)步，用研磨机研磨载于支撑物上的晶片。如果需要研磨晶 片的两面，则可以在一面研磨后再研磨另一面。研磨加工是为了消除切片工序中晶片表面 的锯纹损伤，获得足够的晶片平整度，为后续的抛光工序作准备。所述研磨可以本领域已知 的任何方法进行，例如可在一种已知的研磨设备中进行（例如类似图2的设备），晶片置于 一个支承垫中，上下两侧垫有研磨垫（通常为聚酯类研磨垫），研磨过程使用研磨液（可用 已知的研磨液）。例如，在采用上下盘式的研磨设备（上下盘反向旋转）时，研磨过程中， 晶片所受压力为0. 03-0. 18千克/平方厘米，优选0. 05-0. 15千克/平方厘米。上盘转速 2-12转/分钟，优选3-10转/分钟；下盘转速5-20转/分钟，优选8-15转/分钟。研磨 液量为60-120ml/m2研磨盘面积/分钟（按设备盘单面计）。研磨时间为20-50分钟，优选 25-40分钟。
[0046] 在本发明方法的第（4)步，对载于支撑物上的晶片进行粗抛光，然后进行精抛光。 对于粗抛光，也即机械化学抛光，例如在晶片为GaAs晶片的情况下，使用的粗抛光溶液，除 水以外，还包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。在本发明的一 种优选实施方案中，粗抛光溶液中除水以外的成分按它们的重量百分比计（基于除水之 外的成分的总量计），包括二氯代异氰尿酸盐8. 0-22. 0 %、磺酸盐0. 01-0. 30%、焦磷酸盐 4. 5-19. 0%、碳酸氢盐3. 0-13. 0%和硅溶胶55. 0-72. 0%，各组分含量总和为100%。上述 各组分溶于水后的总重量百分比以不对晶片产生不利影响为限，可以为任何浓度，但是优 选不高于6. 0%。在另一个实施方案中，在晶片为InP晶片的情况下，可使用商购抛光磨料 以已知的常规方法进行，所述商购抛光磨料如日本FujimiCorporation的FujimiINSEC SP抛光磨料或INSECIPP抛光磨料等。而在晶片为Si晶片的情况下，可使用购自美国的 AKZONOBELInc.Nalco2371 抛光液。
[0047] 对于粗抛光，在采用上下盘式的抛光设备（上下盘反向旋转）时，抛光过程中，晶 片所受压力为〇. 04-0. 15千克/平方厘米，优选0. 05-0. 12千克/平方厘米。上盘转速10-45 转/分钟，优选12-35转/分钟；下盘转速5-40转/分钟，优选8-30转/分钟。抛光液流 量为60-120升/cm2晶片面积/小时。抛光时间为20-70分钟，优选25-60分钟。
[0048] 对于精抛光，也即化学机械抛光，例如在晶片为GaAs晶片的情况下，使用的精抛 光溶液，除水以外，包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、酸式焦磷酸盐、碳酸氢盐和碳酸盐。在 本发明的一个优选实施方案中，除水之外，按重量百分比计（基于除水之外的成分的总量 计），精抛光溶液包括二氯代异氰尿酸盐29. 00-40. 00%、磺酸盐0. 20-0. 45%、酸式焦磷酸 盐18. 00-35. 00 %、碳酸氢盐17. 00-24. 00 %和碳酸盐15. 00~23. 00 %，各组分含量总和为 100%。上述各组分溶于水后的总重量百分比以不对晶片产生不利影响为限，可以为任何浓 度，但是优选不高于3. 0%。在另一个实施方案中，在晶片为InP晶片的情况下，可使用商 购抛光液以已知的常规方法进行，所述商购抛光液如日本FujimiCorperation的Fujimi INSECSP抛光液或FujimiCOMPOL80抛光液等。而在晶片为Si晶片的情况下，可使用购 自美国的RodelCorporationRodelLS-10 抛光液。
[0049] 对于精抛光，在采用上下盘式的抛光设备（上下盘反向旋转）时，抛光过程中，晶 片所受压力为〇. 05-0. 15千克/平方厘米，优选0. 06-0. 12千克/平方厘米。上盘转速20-60 转/分钟，优选25-50转/分钟；下盘转速10-35转/分钟，优选12-25转/分钟。抛光液 流量为〇. 5-1.Oml/cm2晶片面积/分钟。抛光时间为3-20分钟，优选5-15分钟。
[0050] 在本发明的各抛光溶液中，二氯代异氰尿酸盐、（酸式）焦磷酸盐、碳酸氢盐和碳 酸盐可以使用它们各自的水溶性盐类之一。优选的是，二氯代异氰尿酸盐、（酸式）焦磷酸 盐、碳酸氢盐和碳酸盐为各自的水溶性的碱金属盐之一或为铵盐，特别优选为各自的钠盐 或铵盐。
[0051] 对于硅溶胶，可以使用常规的硅溶胶，例如市售的硅溶胶，或者是使用现有技术方 法制备的硅溶胶。
[0052] 对于磺酸盐，可以使用水溶性磺酸盐，优选水溶性碱金属盐之一或为铵盐，特别优 选为钠盐或铵盐。优选的是，磺酸盐为例如C6_16芳基（即含6-16个碳原子的芳基，包括取代 的芳基）的单磺酸盐或二磺酸盐（例如C4_1(l烷基-苯磺酸盐、苯磺酸盐、萘磺酸盐、蒽磺酸 盐、C4_1(l烷基-苯基二磺酸二盐、苯基二磺酸二盐、萘基二磺酸二盐或蒽基二磺酸二盐，例如 1，2-苯二磺酸二盐、1，3-苯二磺酸二盐、苯磺酸盐或萘磺酸盐）、烷基磺酸盐（优选为4-10 个碳原子烷基的磺酸盐，例如丁烷基磺酸盐、戊烷基磺酸盐、己烷基磺酸盐、庚烷基磺酸盐、 辛烷基磺酸盐、壬烷基磺酸盐和癸烷基磺酸盐等）和酚磺酸盐之一，进一步优选1，3-苯二 磺酸盐、苯磺酸盐、萘磺酸盐或己烷基磺酸盐。
[0053] 对于粗抛光和精抛光，虽然上面对于某些晶片示例了各自的方法，但是，由于粗抛 光和精抛光本身可以采用现有技术的方法进行，因此不作进一步赘述。
[0054] 经过粗抛光和精抛光，超薄半导体晶片其表面微粗糙度不高于0. 5纳米。优选 地，该晶片厚度不高于400微米，例如为150-400微米，表面微粗糙度为0. 20-0. 50纳米， 优选0. 20-0. 40纳米，更优选0. 20-0. 35纳米。进一步优选地，所述超薄半导体晶片厚度为 150-350微米，表面微粗糙度为0. 20-0. 40纳米。再进一步优选地，所述超薄半导体晶片厚 度为150-300微米，表面微粗糙度为0. 20-0. 35纳米。最优选地，所述超薄半导体晶片厚度 为150-250微米，表面微粗糙度为0. 20-0. 35纳米。其直径通常为2-15厘米，优选为5-12 厘米。
[0055] 优选地，所得到的晶片平整度为3-7微米，优选3-5微米。
[0056] 优选地，经过粗抛光和精抛光之后，本发明的超薄半导体晶片不包括
[0057]d.直径小于或等于5. 12厘米、厚度为350-400微米的晶片；
[0058]e.直径为5. 12-7. 68厘米、厚度为375-400微米的晶片；以及
[0059]f.直径高于7. 68-10. 24厘米、厚度高于或等于385-400微米的晶片。
[0060] 任选地，还对精抛后的超薄晶片进行表面清洗处理，优选进行湿法表面清洗处理。 对清洗处理的过程无特别限制，只要其能使晶片表面达到所需的清洁程度即可。就湿法清 洗处理而言，可根据所制备的超薄半导体晶片的种类进行适当选择，套用现有技术的方法。 优选地，所述步骤（5)的表面湿法清洗处理在不低于1000级的洁净室中进行。所述洁净室 等级的定义参考美国联邦标准209D洁净室规格（见下表1)。在此，通常只考察微尘粒子 数，例如，千级洁净室一般指，每立方英尺中，多〇. 5微米的颗粒数< 1000颗；多5. 0微米的 颗粒数< 10颗。优选地，经过步骤（5)的表面清洗处理，在光照下目测，晶片表面无颗粒、 无白雾。并且晶片表面金属Zn和Cu残余量分别<10X101(I原子/cm2。这样，本发明方法 的超薄半导体晶片，不需要再进行任何外延前的处理，可达到开盒即用的水平。由于清洗可 以采用现有技术的方法，在此不作进一步赘述。
[0061] 表1美国联邦标准209D洁净室规格
[0062]
[0063] 由于表面清洗处理一般不改变晶片的表面物理状态，因此，经过表面清洗处理， 超薄半导体晶片其表面微粗糙度不高于〇. 50纳米。优选地，该晶片厚度不高于400微 米，例如为150-400微米，表面微粗糙度为0. 20-0. 50纳米，优选0. 20-0. 40纳米，更优选 0. 20-0. 35纳米。进一步优选地，所述超薄半导体晶片厚度为150-350微米，表面微粗糙度 为0. 20-0. 40纳米。再进一步优选地，所述超薄半导体晶片厚度为150-300微米，表面微粗 糙度为〇. 20-0. 35纳米。最优选地，所述超薄半导体晶片厚度为150-250微米，表面微粗糙 度为0.20-0. 35纳米。其直径通常为2-15厘米，优选为5-12厘米。优选的是，晶片平整度 为3-7微米，优选3-5微米。但是，所述超薄晶片不包括
[0064] a.直径小于或等于5. 12厘米、厚度为350-400微米的晶片；
[0065] b.直径为5. 12-7. 68厘米、厚度为375-400微米的晶片；以及
[0066] c.直径高于7. 68-10. 24厘米、厚度高于或等于385-400微米的晶片。
[0067] 优选地，本发明的超薄晶片不包括：
[0068] a.直径小于或等于5. 12厘米、厚度为325-400微米的晶片；
[0069] b.直径为5. 12-7. 68厘米、厚度为350-400微米的晶片；以及
[0070] c.直径高于7. 68-10. 24厘米、厚度高于或等于365-400微米的晶片。
[0071] 更进一步优选的是，本发明的超薄晶片不包括：