[0131]作为附加的特点，器件2301具有钝化层2303，所述钝化层施加在η型掺杂的半导体层107上。钝化层2303在η型掺杂的半导体层107的水平表面2304上继续沿朝载体103的方向延伸超过η型掺杂的半导体层107的棱边2305至掺杂的区域117进而尤其也覆盖η型掺杂的半导体层107的垂直的外面2307和ρη结111的垂直的另一外面2309，其中所述外面2307触碰或邻接棱边2305并且所述另一外面2309连接于外面2305。
[0132]概括地，即本发明尤其包括下述思想:两个P型掺杂的和η型掺杂的半导体层中的至少一个、尤其两个设有模块化的掺杂，就此而言一个或多个区域与区域周围相比掺杂有更高的η型或ρ型掺杂。由此有利地引起，所述区域具有更小的击穿电压，使得经由此优选在光电子器件的静电充电时电荷能够流出。这尤其有利地引起防止静电充电电荷或防止可能从中产生的损害的保护。
[0133]借助于优选的实施例详细解释和说明本发明。然而本发明不受公开的实例限制。更确切地说，由此能够由本领域技术人员推导出其他变型方案，而不脱离本发明的保护范围。
[0134]本专利申请要求德国专利申请102013103601.5的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
[0135]附图标记列表
[0136]101 光电子器件
[0137]103 载体
[0138]105 半导体层序列
[0139]107 P型掺杂的半导体层
[0140]109 η型掺杂的半导体层
[0141]111 ρη 结
[0142]113 有源区
[0143]115 掺杂的区域
[0144]117 ”
[0145]119 ”
[0146]201 施加半导体层序列
[0147]203 形成 ρη 结
[0148]205 区域设有掺杂材料
[0149]301 光电子器件
[0150]303 二极管
[0151]305 ”
[0152]307 二极管305的特征曲线
[0153]309 二极管303的特征曲线
[0154]401 光电子器件
[0155]403 通孔
[0156]405 台面棱边
[0157]501 掺杂材料
[0158]601 光电子器件
[0159]603 V 坑
[0160]605 生长方向
[0161]801 具有减小的反向电压的区
[0162]901 掺杂的区域在V坑之外的厚度
[0163]903 掺杂的区域在V坑之内的厚度
[0164]1001光电子器件
[0165]1101 ”
[0166]1101A ”
[0167]1101B ”
[0168]1201台面沟槽
[0169]1301过渡区域
[0170]1303 镜层
[0171]1305A, 1305B 光电子器件
[0172]1401光电子器件
[0173]1701 钝化层
[0174]1801 η型接触层
[0175]1901光电子器件
[0176]2001 ”
[0177]2002在ρ型掺杂的半导体层中的η型和ρ型掺杂的叠加区域
[0178]2003在反向击穿时的电流通流
[0179]2101保护层
[0180]2201移除的区域
[0181]2301光电子器件
[0182]2303钝化层
[0183]2304水平表面
[0184]2305棱边
[0185]2307，2309 竖直表面
【主权项】
1.一种光电子器件(101)，包括: 载体(103)，在所述载体上施加有半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括η型掺杂的半导体层(109)和P型掺杂的半导体层(107)，使得形成ρη结(111)，所述ρη结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中 所述η型掺杂的半导体层(109)和所述P型掺杂的半导体层(107)中的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域(117)，所述第一掺杂浓度大于在包括所述区域(117)的所述半导体层中的所述区域(117)的周围中的第二掺杂浓度。2.根据上一项权利要求所述的光电子器件(101)，其具有多个掺杂的所述区域(117)，其中 -掺杂的所述区域(117)与在掺杂的所述区域(117)的周围中在截止方向上的击穿电压相比分别具有在所述ρη结的截止方向上的更小的击穿电压， -掺杂的所述区域(117)彼此横向隔开地设置，并且 -在相邻的掺杂的所述区域(117)之间分别存在具有所述第二掺杂浓度的区域。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)是η型掺杂的并且所述第二掺杂浓度是η型掺杂的半导体层的掺杂浓度。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述区域是P型掺杂的并且所述第二掺杂浓度是所述P型掺杂的半导体层(107)的掺杂浓度。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)以伸展至所述ρη结(111)并且接触所述ρη结的方式形成。6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)以穿过所述ρη结(111)伸展的且连接这两个掺杂的所述半导体层的方式形成。7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)与在包括所述区域的所述半导体层中形成的缺陷相邻地形成。8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述缺陷是V坑(603)或Epi管。9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)与在包括所述区域的所述半导体层中形成的通孔(403)相邻地形成。10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)在包括所述区域(117)的所述半导体层的背离所述半导体层序列(105)的外面上形成。11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中形成多个区域(115，117，119)，使得包括这些区域(115，117，119)的所述半导体层具有调制的掺杂。12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(101)，其中所述区域(117)具有至少25 μ HI2的面积。13.—种用于制造光电子器件(101)的方法，其中在载体(103)上施加半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括η型掺杂的和P型掺杂的半导体层(107)，使得形成ρη结(111)，所述ρη结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中所述η型掺杂的和所述P型掺杂的半导体层(107)中的至少一个半导体层的一个区域设有掺杂材料(501)，使得所述区域(117)以第一掺杂浓度掺杂，所述第一掺杂浓度大于在包括所述区域(117)的所述半导体层中的所述区域(117)的周围中的第二掺杂浓度。14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在掺杂的所述半导体层的至少一个中形成缺陷，所述缺陷设有所述掺杂材料(501)，使得掺杂的所述区域(117)与所述缺陷相邻地形成。15.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在掺杂的所述半导体层的至少一个中形成通孔(403)，将所述掺杂材料(501)引入所述通孔中，使得掺杂的所述区域(117)与所述通孔(403)相邻地形成。16.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述区域设有所述掺杂材料(501)之前，所述半导体层序列(105)的至少一个露出的面设有保护层以防止用所述掺杂材料(501)的掺杂。
【专利摘要】本发明涉及一种光电子器件(101)，包括：载体(103)，在所述载体上施加有半导体层序列(105)，所述半导体层序列包括n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)，使得形成pn结(111)，所述pn结包括用于产生电磁辐射的有源区(113)，其中n型掺杂的和p型掺杂的半导体层(107)的至少一个包括具有第一掺杂浓度的掺杂的区域，所述第一掺杂浓度大于包含该区域的半导体层中的该区域的周围中的第二掺杂浓度。本发明还涉及一种用于制造光电子器件(101)的相应的方法。
【IPC分类】H01L33/38, H01L33/00, H01L33/02, H01L33/14, H01L27/15
【公开号】CN105122454
【申请号】CN201480020763
【发明人】托比亚斯·迈耶, 克里斯蒂安·莱雷尔, 洛伦佐·齐尼, 于尔根·奥弗, 安德烈亚斯·莱夫勒, 亚当·鲍尔
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年3月24日
【公告号】DE102013103601A1, DE112014001948A5, WO2014166724A1