例 1-9]
[0164] 使合成例1中得到的苯胺衍生物0. 309g和磷钨酸0. 619g在氮气氛下溶解于二甘 醇单甲基醚6. 0g。在得到的溶液中加入丙二醇单甲基醚24. 0g，搅拌，向其中加入五氟苯基 三乙氧基硅烷（Scientific Industrial Association Ltd.制造）0· 028g，进一步揽摔，调 制电荷传输性清漆。
[0165] [实施例 1-10 ~16]
[0166] 除了使苯胺衍生物的使用量和磷钨酸的使用量分别为0. 232g和0. 696g、0. 186g 和 0· 742g、0. 155g 和 0· 773g、0. 133g 和 0· 795g、0. 116g 和 0· 812g、0. 103g 和 0· 825g、0. 084g 和0. 843g以外，采用与实施例1-9同样的方法调制电荷传输性清漆。
[0167] [实施例 1-17]
[0168] 除了使五氟苯基三乙氧基硅烷的使用量为0. 046g以外，采用与实施例1-11同样 的方法调制电荷传输性清漆。
[0169] [实施例 1-18]
[0170] 使N，N' -二苯基联苯胺（东京化成工业（株）制造）0· 148g和磷钨酸0· 594g在 氮气氛下溶解于1，3-二甲基-2-咪唑啉酮8. 0g。在得到的溶液中加入环己醇12. Og和丙 二醇4. 0g，搅拌，向其中加入3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷0. 025g和苯基三甲氧基硅烷 0. 〇49g，进一步搅拌，调制电荷传输性清漆。
[0171] 应予说明，Ν，Ν' -二苯基联苯胺在使用1，4_二噁烷重结晶、然后在减压下充分干 燥后使用。
[0172] [实施例 1-19]
[0173] 除了使Ν，Ν' -二苯基联苯胺的使用量和磷钨酸的使用量为0. 124g和0. 619g以 外，采用与实施例1-18同样的方法调制电荷传输性清漆。
[0174] [比较例1]
[0175] 除了没有加入3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷0. 02Ig和苯基三甲氧基硅烷0. 041g 以外，采用与实施例1-1同样的方法调制电荷传输性清漆。
[0176] [3]有机EL元件的制造和特性评价
[0177] [实施例 2-1]
[0178] 将实施例1-1中得到的清漆使用旋涂器涂布于ITO基板后，在50°C下干燥5分钟， 进而，在大气气氛下、160°C下烧成15分钟，在ITO基板上形成了 30nm的均一的薄膜。作为 ITO基板，使用将铟锡氧化物（ITO)在表面上以膜厚150nm图案化的25mmX25mmX0. 7t的 玻璃基板，在使用前利用O2等离子体洗净装置（150W、30秒）将表面上的杂质除去。
[0179] 接下来，对于形成了薄膜的ITO基板，使用蒸镀装置（真空度LOXlO5Pa)将N， Ν' -二（1-萘基）-Ν，Ν' -二苯基联苯胺（a -NPD)、三（8-羟基喹啉）铝（III) (Alq3)、氟 化锂和铝的薄膜依次层叠，得到了有机EL元件。此时，关于蒸镀速率，对于a_NPD、Alq 3和 铝，在0. 2nm/秒的条件下，对于氟化锂，在0. 02nm/秒的条件下分别进行，膜厚分别为30nm、 40nm、0. 5nm 和 120nm〇
[0180] 应予说明，为了防止空气中的氧、水等的影响导致的特性劣化，在将有机EL元件 用密封基板密封后，对其特性评价。密封按照以下的顺序进行。
[0181] 在氧浓度2ppm以下、露点-85°C以下的氮气氛中，将有机EL元件收到密封基板之 间，将密封基板用粘接材料（于力'七（株）制造，XNR5516Z-B1)贴合。此时， 将捕水剂（夕''<二7夕（株）制造，HD-071010W-40)与有机EL元件一起收入密封基板内。
[0182] 对于贴合的密封基板，照射UV光（波长：365nm，照射量：6000mJ/cm 2)后，在80°C 下退火处理1小时，使粘接材料固化。
[0183] [实施例2-2~2-17和比较例2]
[0184] 除了代替实施例1-1中得到的清漆而分别使用了实施例1~2~1-17、比较例1 中得到的清漆以外，采用与实施例2-1同样的方法制作有机EL元件。
[0185] [实施例 2-18 ~2-19]
[0186] 除了代替实施例1-1中得到的清漆而分别使用了实施例1-18~1-19中得到的清 漆，代替在160°C下烧成15分钟而在180°C下烧成15分钟以外，采用与实施例2-1同样的 方法制作有机EL元件。
[0187] 测定上述制作的有机EL元件的驱动电压5V下的电流密度和亮度。将结果示于表 1〇
[0188] 此外，进行了实施例2-1~2-6中制作的有机EL元件的耐久性试验。将亮度的半 衰期（初期亮度5000cd/m 2)示于表2。
[0189] [表 1]
[0190]
[0191] 如表1中所示，使用了除了指定的苯胺衍生物和杂多酸以外还包含有机硅烷化合 物的本发明的电荷传输性清漆的情况下，即使在160~180°C这样的不到200°C的低温下烧 成，也能够制造具有优异的亮度特性的EL元件，而使用了不含有机硅烷化合物的电荷传输 性清漆（比较例2)的情况下，未能实现良好的亮度特性。
[0192] [表 2]
[0193]
[0194] 如表2中所示，具备实施例中制作的电荷传输性薄膜的有机EL元件显示优异的耐 久性。
【主权项】
1. 电荷传输性清漆，其特征在于，包含：包含由式（1)表示的苯胺衍生物的电荷传输性 物质、包含杂多酸的掺杂剂物质、有机硅烷化合物、和有机溶剂，式⑴中，X1 表示-NY L、-0-、-s-、- (CR7Rs)「或单键， Y1相互独立地表示氢原子、可被Z 1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20 的烯基或碳原子数2~20的炔基、或者可被Z2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子 数2~20的杂芳基， R1~R8相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺 酸基、羧酸基、可被Z1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原 子数2~20的炔基、可被Z 2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳 基、-NHY2、-NY3Y 4、-C (O) Y5、-0Y6、-SY7、-SO3Y' -C (O) OY9、-OC (O) Y1?、-C(O)NHY11'或者-C(O) NY12Y13 基， Y2~Y 13相互独立地表示可被Z 1取代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的 烯基或碳原子数2~20的炔基、或者可被Z2取代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数 2~20的杂芳基， Z1表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z 3取 代的、碳原子数6~20的芳基或碳原子数2~20的杂芳基， Z2表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z 3取 代的、碳原子数1~20的烷基、碳原子数2~20的烯基或碳原子数2~20的炔基， Z3表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、或者羧酸基， 1表示1~20的整数，m和η相互独立地表示0以上的整数，满足1兰m+n兰20,不过， m或η为0时，X1表示-NY1-。2. 权利要求1所述的电荷传输性清漆，其中，上述R 1~R4为氢原子、卤素原子、可被Z 1 取代的碳原子数1~10的烷基、或者可被Z2取代的碳原子数6~14的芳基，上述R5和R 6 为氢原子、卤素原子、可被Z1取代的碳原子数1~10的烷基、可被Z 2取代的碳原子数6~ 14的芳基、或者可被Z2取代的二苯基氨基。3. 权利要求1或2所述的电荷传输性清漆，其中，上述杂多酸包含磷钨酸。4. 权利要求1~3的任一项所述的电荷传输性清漆，其中，上述掺杂剂物质的质量（Wd) 与上述电荷传输性物质的质量（W h)之比（WD/WH)满足I. 0兰WD/W^ 11. 0。5. 权利要求1~4的任一项所述的电荷传输性清漆，其中，上述有机硅烷化合物为二烷 氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物或四烷氧基硅烷化合物。6. 使用权利要求1~5的任一项所述的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜。7. 电子器件，其具有权利要求6所述的电荷传输性薄膜。8. 有机电致发光元件，其具有权利要求6所述的电荷传输性薄膜。9. 权利要求8所述的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或 空穴传输层。10. 电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，将权利要求1~5的任一项所述的电荷 传输性清漆在基材上涂布，烧成。11. 权利要求10所述的电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，在不到200°C下烧 成。12. 有机电致发光元件的制造方法，其使用权利要求6所述的电荷传输性薄膜。
【专利摘要】包含含有式(1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、有机硅烷化合物、和有机溶剂的电荷传输性清漆，能够在低于200℃的低温下烧成，同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有高平坦性且具有高电荷传输性，应用于有机EL元件的情况下能够发挥优异的亮度特性。(式中，X1表示-NY1-等，Y1和R1～R6相互独立地表示氢原子等，m和n相互独立地表示0以上的整数，满足1≦m+n≦20。不过，m或n为0时，X1表示-NY1-)。
【IPC分类】H01L51/50, H05B33/10
【公开号】CN105074949
【申请号】CN201480013891
【发明人】中家直树, 古贺春香
【申请人】日产化学工业株式会社
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2014年3月6日
【公告号】WO2014141998A1