4及308以及选择装置307)上更多。封装材料322可包括(例如)氮化硅、
碳化娃及/或氧化娃等等。
[0043]封装材料322可(例如)在挖出牺牲材料(例如，图2B及2C所说明的牺牲材料218)之后形成。在选择装置隔离蚀刻期间，封装材料322可保护包括可编程材料316及电极材料(例如，电极材料214)的单元堆叠。举例来说，在一或多个实施例中，封装材料322可使用物理气相沉积(PVD)过程等等而被沉积。
[0044]图3B说明在图3A所展示的阶段之后的阶段中展示的存储器单元阵列的部分。封装材料322可形成于包含电极材料304、选择装置307及电极材料308的选择装置堆叠上方。在一或多个实施例中，与包括可编程材料316及电极材料的堆叠相比较，封装材料322可在包括电极材料304及308以及选择装置307的堆叠上较快地被蚀刻掉。
[0045]在一或多个实施例中，封装材料322可在蚀刻之后保留在可编程材料316及电极材料周围。在一些情况下，封装材料322可在蚀刻之后从可编程材料316及电极材料周围完全地移除。在一或多个实施例中，封装材料322可在蚀刻之后从可编程材料316及电极材料周围部分地移除。
[0046]结论
[0047]本发明包含存储器单元结构及其形成方法。在一或多个实施例中，形成存储器单元包含:在第一方向上形成包含形成于第一电极与第二电极之间的选择装置的选择装置堆叠；在第二方向上在选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线以形成通孔；在通孔内形成可编程材料堆叠；及移除多个牺牲材料线且蚀刻穿过选择装置堆叠的部分以隔离选择装置。
[0048]在一或多个实施例中，存储器单元包含:第一堆叠结构，其包括第一电极、在第一电极上方的选择装置，及第二电极；及第二堆叠结构，其包括在第二电极上方的可编程材料，及在可编程材料上方的第三电极，其中第二堆叠结构是镶嵌结构。
[0049]尽管已在本文中说明及描述特定实施例，但所属领域的一般技术人员将了解，意欲实现相同结果的布置可替换所展示的特定实施例。本发明意欲涵盖本发明的数个实施例的适配或变化。应理解，上文的描述已以说明性方式而非限制性方式而作出。在审阅上文的描述后，所属领域的一般技术人员就将明白上文的实施例的组合及本文中未特定地描述的其它实施例。本发明的数个实施例的范围包含其中使用上文的结构及方法的其它应用。因此，应参考所附权利要求书连同可取得此类权利要求书资格的等效物的全部范围而确定本发明的数个实施例的范围。
[0050]在前述的【具体实施方式】中，为了简化本揭示内容的目的，将一些特征共同地分组于单一实施例中。此发明方法不应被解释为反映本发明的所揭示实施例必须使用比在每一权利要求中明确地叙述的特征更多的特征的意图。更确切地，如所附权利要求书所反映，发明主题在于少于单一所揭示实施例的所有特征。因此，所附权利要求书借此并入到【具体实施方式】中，其中每一权利要求独自地作为单独实施例。
【主权项】
1.一种形成存储器单元的方法，其包括: 在第一方向上形成包含形成于第一电极与第二电极之间的选择装置的选择装置堆置; 在第二方向上在所述选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线以形成通孔； 在所述通孔内形成可编程材料堆叠；及 移除所述多个牺牲材料线且蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置。2.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分包括蚀刻穿过所述第一电极以隔离所述选择装置。3.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻穿过所述选择装置的部分包括蚀刻穿过所述第一电极、所述选择装置及所述第二电极以隔离所述选择装置。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述可编程材料堆叠包括形成镶嵌可编程材料单元堆叠。5.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述可编程材料堆叠上方形成第三电极。6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其中移除所述多个牺牲材料线包括移除多个碳材料牺牲材料线。7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其中移除所述多个牺牲材料线包括利用氧等离子材料来移除所述多个牺牲材料线。8.一种形成存储器单元的方法，其包括: 形成包括在衬底材料上方的第一电极、在所述第一电极上方的非欧姆选择装置及在所述非欧姆选择装置上方的第二电极的选择装置堆叠； 在所述第二电极上方形成牺牲材料； 在通过所述牺牲材料形成而形成的通孔内形成可编程材料堆叠；及 挖出所述牺牲材料的部分；及 蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述牺牲材料包括碳材料。10.根据权利要求8到9中任一权利要求所述的方法，其中所述第一电极、所述第二电极及所述选择装置是在第一方向上形成。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述牺牲材料是在实质上正交于所述第一方向的第二方向上形成。12.根据权利要求8到9中任一权利要求所述的方法，其中所述存储器单元包括镶嵌存储器单元。13.根据权利要求8到9中任一权利要求所述的方法，其中形成所述选择装置堆叠包括形成金属-半导体-金属MSM堆叠、金属-绝缘体-金属M頂堆叠及导体-半导体-导体CSC堆叠中的至少一者。14.一种存储器单元，其包括: 第一堆叠结构，其包括第一电极、在所述第一电极上方的选择装置，及第二电极；及 第二堆叠结构，其包括在所述第二电极上方的可编程材料，及在所述可编程材料上方的第三电极， 其中所述第二堆叠结构是镶嵌结构。15.根据权利要求14所述的存储器单元，其中第一堆叠结构是在第一方向上形成。16.根据权利要求15所述的存储器单元，其中所述第二堆叠结构是在实质上正交于所述第一方向的第二方向上形成。17.根据权利要求14到16中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述选择装置是非欧姆选择装置。18.根据权利要求14到16中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述存储器单元是电阻式随机存取存储器RRAM单元。19.根据权利要求14到16中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述第一电极及所述第二电极是底电极。20.根据权利要求14到16中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述第三电极包括铜材料。21.—种存储器单元，其包括: 经隔离选择装置，其在第一电极与第二电极之间； 可编程材料，其在所述第二电极上方；及 第二电极，其在所述可编程材料上方。22.根据权利要求21所述的存储器单元，其进一步包括封装所述可编程材料及所述第三电极的非保形封装材料。23.根据权利要求22所述的存储器单元，其中所述非保形保护性材料经配置以在蚀刻过程期间保护所述可编程材料。24.根据权利要求21到23中任一权利要求所述的存储器单元，其中可编程材料及所述第三电极包括镶嵌结构。25.根据权利要求21到23中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述经隔离选择装置、所述第一电极及所述第二电极是在第一方向上形成。26.根据权利要求25所述的存储器单元，其中所述可编程材料及所述第三电极是在实质上正交于所述第一方向的第二方向上形成。27.根据权利要求25所述的存储器单元，其中所述可编程材料及所述第三电极是在与所述第一方向成实质上成六十度角的第二方向上形成。28.一种存储器单元阵列，其包括: 多个第一堆叠，其各自包括通过选择装置而与第二电极分离的第一电极； 电介质材料，其在所述多个第一堆叠中的每一者之间；及 多个第二堆叠，其各自包括形成于所述第二电极上的可编程材料，其中所述可编程材料包含用铜材料填充的通孔。29.根据权利要求28所述的阵列，其中所述存储器单元阵列是以交叉点存储器单元阵列而配置。30.根据权利要求28所述的阵列，其中所述存储器单元阵列是以三维单元阵列而配置。31.根据权利要求28到30中任一权利要求所述的阵列，其中所述多个第一堆叠是在存取线方向上形成，且其中所述多个第二堆叠是在数字线方向上形成。
【专利摘要】本发明包含存储器单元结构及其形成方法。一种此类方法包含形成存储器单元，其包含：在第一方向上形成包含形成于第一电极与第二电极之间的选择装置堆叠；在第二方向上在所述选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线以形成通孔；在所述通孔内形成可编程材料堆叠；及移除所述多个牺牲材料线且蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置。
【IPC分类】H01L21/28, H01L21/60
【公开号】CN105051875
【申请号】CN201480017654
【发明人】史考特·E·西利士, D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米
【申请人】美光科技公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年5月8日
【公告号】US20140346428, WO2014189686A1