部件的衬底元件均可以由硅或者介电材料制成，诸如玻 璃、低k材料（即，具有小于3. 5的k的材料）、陶瓷、复合物材料、或者对称或者非对称层压 板，如上面所描述的。当衬底元件由硅制成时，在本文中描述的任何实施例中的任何这类衬 底元件可以包括在衬底元件的一个或者多个有源器件区域中的有源半导体器件。
[0152] 可以通过诸如在其公开内容以引用的方式并入本文的美国专利申请公开第 2008/0246136 号、第 2012/0018863 号、第 2012/0018868 号、第 2012/0018893 号、第 2012/0018894号、第2012/0018895号和第2012/0020026号中更加详细公开的工艺等工艺， 来形成在本文中所公开的开口、孔和传导元件。
[0153] 虽然已经参考对个特定实施例对本文中的本发明进行了描述，但是要理解，这些 实施例仅仅是对本发明的原理和应用的图示。因此，要理解，在不背离由所附权力要求书所 限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对说明性实施例进行各种修改并且可以构思出 其它布置。
[0154] 应理解的是，在本文中各个附属权力要求项和提出的特征可以按照与初始权力要 求书中提出的方式不同的方式进行组合。也应理解的是，关于单独的实施例描述的特征可 以与所描述的各个实施例中的其它实施例共享。
【主权项】
1. 一种复合中介层，包括： 衬底元件，实质上由电介质或者半导体材料中的至少一个组成，所述衬底元件具有限 定出小于或等于200微米的厚度的相对的第一表面和第二表面，并且具有暴露在所述第一 表面处的多个触点、以及延伸通过所述厚度的电传导结构；以及 支撑元件，具有： 本体，由电介质或者半导体材料中的至少一个形成，暴露在所述支撑元件的第二表面 处，所述支撑元件的所述第二表面与所述衬底元件的所述第二表面结合，所述本体具有小 于每摄氏度百万分之十二（"Ppm/°C"）的热膨胀系数（"CTE"）； 开口，延伸通过所述本体的在所述支撑元件的所述第二表面与同所述支撑元件的所述 第二表面相对的第一表面之间的厚度； 多个电传导过孔，在所述开口中的至少一些开口内、在所述本体的所述厚度的方向上 延伸；以及 端子，暴露在所述支撑元件的所述第一表面处，所述端子被配置用于将所述中介层与 在所述中介层外部的部件电连接，其中所述端子通过所述传导过孔和所述电传导结构来与 所述触点电连接。2. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中延伸通过所述衬底元件厚度的所述电传导 结构包括多个传导过孔，其中在所述衬底元件的所述传导过孔中的任意两个相邻的传导过 孔之间的最小间距小于或等于延伸通过所述支撑元件的所述开口的所述传导过孔中的任 意两个相邻的传导过孔的之间的最小间距。3. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述衬底元件的所述厚度小于所述支撑元 件的所述厚度。4. 根据权利要求3所述的复合中介层，其中所述衬底元件的所述厚度小于所述支撑元 件的所述厚度的五分之一。5. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述支撑元件的所述厚度是所述衬底元件 的所述厚度的至少1. 5倍，以及其中所述支撑元件的杨氏模量大于60GPa。6. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述支撑元件的所述厚度是所述衬底元件 的所述厚度的至少1. 5倍，以及其中所述支撑元件的杨氏模量是所述衬底的杨氏模量的至 少1. 3倍。7. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述衬底元件实质上由半导体材料组成。8. 根据权利要求7所述的复合中介层，其中所述支撑元件的所述本体实质上由玻璃、 陶瓷、或者低k材料组成。9. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述支撑元件的所述本体具有与所述衬底 元件的CTE相差30 %以内的CTE。10. 根据权利要求1所述的复合中介层，进一步包括：顺应性介电层，沿着所述支撑元 件的所述第一表面延伸，其中所述端子中的至少一些端子至少部分地覆在所述顺应性介电 层上。11. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述传导过孔的与所述端子相邻的端部 在至少一个横向方向中的第一方向上相对于所述衬底元件可移动。12. 根据权利要求11所述的复合中介层，其中所述传导过孔被配置用于减少应力，所 述应力由于与附接至所述复合中阶层的与所述传导过孔相邻的部件相关的差异热膨胀的 影响、而被施加至所述复合中介层。13. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中每个传导过孔的外表面不与所述开口中 的对应的一个开口的内表面的轮廓一致。14. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中每个传导过孔基本上完全地填充所述开 口中的对应的开口。15. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述传导过孔中的至少一些传导过孔是 接线键合。16. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中使所述传导过孔中的至少一些传导过孔 中的每个传导过孔通过顺应性介电材料与所述每个传导过孔在其中延伸的所述开口的内 表面分开。17. 根据权利要求16所述的复合中介层，其中所述开口中的至少一些开口中的每个开 口在所述开口的所述内表面与所述支撑元件的所述第一表面之间限定了圆角。18. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中使所述传导过孔中至少一些传导过孔中 的每个传导过孔与所述传导过孔在其中延伸的所述开口的所述内表面通过在所述每个传 导过孔与所述内表面之间延伸的空腔分开。19. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述开口中的一个或多个开口中的每个 开口具有在其中延伸的多个所述传导过孔。20. 根据权利要求1所述的复合中介层，其中所述开口中的一个或多个开口中的每个 开口完全地填充有介电材料。21. 根据权利要求1所述的复合中介层，进一步包括：导体层，沿着所述衬底元件的所 述第二表面或者所述支撑元件的所述第二表面中的至少一个延伸，所述导体层在所述传导 过孔与所述电传导结构之间提供直接的电连接。22. -种复合中介层，包括： 衬底元件，实质上由电介质或者半导体材料中的至少一个组成，所述衬底元件具有限 定出小于或等于200微米的厚度的相对的第一表面和第二表面，并且具有暴露在所述第一 表面处的多个触点、以及延伸通过所述厚度的电传导结构；以及 支撑元件，具有： 本体，由电介质或者半导体材料中的至少一个形成，暴露在所述支撑元件的第二表面 处，所述支撑元件的所述第二表面面朝所述衬底元件的所述第二表面，所述本体具有小于 12ppm/°C 的 CTE ; 开口，延伸通过所述本体的在所述支撑元件的所述第二表面与同所述支撑元件的所述 第二表面相对的第一表面之间的厚度； 多个电传导过孔，在所述开口中的至少一些开口内、在所述本体的所述厚度的方向上 延伸；以及 端子，暴露在所述支撑元件的所述第一表面处，所述端子被配置用于将所述中介层与 在所述中介层外部的部件电连接，其中所述端子通过所述传导过孔和所述电传导结构与所 述触点电连接， 所述支撑元件通过将所述传导过孔与所述电传导结构电连接的多个传导联接单元而 与所述衬底元件联接。23. -种微电子组件，包括： 微电子元件，具有在其上承载元件触点的表面；以及 复合中介层，包括： 衬底元件，具有：相对的第一表面和第二表面、暴露在所述第一表面处的多个触点、以 及延伸通过所述衬底元件的厚度的电传导结构，所述微电子元件与所述衬底元件组装在一 起、从而使得所述触点中的至少一些触点与所述元件触点中的至少一些元件触点电连接； 以及 支撑元件，与所述衬底元件组装在一起，所述支撑元件具有： 本体，由电介质或者半导体材料中的至少一个形成，暴露在所述支撑元件的第二表面 处，所述支撑元件的所述第二表面面朝所述衬底元件的所述第二表面； 开口，延伸通过所述本体的在所述支撑元件的所述第二表面与同所述支撑元件的所述 第二表面相对的第一表面之间的厚度； 多个电传导过孔，在所述开口中的至少一些开口内、在所述本体的所述厚度的方向上 延伸；以及 端子，暴露在所述支撑元件的所述第一表面处，所述端子被配置用于将所述中介层与 在所述微电子组件外部的部件电连接，其中所述端子通过所述传导过孔和所述电传导结构 来与所述触点电连接。24. 根据权利要求23所述的微电子组件，其中所述微电子元件包含大量有源器件，用 于与任何其它功能相比更提供存储器存储阵列功能。25. 根据权利要求24所述的微电子组件，进一步包括：另外的微电子元件，具有在其上 承载元件触点的表面，并且包括主要被配置用于执行逻辑功能的半导体芯片，所述衬底元 件的所述触点中的至少一些触点与所述另外的微电子元件的所述元件触点中的至少一些 触点电连接。26. 根据权利要求23所述的微电子组件，其中所述微电子元件包括：多个被堆叠的电 互连半导体芯片。27. 根据权利要求23所述的微电子组件，进一步包括：导体层，沿着所述衬底元件的所 述第二表面或者所述支撑元件的所述第二表面中的至少一个延伸，所述导体层在所述传导 过孔与所述电传导结构之间提供直接的电连接。28. 根据权利要求23所述的微电子组件，其中所述支撑元件通过将所述传导过孔与所 述电传导结构电连接的多个传导联接单元而与所述衬底元件联接。29. -种系统，包括：根据权利要求23所述的微电子组件，所述微电子组件被安装至电 路板，所述微电子组件的所述端子中的至少一些端子联接并且电连接至暴露在所述电路板 的表面处的面板触点。30. 根据权利要求29所述的系统，其中所述端子通过传导引线来电连接至所述面板触 点，所述传导引线至少部分地包括接线键合。31. 根据权利要求29所述的系统，其中所述支撑元件通过将所述传导过孔与所述电传 导结构电连接的第一多个传导联接单元而与所述衬底元件联接；以及其中所述支撑元件通 过将所述传导过孔与所述面板触点电连接的第二多个联接单元而与所述电路板联接。32. -种系统，包括：根据权利要求23所述的微电子组件、以及电连接至所述微电子组 件的一个或多个其它电子部件。33. 根据权利要求32所述的系统，进一步包括：壳体，所述微电子组件和所述一个或多 个其它电子部件与所述壳体组装在一起。34. -种制备微电子组件的方法，包括： 使衬底元件的由电介质或者半导体材料中的至少一个形成的暴露表面与支撑元件的 由电介质或者半导体材料中的至少一个形成的暴露表面彼此结合， 所述衬底元件具有限定出小于或等于200微米的厚度的相对的第一表面和第二表面， 并且具有暴露在所述第一表面处的多个触点、以及延伸通过所述厚度的电传导结构，所述 衬底元件的由电介质或者半导体材料中的所述至少一个形成的所述暴露表面是所述衬底 元件的所述第二表面； 所述支撑元件具有本体，所述本体具有相对的第一表面和第二表面、以及小于 12ppm/°C的CTE，并且所述支撑元件具有开口，所述开口在所述支撑元件的所述第一表面和 所述第二表面之间延伸通过所述本体的厚度，所述支撑元件的由电介质或者半导体材料中 的所述至少一个形成的所述暴露表面是所述支撑元件的所述第二表面； 形成在所述开口内延伸的电传导过孔、以及在暴露在所述支撑元件的所述第一表面处 的端子，所述端子通过所述传导过孔和所述电传导结构来与所述触点电连接。35. 根据权利要求34所述的方法，其中形成所述传导过孔和所述端子的步骤，将所述 端子中的至少一些端子与所述传导过孔一体化地形成，作为所述传导过孔的端部。36. 根据权利要求34所述的方法，进一步包括：形成在所述开口内延伸的顺应性介电 材料，其中所述传导过孔形成为在延伸通过所述顺应性介电材料的孔内延伸。37. 根据权利要求34所述的方法，进一步包括：形成沿着所述支撑元件的所述第一表 面延伸的顺应性介电层。38. 根据权利要求34所述的微电子组件，进一步包括：形成沿着所述衬底元件的所述 第二表面或者所述支撑元件的所述第二表面中的至少一个延伸的导体层，所述导体层在所 述传导过孔与所述电传导结构之间提供直接的电连接。39. -种制备微电子组件的方法，包括： 将微电子元件与复合中介层组装在一起，所述微电子元件具有在其上承载元件触点的 表面，所述复合中介层包括： 衬底元件，实质上由电介质或者半导体材料中的至少一个组成，所述衬底元件具有限 定出小于或等于200微米的厚度的相对的第一表面和第二表面，并且具有暴露在所述第一 表面处的多个触点、以及延伸通过所述厚度的电传导结构；以及 支撑元件，具有： 本体，由电介质或者半导体材料中的至少一个形成，暴露在所述支撑元件的第二表面 处，所述支撑元件的所述第二表面与所述衬底元件的所述第二表面结合，所述本体具有小 于 12ppm/°C 的 CTE ; 开口，延伸通过所述本体的在所述支撑元件的所述第二表面与同所述支撑元件的所述 第二表面相对的第一表面之间的厚度； 多个电传导过孔，在所述开口中的至少一些开口内、在所述本体的所述厚度的方向上 延伸；以及 端子，暴露在所述支撑元件的所述第一表面处，所述端子被配置用于将所述中介层与 在所述中介层外部的部件电连接，其中所述端子通过所述传导过孔和所述电传导结构与所 述触点电连接， 其中所述组装步骤包括：将所述衬底元件的所述触点中的至少一些触点与所述元件触 点中的至少一些元件触点电连接。40.根据权利要求39所述的方法，进一步包括：将电路板与所述支撑元件组装在一起， 所述微电子组件的所述端子中的至少一些端子联接并且电连接至暴露在所述电路板的表 面处的面板触点。
【专利摘要】本发明的各个实施例涉及一种可调复合中介层。复合中介层可以包括衬底元件和支撑元件。衬底元件可以具有限定出小于或等于200微米的厚度的相对的第一和第二表面，并且可以具有暴露在第一表面处的多个触点、和延伸通过该厚度的电传导结构。支撑元件可以具有：半导体材料或者电介质中的至少一个的本体，暴露在支撑元件的第二表面处；开口，延伸通过本体的厚度；传导过孔，在本体的厚度的方向上在至少一些开口内延伸；以及端子，暴露在支撑元件的第一表面处。支撑元件的第二表面可以与衬底元件的第二表面结合。端子可以通过传导过孔和电传导结构与触点电连接。
【IPC分类】H01L23/498
【公开号】CN105122448
【申请号】CN201380059169
【发明人】C·G·沃伊奇克, C·E·尤佐, 佐藤宏明
【申请人】伊文萨思公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2013年9月12日
【公告号】EP2896069A1, US8963335, US20140070423, US20150162216, WO2014043390A1