数1~20的烷基、碳原子数2~ 20的烯基或碳原子数2~20的炔基、或者可被Z 5取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原 子数2~20的杂芳基，Rw相互独立地表示可被Z 6取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子 数2~20的烯基或碳原子数2~20的炔基、或者可被Z7取代的、碳原子数6~20的芳基 或碳原子数2~20的杂芳基。
[0089] Z4表示卤素原子、或者可被Z 8取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20 的杂芳基，Z5表示卤素原子、或者可被Z 8取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20 的烯基或碳原子数2~20的炔基。
[0090] Z6表示卤素原子、可被Z8取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂 芳基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基（-NHCONH 2)、硫醇基、 异氰酸酯基（-NC0)、氨基、-NHY14基、或-NY 15Y16基，Z 7表示卤素原子、可被Z 8取代的、碳原 子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原子数2~20的炔基、环氧环己基、缩水 甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基（-NHCONH 2)、硫醇基、异氰酸酯基（-NC0)、氨 基、-NHY14基、或者-NY 15Y16基，Y 14~Y 16相互独立地表示可被Z 8取代的、碳原子数1~20 的烷基、碳原子数2~20的烯基、碳原子数2~20的炔基、碳原子数6~20的芳基、或者 碳原子数2~20的杂芳基。
[0091 ] Z8表示卤素原子、氨基、硝基、氰基、硫醇基。
[0092] 作为式⑵~⑷中的、素原子、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的 烯基、碳原子数2~20的炔基、碳原子数6~20的芳基和碳原子数2~20的杂芳基，可列 举与上述同样的基团。
[0093] R9和Rw中，烷基、烯基和炔基的碳原子数优选为10以下，更优选为6以下，进一步 优选为4以下。
[0094] 此外，芳基和杂芳基的碳原子数优选为14以下，更优选为10以下，进一步优选为 6以下。
[0095] 作为R9,优选可被Z4取代的、碳原子数1~20的烷基或碳原子数2~20的烯基、 或者可被Z 5取代的碳原子数6~20的芳基，更优选可被Z 4取代的、碳原子数1~6的烷 基或碳原子数2~6的烯基、或者可被Z5取代的苯基，进一步优选可被Z 4取代的碳原子数 1~4的烷基、或者可被Z5取代的苯基，进一步优选可被Z 4取代的、甲基或乙基。
[0096] 此外，作为#°，优选可被Z6取代的碳原子数1~20的烷基、或者可被Z 7取代的碳 原子数6~20的芳基，更优选可被Z6取代的碳原子数1~10的烷基、或者可被Z 7取代的 碳原子数6~14的芳基，进一步优选可被Z6取代的碳原子数1~6的烷基、或者可被Z 7取 代的碳原子数6~10的芳基，进一步优选可被Z6取代的碳原子数1~4的烷基、或者可被 Z7取代的苯基。
[0097] 再有，多个R9可全部相同，也可不同，多个R 也可全部相同，也可不同。
[0098] 作为Z4,优选卤素原子、或者可被Z8取代的碳原子数6~20的芳基，更优选氟原 子、或者可被Z 8取代的苯基，最优选不存在（即，为未取代）。
[0099] 此外，作为Z5,优选卤素原子、或者可被Z8取代的碳原子数6~20的烷基，更优选 氟原子、或者可被Z 8取代的碳原子数1~10的烷基，最优选不存在（即，为未取代）。
[0100] 另一方面，作为Z6,优选素原子、可被Z8取代的苯基、可被Z 8取代的呋喃基、环 氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基、硫醇基、异氰酸酯基、氨基、 可被Z8取代的苯基氨基、或者可被Z 8取代的二苯基氨基，更优选卤素原子，进一步优选氟原 子、或者不存在（即，为未取代）。
[0101] 此外，作为ZM尤选??素原子、可被Z8取代的碳原子数1~20的烷基、可被Z 8取代 的呋喃基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基、硫醇基、异氰酸 酯基、氨基、可被Z 8取代的苯基氨基、或者可被Z8取代的二苯基氨基，更优选卤素原子，进一 步优选氟原子、或者不存在（即，为未取代）。
[0102] 而且，作为Ζ8,优选卤素原子，更优选氟原子或不存在（即，为未取代）。
[0103] 以下列举本发明中能够使用的有机硅烷化合物的具体例，但并不限定于这些。
[0104] 作为二烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧 基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、甲基丙基二 甲氧基硅烷、甲基丙基二乙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、乙 烯基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲 基二乙氧基硅烷、3-(3,4_环氧环己基）乙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲 基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅 烷、γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基）氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3, 3， 3_三氟丙基甲基二甲氧基硅烷等。
[0105] 作为三烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅 烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三 甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、戊基三甲氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、庚基三甲氧基硅 烷、庚基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、 十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧 基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基 硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ -氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ -缩 水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ -甲基丙烯酰氧基 丙基三甲氧基硅烷、γ -甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、三乙氧基（4-(三氟甲基）苯 基）硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、（三乙氧基甲硅烷基） 环己烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷、三乙氧基氟硅烷、十三氟-I，1，2,2-四氢辛基三乙氧 基硅烷、五氟苯基三甲氧基硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷、3-(七氟异丙氧基）丙基三乙氧 基硅烷、十七氟-I，1，2，2-四氢癸基三乙氧基硅烷、三乙氧基-2-噻吩基硅烷、3-(三乙氧基 甲娃烷基）咲喃等。
[0106] 作为四烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举四乙氧基硅烧、四甲氧基硅烷、四丙氧 基硅烷等。
[0107] 这些中，优选3,3,3_三氟丙基甲基二甲氧基硅烷、三乙氧基（4-(三氟甲基）苯 基）硅烷、3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷、五氟苯基三甲氧基 硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷。
[0108] 本发明的电荷传输性清漆中的有机硅烷化合物的含量，如果考虑维持得到的薄膜 的高电荷传输性的方面，相对于电荷传输性物质和杂多酸的总质量，通常为0. 1~50质 量％左右，优选为0.5~40质量％左右，更优选为0.8~30质量％左右，进一步优选为1~ 20质量％。
[0109] 作为调制电荷传输性清漆时使用的溶剂，能够使用能够将电荷传输性物质和掺杂 剂物质良好地溶解的高溶解性溶剂。作为这样的高溶解性溶剂，能够使用例如N，N-二甲基 甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甘醇单甲基醚 等有机溶剂。这些溶剂能够1种单独地使用，或者能够将2种以上混合使用，其使用量，相 对于清漆中使用的溶剂全体，能够为5~100质量％。
[0110] 应予说明，电荷传输性物质和掺杂剂物质优选都在上述溶剂中完全地溶解，或者 成为了均一地分散的状态。
[0111] 此外，本发明的电荷传输性清漆，为了提高对于基板的润湿性、对清漆的表面张 力、粘度、沸点等调整等，优选包含其他的溶剂，通过加入这样的溶剂，根据使用的涂布方 法、烧成温度等的清漆调制变得容易，能够再现性良好地得到具有高平坦性和高电荷传输 性的薄膜。
[0112] 作为这样的其他溶剂，并无特别限定，可列举例如环己醇、乙二醇、乙二醇二缩水 甘油醚、1，3-辛二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇、三丙二醇、1，3- 丁二醇、2, 3- 丁二醇、1， 4_ 丁二醇、丙二醇、己二醇、乙二醇单丁基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇单 乙基醚乙酸酯、二甘醇单丁基醚乙酸酯、二丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲 基醚乙酸酯、二甘醇单乙基醚、双丙酮醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯、乙酸正己酯等。这些溶剂 能够1种单独地使用，或者将2种以上混合使用，其使用量优选为固体不析出的范围内，相 对于清漆中使用的溶剂全体，通常为1~95质量％，优选为5~90质量％。
[0113] 本发明的清漆的粘度，根据制作的薄膜的厚度等、固形分浓度适宜地设定，通常在 25°C下为 1 ~50mPa · s。
[0114] 此外，本发明中的电荷传输性清漆的固形分浓度，考虑清漆的粘度和表面张力等、 制作的薄膜的厚度等，适宜地设定，通常为〇. 1~10. 〇质量％左右，如果考虑提高清漆的涂 布性，优选为0. 5~5. 0质量％，更优选为I. 0~3. 0质量％。
[0115] 通过将以上说明的电荷传输性清漆在基材上涂布、烧成，从而能够在基材上形成 电荷传输性薄膜。
[0116] 作为清漆的涂布方法，并无特别限定，可列举浸渍法、旋涂法、转印印刷法、辊涂 法、毛刷涂布、喷墨法、喷涂法、狭缝涂布法等，优选根据涂布方法来调节清漆的粘度和表面 张力。
[0117] 此外，使用本发明的清漆的情况下，对烧成气氛也无特别限定，不仅是大气气氛， 在非活性气体气氛下、真空下这样的不充分存在氧的条件下也能够得到具有均一的成膜面 和高电荷传输性的薄膜。