Qled、qled显示屏及制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种QLED、QLED显示屏及制备方法。
【背景技术】
[0002]量子点(quantum dot,简称QD)是一种由I1- VI族、II1- V或IV - VI族元素组成的纳米颗粒，其受激发后可以发光。量子点的发光波长与量子点粒子的尺寸相关，因此可以通过控制量子点的尺寸，产生各种理想波长的可见光。此外，量子点发光材料具有光色纯度高、发光量子效率高、使用寿命长等优点，是一种很有前景的电致发光材料。基于量子点电致发光的显示屏(QLED)与有机电致发光显示屏(OLED)类似，都是采用类似三明治的叠层结构，通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。其中，QLED发光层使用量子点代替了 OLED中的有机发光材料，克服了有机发光材料对水氧敏感、稳定性差等缺点。
[0003]目前，QLED的制备主要采用溶液加工与真空蒸镀相结合实现，其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层主要通过溶液加工工艺实现，金属电极则是通过真空蒸镀制备。真空蒸镀工艺由于设备投资和维护费用高昂，材料浪费严重，因此成本居高不下，此外，由于受镀舱尺寸的限制，难以实现大尺寸QLED显示屏的制备。
[0004]近年来，印刷电子行业发展迅速。印刷技术被认为是实现QLED低成本和大面积生产的有效途径。印刷技术在OLED的制备中得到了广泛研究，其中中国专利(CN101916831A)公开了一种全印刷方法制备有机电致发光显示屏的方法。通过在电子注入层上增加一层阴极缓冲层，然后通过溶液加工方法(旋转涂覆、喷墨打印、丝网印刷、提拉和喷涂)在缓冲层上制备顶电极，最后在一定温度下退火烧结，得到顶电极。但是，该方法中，由于底电极依然采用了物理气相沉积的ΙΤ0，因此并没有实现真正意义上的全印刷工艺。
[0005]目前，OLED以及QLED显示屏，其子像素内的底电极都是采用导电金属氧化物ΙΤ0，ITO作为像素电极，薄膜晶体管(TFT)阵列制作完成后，首先需要一次光刻工艺，在漏极上端挖孔，刻蚀掉部分钝化层，露出漏极，然后用物理气相沉积工艺制备ΙΤ0，随后还需要一次光刻工艺将ITO图案化，最后再制作像素Bank层，因此工艺相对较为繁琐复杂。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种QLED，旨在解决现有QLED的阳极不能采用溶液加工方法制备导致制备所述QLED的设备要求高、材料浪费、成本高以及受镀舱尺寸的限制，难以制备大尺寸QLED显示屏的问题。
[0007]本发明的另一目的在于提供一种QLED显不屏，旨在解决现有QLED显不屏米用导电金属氧化物ITO作为底电极导致操作工艺繁琐复杂的问题，同时解决了现有QLED显示屏中QLED的阳极不能采用溶液加工方法制备导致制备所述QLED的设备要求高、材料浪费、成本高，以及受镀舱尺寸的限制、难以制备大尺寸QLED显示屏的问题。
[0008]本发明的另一目的在于提供QLED以及QLED显示屏的制备方法。
[0009]本发明是这样实现的，一种QLED，包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，所述阳极的材料为电导率> 0.1S的聚合物，所述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆。
[0010]相应的，一种QLED的制备方法，包括以下步骤:
[0011]分别提供所述阳极、量子点发光层和阴极的材料溶液:聚合物溶液、量子点溶液和微米或纳米级导电材料胶浆；
[0012]沉积所述聚合物溶液形成阳极；
[0013]在所述阳极上沉积所述量子点溶液形成量子点发光层；
[0014]在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极。
[0015]以及，一种QLED显示屏，包括TFT背板、像素界定层和QLED，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列，以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极；所述钝化层/平坦层在所述漏极上设置有坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；
[0016]所述像素界定层在所述坑位上方对应设置有子像素，且所述子像素的开口大于所述坑位的开口；
[0017]所述QLED设置在所述子像素中，所述QLED包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，所述阳极的材料为电导率> 0.1S的聚合物，所述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且所述阳极的聚合物材料填充所述坑位使得所述阳极与所述漏极相连。
[0018]相应的，一种QLED显示屏的制备方法，包括以下步骤:
[0019]提供一 TFT背板，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列，以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极；
[0020]在所述TFT背板上沉积Bank材料形成Bank层，其中，所述Bank材料为正性光刻胶；采用第一掩膜板对所述Bank层进行第一次曝光、显影处理，使所述Bank层形成第一曝光区域；刻蚀所述第一曝光区域下的所述钝化层/平坦层，使所述钝化层/平坦层在所述漏极上形成坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；采用第二掩膜板对所述Bank层进行第二次曝光、显影处理，得到形成有子像素的像素界定层，所述第二次曝光、显影处理使所述Bank层形成第二曝光区域，且第二次曝光区域包括所述第一次曝光区域；
[0021]按照上述QLED的制备方法，在所述子像素内制备QLED，且所述阳极的材料填充所述漏极的坑位使得所述阳极和所述漏极相连。
[0022]本发明提供的QLED，分别采用可溶液加工的电导率> 0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极材料，避免了导电金属氧化物ITO电极的使用，使得所述QLED可通过溶液加工方法实现全印刷型QLED，从而降低了所述QLED的制造成本，可以实现大面积QLED显示屏的制备。
[0023]本发明提供的QLED的制备方法，分别采用可溶液加工的电导率> 0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极材料，可分别实现所述阳极和阴极的印刷沉积，结合其他各功能层可采用溶液加工的特点，从而实现了 QLED真正意义上的全印刷工艺制备，从而有效避免QLED显示屏制备过程中真空蒸镀制程的使用，简化了 QLED的制作工艺、降低制作成本。
[0024]本发明提供的QLED显示屏，一方面，分别采用可溶液加工的电导率> 0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极材料，实现了 QLED真正意义上的全印刷工艺制备，简化了 QLED显示屏的制作工艺、降低制作成本；另一方面，所述QLED显示屏以Bank材料为光刻掩膜，对所述TFT阵列漏极上的所述钝化层/平坦层进行刻蚀得到坑位，进而对所述坑位上的所述Bank层直接定义得到适合全印刷工艺制备的显示屏子像素，使得所述阳极的聚合物材料填充所述坑位使得所述阳极与所述漏极相连，大大简化了 QLED显示屏的制作工艺以及制作成本。
[0025]本发明提供的QLED显示屏的制备方法，以Bank材料为光刻掩膜，在覆盖了所述钝化层/平坦层的TFT阵列上，通过两次显影和一次刻蚀工艺，直接定义出了适合全印刷工艺制备的显示屏子像素坑，大大简化了 QLED显示屏的制作工艺以及制作成本。
【附图说明】
[0026]图1是本发明实施例提供的包括阳极、量子点发光层和阴极的QLED结构示意图；
[0027]图2是本发明实施例提供的包括空穴注入层、空穴传输层和电子传输层的QLED结构示意图；
[0028]图3是本发明实施例提供的QLED显示屏结构示意图；
[0029]图4是本发明实施例提供的在TFT背板上沉积Bank材料形成Bank层后的结构示意图；
[0030]图5是本发明实施例提供的采用第一掩膜板对Bank层进行第一次曝光、显影处理后的结构不意图；
[0031]图6是本发明实施例提供的刻蚀第一曝光区域下的所述钝化层/平坦层后的结构示意图；
[0032]图7是本发明实施例提供的采用第二掩膜板对Bank层进行第二次曝光、显影处理后的结构不意图；
[0033]图8是本发明实施例提供的所述子像素内制备QLED的结构示意图。
【具体实施方式】
[0034]为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0035]结合图1-2，本发明实施例提供了一种QLED1，包括依次层叠设置的阳极11、量子点发光层14和阴极16，如图1所示，其中，所述阳极11的材料为电导率> 0.1S的聚合物，所述阴极16的材料为微米或纳米级导电材料胶楽。
[0036]为了提高电荷传输功能，作为优选实施例，QLEDl还包括空穴注入层12、空穴传输层13、电子注入层(图中未标出)、电子传输层15中的至少一层。所述各层的设置方式均为本领域常规方式。
[0037]作为一个具体优选实施例，所述QLEDl包括依次层叠设置的阳极11、量子点发