功能层、第二功能层和第三功能层还可以含有其他的同一种导电兀素。
[0029]所述绝缘层102形成于所述栅电极102之上，本实施方式中，所述绝缘层103完全覆盖所述栅电极102，所述绝缘层103的作用在于使所述栅电极102和位于其上的有源层104绝缘。所述绝缘层103的材料可为Si02等。所述有源层104形成于所述绝缘层103上，且其在所述第一表面1la上的投影覆盖所述栅电极102在第一表面1la上的投影。制成所述绝缘层102的材料为Si02/Si3N4或环氧树脂类材料，如OC胶等。
[0030]所述源电极105和漏电极106形成于所述有源层104上，且位于所述有源层104上相对的两侧，所述源电极105、漏电极106分别包括一第四功能层15a、第五功能层15b和第六功能层15c，所述第四功能层15a形成于所述有源层104之上，并部分覆盖所述有源层104，所述第五功能层15b形成于所述第四功能层15a上并完全覆盖所述第四功能层15a，制成所述第四功能层15a的材料、厚度与制成所述第一功能层12a的材料、厚度相同，制成所述第五功能层15b的材料、厚度与制成所述第二功能层12b的材料、厚度相同，制成所述第六功能层15c的材料、厚度与制成所述第三功能层12c的材料、厚度相同。在其他实施方式中，所述源电极105和漏电极106亦可以不包括第六功能层15c。
[0031]由于制成所述第四功能层15a的材料与所述第一功能层12a的材料相同，因此第四功能层15a亦具有陶瓷和金属的性质，其一方面与有源层104具有良好的附着性，另一方面与其上的第五功能层15b具有良好的附着性，再者，第四功能层15a形成于有源层104与主要起导电作用的第五功能层15b之间，其可降低第五功能层15b与有源层104之间的接触电阻，从而降低了源、漏电极与有源层104之间的能量势垒，有利于所述薄膜晶体管100驱动电压的减小。所述第五功能层15b起到主要导电作用，所述第六功能层15c起到保护所述第五功能层15b的作用。
[0032]本实施方式中，所述栅电极102包括第一功能层12a和第二功能层12b，所述第一功能层12a至少由具有良好结合性能的材料制成，所述第二功能层12b至少由具有良好导电性能的材料制成，因此，有利于提高栅电极102在基板上的附着性；另一方面，所述栅极102、源极105和漏极106以金属铜为主材料形成，有利于降低所述薄膜晶体管100的制作成本。
[0033]如图2所示，其为本实施方式中薄膜晶体管100的制作方法流程图，所述制作方法至少包括:
[0034]步骤SOl:提供一至少具有一第一表面的基板。
[0035]步骤S02:在所述第一表面上形成一栅电极层，栅电极至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层形成于所述第一表面，所述第二功能层形成于所述第一功能层上；所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。
[0036]步骤S03:在所述栅电极上形成一绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述源电极、漏电极分别包括一第四功能层、第五功能层和第六功能层，所述第四功能层形成于所述有源层之上，并部分覆盖所述有源层，所述第五功能层形成于所述第四功能层上并完全覆盖所述第四功能层，制成所述第四功能层的材料与制成所述第一功能层的材料相同，制成所述第五功能层的材料与制成所述第二功能层的材料相同。所述步骤还包括在所述第一表面上形成公共电极、扫描线和数据线的步骤，制成所述公共电极、扫描线和数据线的材料与所述栅极的材料相同。
[0037]以上为本发明提供的薄膜晶体管及其制作方法的较佳实施方式，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，其至少包括一具有第一表面的基板以及形成于所述第一表面上的栅电极，所述栅电极至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层形成于所述第一表面，所述第二功能层形成于所述第一功能层上，所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述薄膜晶体管还包括形成在所述栅电极之上的一绝缘层以及形成于所述绝缘层之上的有源层、源电极和漏电极，所述源电极、漏电极分别至少包括一第四功能层和第五功能层，所述第四功能层形成于所述有源层之上，并部分覆盖所述有源层，所述第五功能层形成于所述第四功能层上并完全覆盖所述第四功能层，制成所述第四功能层的材料与制成所述第一功能层的材料相同，制成所述第五功能层的材料与制成所述第二功能层的材料相同。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于:第一功能层和第二功能层中均包含有同一种导电兀素。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述同一种导电元素为铜，所述第二功能层由金属铜制成，所述第一功能层由铜的复合金属氧化物制成。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述栅电极还包括一第三功能层，所述第三功能层形成于所述第二功能层之上，并完全覆盖所述第一功能层和第二功能层；所述源电极和漏电极还包括一第六功能层，所述第六功能层形成于所述第五功能层上，并完全覆盖所述第四功能层和第五功能层，所述第三功能层和所述第六功能层均至少由具有保护性能的材料制成。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述第三功能层和所述第六功能层均为铜合金构成，所述第三功能层、所述第六功能层的膜厚范围均为300-500埃。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述铜合金和铜的复合金属氧化物中至少包含一种耐腐蚀金属，所述第一功能层的膜厚范围为300-500埃，所述第二功能层的膜厚范围为800-1400埃。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述铜合金或铜的复合金属氧化物中，还包括镍，且所述铜的比例为50%至95%,所述镍的比例为49%至4%。9.一种薄膜晶体管的制作方法，其至少包括如下步骤: 提供一至少具有一第一表面的基板； 在所述第一表面上形成一栅电极层，所述栅电极至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层形成于所述第一表面，所述第二功能层形成于所述第一功能层上；所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。10.如权利要求9所述薄膜晶体管制作方法，其特征在于:还包括在所述栅电极上形成一绝缘层、有源层、源电极和漏电极的步骤，所述源电极、漏电极分别至少包括一第四功能层和第五功能层，所述第四功能层形成于所述有源层之上，并部分覆盖所述有源层，所述第五功能层形成于所述第四功能层上并完全覆盖所述第四功能层，制成所述第四功能层的材料与制成所述第一功能层的材料相同，制成所述第五功能层的材料与制成所述第二功能层的材料相同；还包括在所述第一表面上形成公共电极、扫描线和数据线的步骤，制成所述公共电极、扫描线和数据线的材料与所述栅极的材料相同。
【专利摘要】本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管，其至少包括一具有第一表面的基板以及形成于所述第一表面上的栅电极，所述栅电极至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层形成于所述第一表面，所述第二功能层形成于所述第一功能层上，所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。此外，还提供了一种薄膜晶体管制作方法。
【IPC分类】H01L21/28, H01L29/786, H01L29/423, H01L29/43, H01L21/336
【公开号】CN104952930
【申请号】CN201410121236
【发明人】王士敏, 何云富, 郭志勇, 李绍宗, 陈雄达
【申请人】深圳莱宝高科技股份有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2014年3月27日