支承板、支承板的形成方法和晶片的加工方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及支承晶片的支承板、支承板的形成方法和使用了支承板的晶片的加工方法。
【背景技术】
[0002]对于在正面上形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI (large scaleintegrat1n:大规模集成电路)等多个器件且一个个器件由形成为格子状的多条分割预定线(间隔道)划分而成的半导体晶片，在通过磨削装置对其背面进行磨削而加工成规定的厚度后，通过切削装置(切割装置)来切削分割预定线而分割成一个个器件，分割出的器件被广泛利用于手机、电脑等各种电子设备。
[0003]对晶片的背面进行磨削的磨削装置具备:卡盘工作台，该卡盘工作台保持晶片；以及磨削构件，在该磨削构件上以能够旋转的方式安装有磨轮，该磨轮具有对保持在该卡盘工作台上的晶片进行磨削的磨具，该磨削装置能够高精度地将晶片磨削成期望的厚度。
[0004]为了对晶片的背面进行磨削，必须利用卡盘工作台来抽吸并保持晶片的形成有多个器件的正面侧，因此，通常在晶片的正面粘贴有保护带以免损伤器件(例如参照日本特开平5-198542号公报)。
[0005]近年，电子设备存在小型化、薄型化的倾向，其中所组装的半导体器件也被要求小型化、薄型化。但是，如果对晶片的背面进行磨削来使晶片变薄为例如100 μπι以下、进而为50 μ m以下，则由于刚性显著下降而导致此后的处理变得非常困难。而且，根据情况，还存在晶片发生翘曲、由于翘曲而导致晶片自身破损这样的担忧。
[0006]为了解决这样的问题而采用了晶片支承系统(WSS)。在WSS中，预先使用粘结剂将晶片的正面侧粘贴在具有刚性的保护部件上，然后对晶片的背面进行磨削使晶片变薄为规定的厚度(例如参照日本特开2004-207606号公报)。
[0007]专利文献1:日本特开平5-198542号公报
[0008]专利文献2:日本特开2004-207606号公报
[0009]可是，难以将晶片在不发生破损的情况下从保护带或WSS的保护部件剥离，特别是，近年来，由于存在晶片的大口径化以及完工厚度变薄的倾向，因此难以将晶片在不发生破损的情况下从保护部件剥离。另外，还存在下述这样的问题:在将晶片从保护部件剥离后，在器件的表面上残留有胶水或粘结剂。
【发明内容】
[0010]本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种晶片容易剥离且不会在器件的表面上残留胶水和粘结剂的支承板。
[0011]根据技术方案I所述的发明，提供一种支承板，晶片的正面被粘贴在该支承板上，所述晶片在正面具有:形成有多个器件的器件区域；和围绕该器件区域的外周剩余区域，所述支承板的特征在于，所述支承板具备:基板，在该基板的、与待粘贴的晶片的该器件区域相对应的表面区域中形成有凹部，并且，在该基板的、与晶片的该外周剩余区域相对应的区域中形成有环状槽；和柔软部件，该柔软部件被填充在该基板的该凹部中，通过将粘结剂注入该环状槽中，由此经由该粘结剂将晶片粘贴在该支承板的表面上。
[0012]根据技术方案2所述的发明，提供一种支承板的形成方法，其是技术方案I所述的支承板的形成方法，其特征在于，所述支承板的形成方法包括:凹部形成步骤，对基板的、与待粘贴的晶片的该器件区域相对应的表面区域进行磨削而形成凹部；环状槽形成步骤，在实施该凹部形成步骤之前或之后，利用切削刀具在基板的与待粘贴的晶片的该外周剩余区域相对应的区域中形成环状槽；以及柔软部件填充步骤，至少在实施了该凹部形成步骤后，将柔软部件填充在该凹部中。。
[0013]根据技术方案3所述的发明，提供一种晶片的加工方法，其是使用了技术方案I所述的支承板的加工方法，其特征在于，所述晶片的加工方法包括:粘结剂注入步骤，将粘结剂注入支承板的该环状槽中；粘贴步骤，在实施了该粘结剂注入步骤后，经由该粘结剂将晶片粘贴在该支承板上，以使晶片的该器件区域与该柔软部件抵接；加工步骤，在实施了该粘贴步骤后，经由该支承板保持晶片，并对晶片实施加工；以及粘结剂去除步骤，在实施了该加工步骤后，使切削刀具切入该支承板的与该环状槽相对应的区域，将该粘结剂去除。
[0014]由于在本发明的支承板上，通过注入环状槽中的粘结剂仅粘贴晶片的外周剩余区域，因此，不会在器件的表面上残留胶水和粘结剂。由于利用配设于晶片的外周的微量的粘结剂将晶片粘贴在支承板上，因此，晶片容易从支承板剥离。
[0015]另外，当通过粘结剂将晶片的外周部分粘贴在支承板上时，晶片的器件区域与支承板的柔软部件抵接，因此，能够防止器件遭受损坏。
【附图说明】
[0016]图1的(A)是第I实施方式的支承板的剖视图，图1的(B)是第2实施方式的支承板的剖视图。
[0017]图2是示出凹部形成步骤的立体图。
[0018]图3是示出环状槽形成步骤的局部侧剖视图。
[0019]图4是示出柔软部件填充步骤的剖视图。
[0020]图5是示出粘结剂注入步骤的剖视图。
[0021]图6是半导体晶片的立体图。
[0022]图7是示出粘贴步骤的剖视图。
[0023]图8是示出作为加工步骤的一个例子的磨削步骤的立体图。
[0024]图9的(A)是示出粘结剂去除步骤的第I实施方式的局部侧剖视图，图9的(B)是示出粘结剂去除步骤的第2实施方式的局部侧剖视图。
[0025]图10是示出粘结剂去除步骤的第3实施方式的局部侧剖视图。
[0026]标号说明
[0027]10、34:磨轮；
[0028]11、IlA:支承板；
[0029]13:基板；
[0030]15:凹部；
[0031]17、21:环状槽；
[0032]18:磨削单元；
[0033]19:柔软部件；
[0034]22、22A:切削刀具；
[0035]25:半导体晶片；
[0036]31:器件区域；
[0037]33:外周剩余区域。
【具体实施方式】
[0038]下面，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。参照图1的(A)，示出了本发明的第I实施方式的支承板11的剖视图。支承板11具备:基板13，其在与所粘贴的晶片25 (参照图6)的器件区域31相对应的表面区域上形成有凹部15，并且在与晶片25的外周剩余区域33相对应的区域上形成有环状槽17 ;和柔软部件19，其被填充在基板13的凹部15中。
[0039]基板13由硅晶片或玻璃晶片等构成。环状槽17的上正面和一个侧面敞开。柔软部件19例如由海绵橡胶、橡胶等形成。在柔软部件19具有平坦性的情况下，优选使柔软部件19的表面形成为与基板13的表面共面。
[0040]可是，在填充在基板13的凹部15中的柔软部件19的表面不具有那么高的平坦性而要实施使柔软部件19的表面平坦化的平坦化步骤的情况下，优选使柔软部件19形成得比基板13的表面高hi。hi例如为2?20 μm左右。
[0041]参照图1的(B)，示出了第2实施方式的支承板IlA的剖视图。在本实施方式中，将在与晶片25的外周剩余区域33相对应的区域上形成的环状槽21设置成仅向上方敞开的环状槽。
[0042]虽然优选使填充在基板13的凹部15中的柔软部件19的表面形成为与基板13的表面共面，但如上所述，在实施平坦化步骤的情况下，柔软部件19的表面形成得比基板13的表面高2?20 μ m。
[0043]下面，参照图2对凹部形成步骤进行说明。图2中，标号2为磨削装置的磨削单元，其包括:主轴6，其以能够旋转的方式收纳于主轴壳体4中；轮座8，其固定在主轴6的末端；以及磨轮10，其以能够装卸的方式安装于轮座8。磨轮10由下述部分构成:环状的轮基座12 ;和多个磨具14，它们呈环状粘贴在轮基座12的下端外周部。
[0044]在凹部形成步骤中，用磨削装置的卡盘工作台16抽吸并保持基板13，一边使卡盘工作台16绕箭头A所示的方向以例如300rpm旋转，一边使磨轮10绕箭头B所示的方向以例如6000rpm旋转，并且，驱动未图示的磨削单元进给机构使磨具14与基板13接触。然后，使磨轮10以规定的磨削进给速度向下方磨削进给规定的量。
[0045]其结果是，在基板13上，与晶片25的器件区域31相对应的区域被磨削去除而形成圆形的凹部15，并且，与晶片25的外周剩余区域33相对应的区域残留。
[0046]在实施凹部形成步