和适宜方案结合附图从下面对实施例的描述中得出。
[0043]图1根据示意的剖视图示出所描述的方法的第一实施例。
[0044]图2根据示意的剖视图示出所描述的方法的第二实施例的子步骤。图2B根据示意的剖视图示出所描述的光电子半导体构件。
[0045]相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和附图中示出的元件彼此间的大小比例不视为是合乎比例的。更确切地说，为了更好的示出和/或为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
【具体实施方式】
[0046]图1A根据光电子半导体构件100的示意的剖视图示出第一方法步骤。首先提供载体I和具有穿口 3的导体结构2。导体结构2能够构成为金属导体框。导体结构2还设置在载体I的上侧4上，其中上侧4是平坦的并且在导体结构2的穿口 3中露出。导体结构2例如能够构成为能导电的导体框、尤其是构成为金属导体框，所述金属导体框优选包括具有金或银覆层的铜或者由其构成。此外，提供多个光电子半导体芯片5。每个光电子半导体芯片5具有上侧6，在所述上侧上每个光电子半导体芯片5分别包括层7。层7能够具有80 μπι至300 μπι的厚度。优选地，层7仅设置在半导体芯片5的相应的上侧6上并且在平行于半导体芯片5的上侧6的方向上不突出于半导体芯片5。层7优选是发光材料层。替选地，层7能够是另一种层、例如可透过由相应的光电子半导体芯片5发射的辐射的、尤其是透明的层，尤其是耦合输入或耦合输出层。在这种情况下，层能够具有玻璃或硅树脂。层7优选不是每个光电子半导体芯片5的半导体本体的部分。每个半导体本体能够与分别设置在其上的层7 —起形成相应的光电子半导体芯片5。
[0047]在此处示出的实施例中，光电子半导体芯片5优选为在导体结构2的穿口 3中设置在载体I的上侧4上的LED芯片。但是也能够使用光电二极管或激光二极管芯片用作为光电子半导体芯片。光电子半导体芯片5在此设置在一个平面中。导体结构2和光电子半导体芯片5例如固定在载体I上，使得在光电子半导体芯片5和载体I之间产生机械连接，所述机械连接稍后针对导体结构2和光电子半导体芯片5能够无损坏地再次释放。附加地或替选地，为此能够在导体结构2或光电子半导体芯片5和载体I之间设置粘附层或牺牲层。优选地，导体结构2和光电子半导体芯片5粘接到载体I的上侧4上。替选地，在载体I的上侧4上的固定也能够借助其他机构进行。
[0048]在此处不出的实施例中，针对多个光电子半导体芯片5不例地不出三个光电子半导体芯片或半导体构件的横截面。此外，所示出的【附图说明】:光电子半导体芯片或半导体构件二维地设置在载体I的上侧4上。
[0049]图1B根据光电子半导体构件100的示意的剖视图示出在每个光电子半导体芯片5的连接部位9和导体结构2之间形成电连接部8作为另外的方法步骤。电连接部8包括接触线10，所述接触线将光电子半导体芯片5的连接部位9与导体结构2连接。与接触线10的电连接部例如能够借助适当的线接合法或超声接合方法形成。优选地，接触线10由金构成。
[0050]图1C根据光电子半导体构件100的示意的剖视图示出另一个方法步骤，其中光电子半导体芯片5和电连接部8借助模制体11改型。模制体11至少局部地覆盖全部光电子半导体芯片5的侧面12。侧面12将光电子半导体芯片5的上侧6与光电子半导体芯片5的背离上侧6的下侧13连接。模制体11与光电子半导体芯片5的层7齐平，使得模制体11在光电子半导体芯片5的背离载体I的上侧6上不突出于光电子半导体芯片。在此，模制体11对光电子半导体芯片5的侧面12改型、包封或封装并且此外对电连接部8改型、包封或封装。模制体11例如能够与侧面12直接接触并且完全地覆盖侧面12。模制体11对于光电子半导体构件100附加地具有机械稳定的特性。
[0051]改型或包封例如能够借助于注塑成型、喷射、浇注、压制、层压薄膜或类似的方法进行，其中模制体11包含机械稳定的材料、例如塑料、低熔点玻璃、低熔点玻璃陶瓷、环氧树脂、硅树脂、环氧化物硅树脂混合材料、玻璃或玻璃陶瓷或者由这些材料中的一种形成。
[0052]图1D根据光电子半导体构件100的示意的剖视图示出载体I的移除。载体的移除例如能够通过加热或逐步地打薄载体进行。在此，载体优选能够完全地被移除。
[0053]此外，在本发明的范围中提出:通过化学剥离或通过化学剥离设置在光电子半导体芯片和载体之间的(未示出的)牺牲层或粘附层来进行载体的移除。在移除载体I之后，光电子半导体芯片5的起始朝向载体I的下侧13可自由接近或露出。
[0054]光电子半导体构件100的高度在图1D中对应于光电子半导体芯片5 (连同层7)的高度。也就是说，特别地，在远离载体I的上侧4的方向上，半导体芯片5不超出接触线10和/或模制体11和/或载体I的任何部分。此外，在本发明的范围中提出:光电子半导体芯片5在下侧13上具有电接触部、例如呈(未示出的)接触层形式、优选由金或银构成的电接触部。
[0055]图1E根据光电子半导体构件100的示意剖面图示出分割策划那个形体11以产生光电子半导体构件101，所述光电子半导体构件分别包括光电子半导体芯片5，所述光电子半导体芯片经由电连接部8与导体结构2连接。
[0056]图2A根据示意的剖视图示出所描述的方法的另一个实施例的一个方法步骤。该方法步骤对应于在图1C中示出的方法步骤，然而其中模制体11对光电子半导体芯片5改型，使得光电子半导体芯片5在远离载体I的上侧4的方向上突出于模制体11。此外，在此在移除载体I之前，将反射性的包封件14施加到模制体11的背离载体I的一侧上，其中反射性的包封件14在光电子半导体芯片5的上侧6上不突出于光电子半导体芯片。反射性的包封件14沿着半导体芯片5的上侧6与光电子半导体芯片5的层7齐平。反射性的包封件14能够包括硅树脂或由硅树脂和环氧化物构成的混合物并且还包含反射辐射的颗粒。这些颗粒能够由材料Ti02、BaSO4, ZnO、AlxOy和ZrO 2中的一种构成或者包含所述材料中的至少一种。
[0057]“反射性的”在本文中表不:反射性的包封件14对于从光电子半导体芯片5和/或发光材料层7射到其上的辐射至少具有80%的、优选大于90%的反射率。
[0058]在图2A中的实施例中，类似于图1D中示出的方法步骤，在施加反射性的包封件14之后首先移除载体I。在移除载体I之后，光电子半导体芯片5的起始朝向载体I的下侧13可自由接近或露出(参见图2B)。光电子半导体构件200的高度对应于不具有载体I但是连同层7的光电子半导体芯片5的高度。
[0059]图2B根据示意的剖视图示出根据本发明的一个或多个光电子半导体构件201。所述多个光电子半导体构件根据在图2A中示出的实施例通过分割模制体11在移除载体I之后产生。所述分割在此类似于在图1E中示出的方法步骤进行，其中除了模制体11之外附加地分割反射性的包封件14，使得产生多个光电子半导体构件201。这些光电子半导体构件分别包括模制体11和反射性的包封件14。光电子半导体芯片5和接触线10的侧面12由模制体11局部地覆盖。反射性的包封件14在伸出于模制体11的区域中对光电子半导体芯片5改型或包封，其中光电子半导体芯片5突出于模制体11并且反射性的包封件14在光电子半导体芯片5的上侧6不突出于光电子半导体芯片。
[0060]用于运行光电子半导体构件101和201的接触，根据