一透明基板。
[0034]需要说明的是，若需要制作的OLED为主动式0LED，则所述第一玻璃基板101可包括三部分:玻璃基板，位于玻璃基板一面上的TFT (Thin-film transistor，薄膜晶体管)阵列层，及位于TFT阵列层背离玻璃基板一侧的绝缘层。其中，TFT阵列层包括多个呈阵列式排布的TFT，绝缘层用于保持TFT阵列层与后续形成在第一玻璃基板101上的第一电极层102电性绝缘。若需要制作的OLED为被动式0LED，则所述第一玻璃基板101可不包括TFT阵列层。
[0035]步骤S12:在第一玻璃基板101的一面上依次层叠第一电极层102、有机功能层103和第二电极层104 (如图4所示)；
[0036]第一电极层102同时作为OLED显示面板的像素电极，其材料优选为ITO (Indiumtin oxide,氧化铟锡)、IZO (Indium zinc oxide,氧化铟锌)、金属或金属合金等。若需要制作底发射型OLED或双面出光型0LED，则第一电极层102为一透明的膜层。制作第一电极层102时优选的可采用蒸镀、化学气相淀积等工艺，本实施例并不限定。
[0037]有机功能层103为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的依次层叠的叠层结构。制作第一电极层102时优选的可采用蒸镀、化学气相淀积等工艺，本实施例并不限定。
[0038]第二电极层104的材料优选为Al、Ag、Mg等金属或Al、Ag、Mg等金属中至少两种的合金等材料。若需要制作顶发射型OLED或双面出光型0LED，则第二电极层104为一透明的膜层。制作第二电极层104时优选的可采用蒸镀、化学气相淀积等工艺，本实施例并不限定。
[0039]需要说明的是，若需要制作的OLED为常规结构的0LED，则第一电极层102为阳极，第二电极层104为阴极，从第一电极层102至第二电极层104的方向上，有机功能层103依次包括:空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。若需要制作的OLED为反转结构的0LED，则第一电极层102为阴极，第二电极层104为阳极，从第一电极层102至第二电极层104的方向上，有机功能层103依次包括:电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。
[0040]步骤S13:在第二电极层104背离第一玻璃基板101的一侧设置第二玻璃基板105(如图5所示)；
[0041]本实施例对所述第二玻璃基板105的厚度并不限定，其可为常规厚度的普通玻璃，也可为超薄玻璃，优选为普通玻璃，第二玻璃基板105的厚度(即减薄前的厚度)优选的可为0.4mm?0.7mm,包括端点值。
[0042]若需制作顶发射型OLED或双面出光型0LED，则第二玻璃基板105为一透明基板。
[0043]需要说明的是，为保持第一玻璃基板101与第二玻璃基板105之间具有一定的距离，即维持OLED的盒厚，优选的可在第一基板101与第二基板105之间设置隔离柱。所述隔离柱需在步骤S13之前设置，可形成于第一玻璃基板10步骤S13:1上，也可形成于第二玻璃基板105上。
[0044]步骤S14:对第一玻璃基板101和第二玻璃基板105进行封装，形成所述封装结构，使第一电极层102、有机功能层103和第二电极层104与所述封装结构的外部隔离(如图6所示)。
[0045]进行封装时，可采用封装胶封装第一玻璃基板101和第二玻璃基板105的周边，封装胶优选的可为UV固化胶(Ultrav1let Rays，紫外光固化胶)，或者为玻璃粉。
[0046]步骤S2:对所述封装结构进行刻蚀，将第一玻璃基板101的厚度减薄至第一预设厚度，使第一玻璃基板101能够进行预设弯曲度的弯曲，并将第二玻璃基板105的厚度减薄至第二预设厚度，使第二玻璃基板105能够进行预设弯曲度的弯曲；
[0047]本实施例对封装结构进行刻蚀具体所采用的工艺并不限定，优选的可采用湿法刻蚀工艺，则对所述封装结构进行刻蚀具体可为:将所述封装结构置于腐蚀液中，利用湿法刻蚀工艺对所述封装结构进行刻蚀。
[0048]所选用的腐蚀液的种类、浓度等可根据实际情况具体设定。本实施例中，所述腐蚀液优选的可为酸性腐蚀液，更优选的为所述腐蚀液中含有氟离子。
[0049]本实施中可通过对第一玻璃基板101和第二玻璃基板105的厚度的控制，实现对二者弯曲度的控制。具体的，根据所需要制作的可弯曲式OLED的弯曲度，确定第一玻璃基板101和第二玻璃基板105需要具有的弯曲度能力，表征该弯曲度能力的参数即为预设弯曲度；根据预设弯曲度确定减薄后第一玻璃基板101的厚度(即第一预设厚度)和减薄后第二玻璃基板105的厚度(即第二预设厚度)；利用第一玻璃基板101减薄前的厚度减去第一预设厚度，得到第一玻璃基板101需刻蚀掉的厚度，并利用第二玻璃基板105减薄前的厚度减去第二预设厚度，得到第二玻璃基板105需刻蚀掉的厚度；根据腐蚀液的浓度和第一玻璃基板101需刻蚀掉的厚度，得到刻蚀第一玻璃基板101需要进行的时间，在此可称为第一刻蚀时间，并根据腐蚀液的浓度和第二玻璃基板105需刻蚀掉的厚度，得到刻蚀第二玻璃基板105需要进行的时间，在此可称为第二刻蚀时间。
[0050]若第一玻璃基板101和第二玻璃基板105需要减薄的厚度是相同的，则最终得到的第一刻蚀时间与第二刻蚀时间也是相等的，在对二者进行刻蚀时，优选的可将封装结构完全浸入腐蚀液中，使对二者的刻蚀同时进行，同时完成，从而达到节省工艺时间的目的。
[0051]若第一玻璃基板101和第二玻璃基板105需要减薄的厚度不同，则最终得到的第一刻蚀时间与第二刻蚀时间不同，优选的可对二者分别进行刻蚀:使封装结构漂浮于腐蚀液中，第一玻璃基板101与腐蚀液的液面相接触，对第一玻璃基板进行第一刻蚀时间的刻蚀，之后翻转封装结构，使第二玻璃基板105与腐蚀液的液面相接触，对第二玻璃基板105进行第二刻蚀时间的刻蚀。在本发明的其它实施例中，也可先对第二玻璃基板105进行刻蚀，再对第一玻璃基板101进行刻蚀。
[0052]在第一刻蚀时间与第二刻蚀时间不同的状况下，还可采用下述方法对第一玻璃基板101和和第二玻璃基板105进行刻蚀，假设所得到的第一刻蚀时间大于第二刻蚀时间，则可将封装结构完全进入腐蚀液中，进行第二刻蚀时间的刻蚀，该过程结束后第二玻璃基板105已经被减薄至第二预设厚度，第一玻璃基板101由于刻蚀时间不够，未达到第一预设厚度，还需再减薄一定的厚度，此时可将封装结构漂浮于腐蚀液中，第一玻璃基板101与腐蚀液的液面相接触进行刻蚀，直至第一玻璃基板101的厚度达到第一预设厚度结束；若第一刻蚀时间小于第二刻蚀时间，则可将封装结构完全进入腐蚀液中，进行第一刻蚀时间的刻蚀，该过程结束后第一玻璃基板101已经被减薄至第一预设厚度，第二玻璃基板105还需再减薄一定的厚度，此时可将封装结构漂浮于腐蚀液中，第二玻璃基板105与腐蚀液的液面相接触进行刻蚀，直至第二玻璃基板105的厚度达到第二预设厚度结束。利用上述方法可在一定程度上节约工艺时间。
[0053]本实施例中，对第一玻璃基板101和第二玻璃基板105在减薄后各自的厚度并不限定，二者可根据实际情况而设定。第一玻璃基板101减薄后的厚度(即第一预设厚度)优选的可为10ym?300μπι，包括端点值，第二玻璃基板105减薄后的厚度(即第二预设厚度)优选的可为10ym?300μηι,包括端点值。
[0054]步骤S3:弯曲所述封装结构，形成具有所述预设弯曲度的有机电致发光显示面板(如图2所示)。
[0055]由于经过步骤S2后，第一玻璃基板101和第二