理器可以是微处理器，但是在替代方案中，处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实现为例如DSP与微处理器的组合的计算设备的组合、多个微处理器、与DSP核心协作的一个或多个微处理器、或者任何其它这种配置。
[0052]本文所公开的实施例可以包含在硬件中和存储在硬件中的指令中，并且可以驻留在例如随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域中所知的任何其他形式的储存介质中。示例性的存储介质耦合到处理器，使得处理器能够从/向储存介质读写信息。在替代方案中，储存介质可以被整合到处理器。处理器和储存介质可以驻留在ASIC中。ASIC可以驻留在远程站中。在替代方案中，处理器和储存介质可以作为分立部件驻留在远程站、基站或服务器中。
[0053]还应当指出，对在本文的示例性实施例的任何一个中所描述的操作步骤进行描述，以便提供示例和讨论。所描述的操作可以以除了所示出的顺序以外的许多不同顺序来执行。此外，在单个操作步骤中所描述的操作实际上可以在多个不同步骤中执行。另外，在示例性实施例中所讨论的一个或多个操作步骤可以进行组合。要理解的是，如对本领域技术人员来说将是显而易见的，在流程图中所示出的操作步骤可以经受许多不同的修改。本领域技术人员还将理解，信息和信号可以使用各种不同技术和技艺中的任意一项来表示。例如，贯穿上面的描述可以引用的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和芯片可以由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或它们的任意组合来表示。
[0054]提供了对本公开内容的以上描述以使得本领域任何技术人员能够实施或使用本公开内容。对于本领域技术人员来说，对本公开内容的各种修改将是显而易见的，并且在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，可以将本文所定义的一般性原理应用于其它变型。因此，本公开内容并非旨在限于本文所描述的示例和设计，而是要求保护与本文所公开的原理和新颖特征相一致的最广泛的范围。
【主权项】
1.一种单片三维(3-D)集成电路(3DIC)，包括: 包括第一部件的第一半导体集成电路层级； 包括第二部件的第二半导体集成电路层级，所述第二部件相对于所述第一半导体集成电路层级垂直设置；以及 至少一层石墨烯层，所述至少一层石墨烯层被设置在所述第一半导体集成电路层级与所述第二半导体集成电路层级之间，以使得所述至少一层石墨烯层既不是所述第一部件的部分也不是所述第二部件的部分。2.根据权利要求1所述的单片3DIC，其中，所述至少一层石墨烯层耦合到地，并提供所述第一半导体集成电路层级与所述第二半导体集成电路层级之间的电磁屏蔽。3.根据权利要求1所述的单片3DIC，其中，所述至少一层石墨烯层被配置为传导热量离开在所述第一半导体集成电路层级和所述第二半导体集成电路层级中内部设置的有源元件。4.根据权利要求1所述的单片3DIC，其中，所述至少一层石墨烯层定义至少一个孔隙。5.根据权利要求4所述的单片3DIC，还包括传导过孔，所述传导过孔穿过所述至少一个孔隙，并耦合所述第一半导体集成电路层级中的第一有源部件与所述第二半导体集成电路层级中的第二有源部件。6.根据权利要求1所述的单片3DIC，还包括热过孔，所述热过孔与所述至少一层石墨烯层热相接。7.根据权利要求4所述的单片3DIC，其中，所述单片3DIC包括外部边缘，并且所述至少一个孔隙邻近所述外部边缘。8.根据权利要求4所述的单片3DIC，其中，所述单片3DIC包括中心，并且所述至少一个孔隙邻近所述中心。9.根据权利要求4所述的单片3DIC，其中，所述单片3DIC包括外部边缘，并且所述至少一个孔隙与所述外部边缘在内部是有间隔的。10.根据权利要求7所述的单片3DIC，还包括穿过所述至少一个孔隙的热过孔。11.根据权利要求1所述的单片3DIC，还包括将所述第一半导体集成电路层级与所述第二半导体集成电路层级进行接合的接合层，并且其中，所述至少一层石墨烯层位于所述第一半导体集成电路层级中的所述接合层的下方。12.根据权利要求1所述的单片3DIC，还包括将所述第一半导体集成电路层级与所述第二半导体集成电路层级进行接合的接合层，并且其中，所述至少一层石墨烯层位于所述第二半导体集成电路层级中的所述接合层的上方。13.根据权利要求11所述的单片3DIC，其中，所述接合层包括经退火的氧化层。14.根据权利要求1所述的单片3DIC，所述单片3DIC被集成到半导体管芯中。15.根据权利要求1所述的单片3DIC，还包括选自由以下构成的组的设备，并且所述单片3DIC被集成到所述设备中:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监控器、计算机监控器、电视机、调谐器、收音机、卫星收音机、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频光盘(DVD)播放器、以及便携式数字视频播放器。16.一种单片三维(3-D)集成电路(3DIC)，包括: 第一单元，所述第一单元用于提供包括第一部件的半导体层级； 第二单元，所述第二单元用于提供包括第二部件的半导体层级，所述第二部件相对于用于提供所述半导体层级的所述第一单元垂直设置；以及 至少一层石墨烯层，将所述至少一层石墨烯层设置在用于提供半导体层级的所述第一单元与所述第二单元之间，以使得所述至少一层石墨烯层既不是所述第一部件的部分也不是所述第二部件的部分。17.一种形成单片三维(3-D)集成电路(3DIC)的方法，包括: 提供包括第一部件的第一半导体层级； 将至少一层石墨烯设置在所述第一半导体层级的表面上； 将所述第一部件与所述至少一层石墨烯电隔离；以及 在所述至少一层石墨烯的上方提供包括第二部件的第二半导体层级，以使得所述至少一层石墨烯位于所述第一半导体层级与所述第二半导体层级之间，并且，所述第二部件与所述至少一层石墨烯电隔离。18.根据权利要求17所述的方法，还包括在所述至少一层石墨烯中提供孔隙。19.根据权利要求18所述的方法，还包括:传导过孔穿过所述孔隙以电耦合所述第一半导体层级中的第一元件与所述第二半导体层级中的第二元件。20.根据权利要求18所述的方法，还包括:热过孔穿过所述孔隙以传导所述单片3DIC内的热量。
【专利摘要】公开了一种具有石墨烯屏蔽体的三维(3-D)集成电路(3DIC)。在某些实施例中，在3DIC的两个相邻层级(34，52)之间设置至少一层石墨烯层(38)。石墨烯层是由纯碳制成的、具有原子以规则六边形图案排列的至少一个原子厚度的片状层。石墨烯层可以被设置在3DIC中任意层数的相邻层级之间。在示例性实施例中，石墨烯层提供了3DIC中相邻层级或相邻层之间的电磁干扰屏蔽体，以便减少层级之间的串扰。在其它示例性实施例中，石墨烯层可以被设置在3DIC中，以便提供引导热量朝向3DIC的周边区域并向3DIC的周边区域散发热量的散热器。在一些实施例中，石墨烯层被配置为提供EMI屏蔽体和热屏蔽体两者。
【IPC分类】H01L27/02, H01L23/373, H01L23/367, H01L27/06
【公开号】CN104981899
【申请号】CN201480008148
【发明人】Y·杜
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2014年2月7日
【公告号】EP2956961A1, US20140225235, WO2014126800A1