（未显示），例 如从壁230向内延伸的唇部或类似物。环238可进一步包括内围边缘242。
[0038] 处理配件228可包括主体244,所述主体从环238的内围边缘242向下延伸。主体 244可包括侧壁246,所述侧壁限定了基板支撑件100上方的开口 248。例如，如图2所示， 开口 248的直径可超出基板支撑件100的直径。例如，形成于基板支撑件100及主体244 的侧壁246之间的缝隙250可被用来当作流动路径以用在将要排放到气体排放装置208的 处理气体、副产物及其他材料上。
[0039] 处理配件228可包括任何能与基板处理系统200中执行的处理兼容的合适材料。 处理配件228的部件可有助于限定第一空间及第二空间203、205。例如，第一空间203可至 少由环238及介电盖236限定。例如，某些实施方式中，如图2所示，第一空间203可进一 步由主体244的侧壁246所限定。例如，第二空间205可由主体244及基板支撑件100所 限定。
[0040] 气体入口 206连接至处理气体供应器218且在处理期间将处理气体引进至基板处 理系统200。如图示的，气体入口 206是透过介电盖236而耦合到第一空间203。然而，气 体入口 206可于任何适当的位置耦合至第一空间203中。气体排放装置208可包括伺服控 制节流阀252及真空栗254。真空栗254在处理前抽空基板处理系统200。在处理期间，真 空栗254及伺服控制节流阀252维持基板处理系统200内的所需压力。加热器256被提供 以将基板216加热至所需温度。加热器256耦合至电源264,所述电源被配置为提供电力给 加热器256以有助于加热器256的操作。
[0041] 控制器220包括中央处理器（CPU) 222、内存224及用于CPU 222的支持电路226， 且所述控制器有助于基板处理系统200的部件的控制，也因此有助于在基板处理系统200 中处理基板的方法。控制器220可以是任何形式之一的一般用途计算机处理器，所述一般 用途计算机处理器能被用于在工业环境中控制各种腔室及子处理器。CPU 222的内存，或计 算机可读取媒体224可为一个或更多个容易取得的内存，例如随机存取内存（RAM)、只读存 储器（ROM)、软盘、硬盘，或任何其他形式的本地或远程数字储存。支持电路226耦合至CPU 222以用于以已知的方式支持所述处理器。所述电路包括高速缓存（cache)、电源、时钟电 路、输入/输出电路及子系统，及类似物。内存224储存了软件（原始或目标代码），所述 软件可被执行或调用（invoke)并以本文所描述的方式控制基板处理系统200的操作。软 件例程（routine)亦可被第二CPU (未显示）储存及/或执行，所述第二CPU位于远离CPU 222所控制的硬件处。
[0042] 在操作的例子中，基板216设置在基板支撑件100的基板支撑件表面128上。基 板处理系统200可被抽空以提供真空处理环境。处理气体透过气体入口 206引进至第一空 间203中。为了激活反应，处理气体的等离子体在处理区域中通过感应性耦合及/或电容 性耦合产生。等离子体207可通过将足以在处理区域中维持等离子体的电力施加至感应线 圈212而产生。应考虑到，所述处理区域内的所述等离子体可于处理时仅被感应性耦合、仅 被电容性耦合或被感应性及电容性耦合两者所激发及维持。
[0043] 在非限制性的实施方式中，所揭示的基板支撑件可有利地利用于预清洁腔室，所 述预清洁腔室是用于在沉积处理之前清洗基板或用于处理步骤之间的清洗步骤。在这些情 况中，诸如氩的惰性气体可被用作处理气体。所述感应线圈在处理腔室202中产生离子化 形式的氩分子，即等离子体207。
[0044] 为了将所述等离子体化分子导引至所需的方向，例如朝向基板216,某些实施方式 中，偏压或高偏压射频功率耦合至基板支撑件100上，例如通过电源109。在本发明中，所述 射频是施加至导电板108。发明人观察到，至少如图1所示的在径向向外方向渐缩的导电 板108的厚度有益地将位于所述基板边缘的边缘效应减至最低，并在横越所述基板上产生 更均匀的蚀刻。
[0045] 因此，本文提供了用于处理基板的改进的装置。所述本发明的装置的实施方式以 关于氩气溅射蚀刻处理为说明而并非限制的方式描述。其他等离子体蚀刻处理可有利地采 用本基板支撑件以减少处理放置在所述基板支撑件上的基板时的边缘效应。
[0046] 尽管以上针对本发明的实施方式，但可在并未背离本发明的基本范畴的情况下设 计本发明的其它及进一步的实施方式。
【主权项】
1. 一种在处理腔室中支撑基板的基板支撑件，所述基板支撑件包括： 介电绝缘体板； 导电板，所述导电板支撑于所述介电绝缘体板上，所述导电板包括顶表面及底表面，所 述顶表面及所述底表面限定了介于所述顶表面及所述底表面之间的厚度，其中所述导电板 的边缘部分在径向向外的方向渐缩（taper);及 介电板，所述介电板包括基板支撑件表面，所述基板支撑件表面设置在所述导电板的 所述顶表面上。2. 如权利要求1所述的基板支撑件，其中至少一部分的所述底表面是向上渐缩。3. 如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述渐缩部分包括连接所述顶表面及所述底 表面的侧壁，其中所述侧壁以从水平位置起大约15度至大约75度的角度倾斜。4. 如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述渐缩部分包括连接所述顶表面及所述底 表面的侧壁，其中所述侧壁包括一个或更多个直的或弯曲的段。5. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述导电板的所述渐缩部分径 向延伸超出所述基板支撑件表面。6. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述介电绝缘体板包括凹槽，所 述凹槽形成于所述介电绝缘体板的顶表面，所述凹槽被配置为接收所述导电板的至少一部 分，并维持与所述底表面的至少一部分接触。7. 如权利要求6所述的基板支撑件，其中所述凹槽是被配置为使得所述导电板的所述 顶表面与所述介电绝缘体板的所述顶表面的一部分共面。8. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述介电绝缘体板由石英形成。9. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述导电板是由金属材料形成。10. 如权利要求9所述的基板支撑件，其中所述导电板是由钛形成。11. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述导电板是由掺杂的 (doped)陶瓷形成。12. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述介电板包括升起的唇部， 所述唇部具有对应至所述基板支撑件表面的内壁。13. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述介电板包括石英或陶瓷的 至少一种。14. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，其中所述导电板是经适配以连接至 射频偏压源。15. 如权利要求1至4中任一项所述的基板支撑件，所述基板支撑件进一步包括： 所述介电板中的第一定位孔； 所述导电板中的第二定位孔，所述第二定位孔与所述第一定位孔共轴；及 定位装置，所述定位装置的设置是部分穿过所述第一定位孔且部分在所述导电板内。
【专利摘要】本文公开用于处理基板的方法及装置。在某些实施方式中，用于在处理腔室中支撑基板的基板支撑件包括：介电绝缘体板；支撑于所述介电绝缘体板的导电板，所述导电板包括顶表面及底表面，所述顶表面及所述底表面限定了介于所述顶表面及所述底表面之间的厚度，其中所述导电板的边缘部分在径向向外的方向中渐缩；及介电板，所述介电板包括设置在所述导电板的所述顶表面上的基板支撑件表面。
【IPC分类】H01L21/3065
【公开号】CN105122430
【申请号】CN201480012165
【发明人】拉里·弗雷泽, 振雄·马修·蔡, 约翰·C·福斯特, 梅宝·杨, 迈克尔·S·杰克逊
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年2月17日
【公告号】US20140262043, WO2014163800A1