所示出的实施例，能够经由光电子半导体构件5的下侧13以及经由导体结构2进行。
[0061]替选地，光电子半导体构件也能够包括多个光电子半导体芯片，其中每个光电子半导体芯片经由电连接部与分开的或共同的导体结构连接。
[0062]光电子半导体构件201的通过模制体11形成的侧面12具有材料剥离的痕迹15。材料剥离能够起因于分割。材料剥离的痕迹15根据分割方法能够是锯槽或磨削痕迹。
[0063]本发明不通过根据实施例的描述受到限制。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使该特征或该组合本身未明确地在权利要求中或实施例中说明时也如此。
[0064]本申请要求德国专利申请DE 10 2012 113 003.5的优先权，其公开内容就此通过参考并入本文。
[0065]附图标记列表
[0066]I载体
[0067]2导体结构
[0068]3穿口
[0069]4载体的上侧
[0070]5光电子半导体芯片
[0071]6光电子半导体芯片的上侧
[0072]7层
[0073]8电连接部
[0074]9连接部位
[0075]10接触线
[0076]11模制体
[0077]12侧面
[0078]13下侧
[0079]14反射性的包封件
[0080]15材料剥离的痕迹
[0081]100，101，200，201光电子半导体构件
【主权项】
1.一种用于制造光电子半导体构件(100，200)的方法，所述方法具有如下步骤: -提供载体⑴； -提供导体结构(2)，所述导体结构通过导电材料形成并且具有多个穿口(3); -将所述导体结构⑵设置在所述载体⑴的上侧⑷上，其中所述上侧⑷在所述导体结构(2)的所述穿口(3)中露出； -提供多个光电子半导体芯片(5)，其中每个光电子半导体芯片(5)至少在相应的所述半导体芯片的上侧(6)上包括层(7); -将多个所述光电子半导体芯片(5)在所述导体结构(2)的所述穿口(3)中设置在所述载体⑴的上侧⑷上； -在每个光电子半导体芯片(5)的连接部位(9)和所述导体结构(2)之间形成电连接部⑶； -通过模制体(11)对每个光电子半导体芯片(5)和所述电连接部(8)改型，其中所述模制体(11)至少局部地覆盖全部光电子半导体芯片的侧面(12)，并且其中所述模制体(11)在所述光电子半导体芯片(5)的背离所述载体⑴的上侧⑷上不突出于所述光电子半导体芯片； -移除所述载体⑴；以及 -至少分割所述模制体(11)以产生光电子半导体构件(101，201)，其中每个光电子半导体构件(101，201)包括至少一个光电子半导体芯片(5)。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光电子半导体芯片(5)突出于所述模制体(11)并且其中所述光电子半导体构件(100，200)的高度对应于所述光电子半导体芯片(5)的高度。3.根据权利要求2所述的方法，其中在移除所述载体(I)之前将反射性的包封件(14)施加到所述模制体(11)的背离所述载体(I)的一侧上，其中反射性的所述包封件(14)在所述光电子半导体芯片(5)的背离所述载体(I)的上侧(4)上不突出于所述光电子半导体芯片。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中相应的所述电连接部(8)包括接触线(10)，所述接触线将所述光电子半导体芯片(5)的连接部位(9)与所述导体结构(2)连接。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述模制体(11)构成为是能透过辐射的。6.根据权利要求1、4和5中的至少一项所述的方法，其中所述模制体(11)在所述光电子半导体芯片(5)的上侧(6)上与所述光电子半导体芯片(5)齐平。7.根据权利要求3、4和5中的至少一项所述的方法，其中至少一个接触线(10)局部地设置在所述模制体(11)中并且局部地设置在反射性的所述包封件(14)中。8.一种光电子半导体构件(100，200)，包括: -光电子半导体芯片(5)，所述光电子半导体芯片在上侧(6)上包括层(7); -导体结构(2)，所述导体结构通过导电材料形成并且具有至少一个穿口(3)，所述光电子半导体芯片(5)设置在所述穿口中； -接触线(10)，所述接触线将所述光电子半导体芯片(5)的连接部位(9)与所述导体结构⑵连接； -模制体(11)，其中所述光电子半导体芯片的侧面(12)和所述接触线(10)由所述模制体(11)至少局部地覆盖； -反射性的包封件(14)，反射性的所述包封件在伸出于所述模制体(11)的区域中对所述光电子半导体芯片(5)改型，其中 -所述光电子半导体芯片(5)突出于所述模制体(11)，和 -反射性的所述包封件(14)在所述光电子半导体芯片(5)的上侧(6)上不超出所述光电子半导体芯片。9.根据权利要求8所述的光电子半导体构件(100，200)，其中所述光电子半导体芯片(5)的下侧(13)露出。10.根据权利要求8或9所述的光电子半导体构件(100，200)，其中所述接触线(10)局部地设置在所述模制体(11)中并且局部地设置在反射性的所述包封件(14)中。11.根据权利要求8至10中的至少一项所述的光电子半导体构件(100，200)，其中所述连接部位(9)设置在所述光电子半导体芯片(5)的上侧(6)上。12.根据权利要求8至11中的至少一项所述的光电子半导体构件(100，200)，其中反射性的所述包封件(14)包括硅树脂或由硅树脂和环氧化物构成的混合物。13.根据权利要求8至12中的至少一项所述的光电子半导体构件(100，200)，其中反射性的所述包封件(14)包括反射辐射的颗粒，所述颗粒由材料Ti02、BaSO4, ZnO、AlxOy和ZrO2中的至少一种构成或者包含所述材料中的至少一种。14.根据权利要求8至13中的至少一项所述的光电子半导体构件(100，200)，其中所述光电子半导体芯片(5)的侧面(12)具有材料剥离的痕迹、尤其是锯槽(15)或磨削痕迹。
【专利摘要】本发明提出一种用于制造光电子薄膜芯片半导体构件(200)的方法，其中将导体结构(2)施加在载体(1)上并且在导体结构之间设置多个光电子半导体芯片(5)，所述半导体芯片分别在上侧(6)包括层(7)，尤其是荧光转换层。此外，例如借助于接合线在半导体芯片(5)和导体结构(2)之间建立电连接部(8)，并且用模制体(11)包围半导体芯片(5)和导体结构，其中模制体(11)在光电子半导体芯片(5)的背离载体(1)的上侧(4)上不突出于光电子半导体芯片。此外，移除载体(1)并且分割已改型的半导体芯片。在一个特别的成形形式中，在模制体上设置有另一个对芯片改型的层、例如反射层。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/54, H01L33/50
【公开号】CN104885237
【申请号】CN201380067622
【发明人】斯特凡·普雷乌斯, 迈克尔·齐茨尔斯佩格, 卡罗琳·基斯特纳
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2013年12月17日
【公告号】DE102012113003A1, DE112013006140A5, US20150333232, WO2014095923A1