计方案中，光电子半导体构件、尤其是模制体的侧面具有材料剥离的痕迹、尤其是锯槽或磨削痕迹。材料剥离的这些痕迹能够由起因于分割模制体。材料剥离的痕迹表示:光电子半导体构件或模制体的侧面的粗糙化。通过这种粗糙化能够有利地实现:经由光电子半导体芯片的侧面发射或放射的辐射能够更容易地从光电子半导体构件中耦合输出或者能够由其放射，因为能够通过材料剥离的痕迹减少辐射在侧面上的全反射。
[0040]在光电子半导体构件的一个有利的设计方案中，光电子半导体芯片的下侧露出。通过该设计方案能够有利地实现光电子半导体构件的小的构件高度。此外，由此光电子半导体构件的下侧上的接触部位是可接近的。
[0041]在光电子半导体构件的一个有利的设计方案中，导体结构的下侧也露出，使得这两个在光电子半导体构件的相同侧上的对于光电子半导体构件的运行必要的接触部露出。因此，特别地，能够有利地制造可表面安装的光电子半导体构件。
【附图说明】
[0042]本发明的其他的特征、设计方案