包括氮化物SiNx或者氮氧化合物SiOxNx，或者是氮化物SiNx和氮氧化合物 SiOxNx的复合物等；有源层4薄膜的厚度具体可为1000 A至4000 A;欧姆接触层薄膜的 厚度具体可为500 I至1000 然后通过涂光刻胶、曝光、显影和干法刻蚀及剥离工艺形成 薄膜晶体管的沟道；其中，有源层4在衬底基板上的正投影面积稍小于透明电极层3的正投 影面积；
[0072] 步骤四、在形成有源层图形的衬底基板上形成源极和漏极的图形，如图5d所示；
[0073] 在具体实施时，在完成步骤三的衬底基板上通过溅射或热蒸发的方法依次沉积上 厚度约为100人至1000A的金属Ta、Cr、Mo、W、Nb等金属或合金、或者透明导电薄膜作为缓 冲层；然后再沉积厚度约为1〇〇〇A~5000A的金属层（材质可以为铝或者铜），或由多 层金属形成源漏极金属层；然后通过涂光刻胶、曝光、显影和湿法刻蚀及剥离工艺得到源极 5、漏极6和数据扫描线9的图形；
[0074] 步骤五、在形成包括源极和漏极图形的衬底基板上形成具有过孔的钝化层的图 形，如图5e所示；
[0075] 在具体实施时，在完成步骤四的衬底基板上通过PECVD等方法沉积厚度约为 700 A~5000 1的钝化层，钝化层的材质具体可以包括氧化物、氮化物或者氧氮化合物 等；然后通过涂光刻胶、曝光、显影和干法刻蚀及剥离工艺在钝化层形成像素区域的过孔 10 (去除钝化层），以及形成连接上下公共电极7 (公共电极线8)的连接孔11 (去除钝化层 和栅极绝缘层）；
[0076] 步骤六、在形成钝化层图形的衬底基板上形成像素电极的图形，如图5f所示； [0077] 在具体实施时，在完成步骤五的衬底基板上通过溅射或热蒸发等方法沉积一层厚 度约为300 A~1000 A的透明导电层，透明导电层的材质具体可以包括IT0、或者IZ0、或 者其它金属及金属氧化物；然后通过一次曝光、刻蚀工艺，形成像素电极12以及连接上下 公共电极7(公共电极线8)的导电连接层13。
[0078] 需要说明的是，上述制作工艺采用了六次曝光工艺形成的，此外还可以采用五次 曝光工艺制作。即：执行步骤三时，通过形成PECVD等方法依次沉积栅绝缘层、有源层、欧姆 接触层的薄膜之后，不进行曝光和刻蚀工艺，而是通过溅射或热蒸发的方法依次沉积缓冲 层和金属层；后续，可采用半色调或灰色调掩模板曝光显影工艺，经过多步刻蚀之后形成栅 绝缘层、半导体层、欧姆接触层以及源漏极金属层对应的图形，例如薄膜晶体管的沟道、源 极、漏极和数据线。
[0079] 至此，经过具体的实例提供的上述步骤一至六制作出了本发明实施例提供的上述 薄膜晶体管阵列基板。
[0080] 基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提 供的上述薄膜晶体管阵列基板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记 本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不 可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为 对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述薄膜晶体管阵列基板的实施例，重复之 处不再赘述。
[0081] 本发明实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置，包括：衬 底基板，设置在衬底基板上的栅极，以及依次设置在栅极上的栅极绝缘层和有源层；还包 括：设置在衬底基板上的像素电极、公共电极和透明电极层；其中，透明电极层和像素电极 /公共电极同层同材质；透明电极层位于栅极绝缘层的下方；有源层在衬底基板上的正投 影位于透明电极层的正投影所在区域内。由于薄膜晶体管中的有源层正下方设置有与像素 电极或公共电极同层同材质的透明电极层，可以改善薄膜晶体管所在区域的电极层残沙， 使有源层的表面平整，避免由残沙引起的画面不均的现象，实现方法简单，且对栅极电阻的 影响较小，可以提升产品品质。
[0082] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1. 一种薄膜晶体管阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的栅极，以及依 次设置在所述栅极上的栅极绝缘层和有源层；其特征在于， 还包括：设置在所述衬底基板上的像素电极、公共电极和透明电极层；其中， 所述透明电极层和像素电极同层同材质；或，所述透明电极层和公共电极电极同层同 材质； 所述透明电极层位于所述栅极绝缘层的下方； 所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述透明电极层的正投影所在区域内。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透明电极层设置在所 述衬底基板和所述栅极之间；或， 所述透明电极层设置在所述栅极和所述栅极绝缘层之间。3. 如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述衬底基板和所述栅极 之间设置有缓冲层； 所述透明电极层设置在所述衬底基板和所述缓冲层之间。4. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述透明电 极层上的多条栅线，每条所述栅线的一部分作为所述栅极。5. 如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅线在所述衬底基板 上的正投影与所述透明电极层的正投影相互重叠。6. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板 中的像素电极位于公共电极的上方，其中，所述公共电极为板状电极。7. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板 中的像素电极位于公共电极的下方，其中，所述像素电极为板状电极。8. 如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透明电极层 的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓锌其中之一或组合。9. 如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透明电极层 为具有矩形形状的板状电极。10. 如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透明电极层 的厚度为300 A个:1000 A。11. 一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的薄膜晶体管阵列 基板。12. -种如权利要求1-10任一项所述薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 包括： 通过同一构图工艺在衬底基板上形成像素电极和透明电极层的图形；或，通过同一构 图工艺在衬底基板上形成公共电极和透明电极层的图形； 在衬底基板上形成栅极的图形； 在形成有所述栅极图形的衬底基板上依次形成栅极绝缘层和有源层的图形；所述透明 电极层图形位于所述栅极绝缘层图形的下方；所述有源层图形在所述衬底基板上的正投影 位于所述透明电极层图形的正投影所在区域内。
【专利摘要】本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的栅极，以及依次设置在栅极上的栅极绝缘层和有源层；还包括：设置在衬底基板上的像素电极、公共电极和透明电极层；其中，透明电极层和像素电极/公共电极同层同材质；透明电极层位于栅极绝缘层的下方；有源层在衬底基板上的正投影位于透明电极层的正投影所在区域内。由于薄膜晶体管中的有源层正下方设置有与像素电极或公共电极同层同材质的透明电极层，可以改善薄膜晶体管所在区域的电极层残沙，使有源层的表面平整，避免由残沙引起的画面不均的现象，实现方法简单，且对栅极电阻的影响较小，可以提升产品品质。
【IPC分类】H01L27/12, H01L21/77, G02F1/1343, H01L21/768
【公开号】CN105070727
【申请号】CN201510518773
【发明人】冯伟
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年8月21日